公开(公告)号：CN103943513A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410189194.4

申请日：2014-05-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  孙秋娟 ,  陈吉 ,  张学富 ,  吴天如 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L21/0228 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法，所述方法至少包括：1)提供一柔性衬底，将所述柔性衬底粘附至一硬性衬底，并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道；2)采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形，沉积金属并剥离在所述石墨烯导电沟道的两端形成源、漏金属电极；3)采用低温沉积工艺在步骤2)获得的结构表面沉积形成栅介质层；4)刻蚀所述栅介质层暴露出石墨烯导电沟道两端的源、漏金属电极；5)采用电子束曝光图形化形成栅电极图形，沉积金属并剥离在所述石墨烯导电沟道之间的栅介质层上形成栅电极；6)形成接触电极；7)将柔性衬底从所述硬性衬底上揭下来。

公开(公告)号：CN102392225A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110206608.6

申请日：2011-07-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 唐述杰 ,  丁古巧 ,  谢晓明 ,  陈吉 ,  王陈 ,  江绵恒

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/065

Abstract: 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。

公开(公告)号：CN111717911A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911030351.6

申请日：2019-10-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 朱虹延 ,  吴天如 ,  陈吉 ,  张超 ,  时志远 ,  于广辉

IPC: C01B32/188

Abstract: 本发明涉及二维材料制备技术领域，特别涉及一种石墨烯薄膜的制备方法，包括：在碳化硅基底上设置催化剂得到反应样品；将所述反应样品加热至第一预设温度；将所述反应样品保温第一预设时长；其中，所述催化剂的熔点低于第一预设温度，所述催化剂的沸点高于第一预设温度；所述碳化硅基底包含的硅原子能够溶解在液态的所述催化剂中。本发明采用液态催化剂，以碳化硅为基底及固态碳源，通过高温催化碳化硅热分解，并在液态催化剂中溶解硅原子，剩余碳原子在液态催化剂与碳化硅的界面处重排，生成石墨烯。无需额外气态碳源，降低了制备过程中的工艺难度，且所得石墨烯无需转移，在电子器件等方面具有巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN103943513B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201410189194.4

申请日：2014-05-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  孙秋娟 ,  陈吉 ,  张学富 ,  吴天如 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供一种柔性衬底上制备石墨烯器件的方法，所述方法至少包括：1)提供一柔性衬底，将所述柔性衬底粘附至一硬性衬底，并在所述柔性衬底上形成石墨烯导电沟道；2)采用电子束曝光图形化形成源、漏电极图形，沉积金属并剥离在所述石墨烯导电沟道的两端形成源、漏金属电极；3)采用低温沉积工艺在步骤2)获得的结构表面沉积形成栅介质层；4)刻蚀所述栅介质层暴露出石墨烯导电沟道两端的源、漏金属电极；5)采用电子束曝光图形化形成栅电极图形，沉积金属并剥离在所述石墨烯导电沟道之间的栅介质层上形成栅电极；6)形成接触电极；7)将柔性衬底从所述硬性衬底上揭下来。

公开(公告)号：CN103943512A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410189193.X

申请日：2014-05-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  王慧山 ,  孙秋娟 ,  卢光远 ,  陈吉 ,  张学富 ,  吴天如 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L29/41

Abstract: 本发明提供一种降低石墨烯与电极接触电阻的方法，包括步骤：首先，提供衬底，在所述衬底上形成石墨烯；然后，在所述石墨烯表面形成暴露出石墨烯两端的边缘的BN薄膜，；接着，定义源、漏电极区域，形成金属催化层，并在氢气气氛中进行退火，使所述金属催化层团聚形成催化颗粒，所述氢气沿着所述催化颗粒的边缘与石墨烯及BN反应，在石墨烯及BN表面形成锯齿状结构的孔洞；形成源、漏金属电极、栅介质层以及栅极。本发明采用金属催化层刻蚀石墨烯，在氢气氛围下退火的过程中，金属催化层团聚形成小的颗粒，氢气沿着颗粒的边缘刻蚀BN/石墨烯表面，形成具有Zigzag边缘结构的孔洞，并能与随后沉积的源、漏金属电极形成极强的化学键，使金属电极与石墨烯接触更好。