公开(公告)号：CN104726845A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510098675.9

申请日：2015-03-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  贺立 ,  陈令修 ,  谢红 ,  王慧山 ,  唐述杰 ,  李蕾 ,  张道礼 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C23C16/26 ,  C23C16/02

CPC classification number: H01L21/02527 ,  C01B32/182 ,  C01B2204/06 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

Abstract: 本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h-BN上制备形貌可控的石墨烯纳米带，解决了长期以来石墨烯难以在绝缘衬底上形核生长的关键问题，避免了石墨烯转移及裁剪加工成纳米带等复杂工艺将引入的一系列问题。另外，本发明还具有以下优点：一方面可以提高石墨烯质量实现载流子高迁移率，另一方面通过控制石墨烯形貌如宽度、边缘结构实现调控石墨烯的电子结构，在提高石墨烯性能的同时，简化了石墨烯制备工艺，降低生产成本，以便于石墨烯更广泛地应用于电子器件的制备。

公开(公告)号：CN105070347A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510504332.8

申请日：2015-08-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  贺立 ,  陈令修 ,  张道礼 ,  邓联文 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01B1/04 ,  H01G9/042 ,  H01L39/12 ,  H01L39/24 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外采用石墨烯作为接触电极，沉积金属与石墨烯截面形成一维的线接触，将大大降低超导/半导体器件的接触电阻。

公开(公告)号：CN104894639A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510316129.8

申请日：2015-06-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  李蕾 ,  王慧山 ,  贺立 ,  陈令修 ,  吴天如 ,  邓联文 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: C30B25/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电压来调制所述窄边微区结构的电阻，使所述窄边微区结构产生高温；接着，通入反应源，调节背栅电压，使石墨烯加热到材料生长需要的温度，实现石墨烯微区加热的原位材料生长。本发明基于石墨烯场效应管的微区加热原位生长材料方法操作简单，可以实现基于不同尺寸的微区高温加热的前提下，原位生长半导体材料，材料生长区域形状可控。另外，微区加热原位生长材料的制备方法简单，与现有的MOS工艺兼容，便于大规模阵列及图形化制备，均匀性好。