公开(公告)号：CN102569032A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210012849.1

申请日：2012-01-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩梅 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  王双福

IPC: H01L21/02 ,  H01L23/522

Abstract: 本发明涉及一种多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法，其特征在于在基板或衬底上溅射种子层，光刻形成掩膜，电镀金属形成第一层金属互连传输线及第一电感金属层，去除光刻胶及种子层；旋涂光敏介质层，曝光显影形成金属互连通孔及第二电感金属沟槽图形，第二电感金属沟槽图形与第一电感线图形相同，退火，等离子体干刻去除显影残余部分，电镀金属形成金属互连通孔及第二电感线金属层；形成第二层金属互连线及第三电感金属层，并形成最外层金属通孔；从而形成多层金属化薄膜叠加的电感元件。本发明与圆片级封装中重布线工艺兼容，在不增加工艺步骤的情况下，低成本制造出的电感比传统圆片级集成电感金属层更厚即寄生电阻更小，从而提高了电感的品质因数。

公开(公告)号：CN102507669A

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201110369062.6

申请日：2011-11-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宁文果 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  李珩 ,  汤佳杰 ,  陈骁 ,  王天喜 ,  韩梅 ,  王双福 ,  朱春生 ,  叶交托

IPC: G01N27/22

Abstract: 本发明涉及一种基于聚酰亚胺和填充物腐蚀的湿度传感器结构改进及方法，其特征在于在电极板之间的聚酰亚胺层中填充材料后腐蚀制作出多孔薄膜，经光刻后a)沿电极板方向制作单个空腔；b)沿电极板方向制作多个空腔；c)垂直电极板方向制作多个空腔；d)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中多个独立的空腔；或e)在电极板之间的多孔聚酰亚胺薄膜中保留多个独立的聚酰亚胺块。制作是首先在硅圆片上溅射金属层作为种子层，然后电镀出电容电极板，再涂覆聚酰亚胺胶作为电容的介电材料，并在聚酰亚胺中填充光纤、玻璃粉末或金属颗粒材料，最后腐蚀聚酰亚胺中的填充材料获得多孔聚酰亚胺薄膜；最后，采用光刻的方法，形成空腔，增加多孔薄膜与空气的接触面积，提高传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN102431963A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110419770.6

申请日：2011-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王双福 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  韩梅

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。

公开(公告)号：CN104519661B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201310465129.5

申请日：2013-10-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩梅 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  王双福

IPC: H05K1/16 ,  H05K3/46

Abstract: 本发明提供一种电容电感复合结构的制造方法，至少包括以下步骤：S1：提供一基板，采用溅射法或蒸发法在所述基板上形成一金属层；S2：以所述金属层的一部分作为电容下极板制作电容，以所述金属层的另一部分作为电感的电镀种子层制作电感。本发明的电容电感复合结构中，电容下极板与电感的电镀种子层采用同一层金属，具有结构简单、可靠性高并有利于小型化的优点。本发明利用电镀金属的种子层作为电容下极板制作电容，同时形成电感，无需制造额外的金属层作为电容下极板，工艺步骤简单，采用了更少的光刻次数，有效降低了制造成本，在集成无源器件领域有很大潜力。

公开(公告)号：CN104485325A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410758727.6

申请日：2014-12-11

Applicant: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 韩梅 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  陆原

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种减小圆片级集成无源器件翘曲的结构和制作方法，包括第一层金属层和第二层金属层，第二层金属层位于第一层金属层的上层，第二层金属层为螺旋状线圈结构，第一层金属层为连接线圈内外的桥线；其特征是：在所述第一层金属层和第二层金属层之间相互交叠的区域设置绝缘层。所述制作方法，包括以下步骤：（1）在圆片上制作第一层金属层；（2）在整个圆片上涂覆光敏有机聚合物，制作通孔；去除掉光敏有机聚合物，保留第一层金属层所在区域的光敏有机聚合物，固化；（3）制作第二层金属层，第二层金属层和第一层金属层之间的交叠区域与绝缘层相重叠。本发明通改善了由于有机介质层导致的圆片翘曲问题。

公开(公告)号：CN102431963B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201110419770.6

申请日：2011-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王双福 ,  罗乐 ,  徐高卫 ,  韩梅

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。