公开(公告)号：CN104501729B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201410728295.4

申请日：2014-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 钟少龙

IPC: G01B11/16 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的光纤F‑P应变计及成型方法，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F‑P应变计主要包括F‑P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F‑P应变敏感MEMS芯片由SOI应变梁、玻璃固定极和硅套管组成；SOI应变梁包括顶层硅、中间氧化层和底层硅；SOI应变梁通过硅‑玻璃阳极键合固定在玻璃固定极上，玻璃固定极通过硅‑玻璃阳极键合固定在硅套管上，准直扩束光纤通过焊料固定在硅套管上；所述F‑P压力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，可以实现器件的微型化、批量化制作；应变计具有高精细度的F‑P干涉谱、可以采用波长信号解调获得高灵敏度和高测量精度而且可以通过波分复用和时分复用实现多只应变计在单芯光纤上的串接。

公开(公告)号：CN104596435B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201410729338.0

申请日：2014-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 钟少龙

IPC: G01B11/16 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种基于MEMS工艺的腔长可调光纤F‑P应变计，属于高精度光纤传感测量领域。所述光纤F‑P应变计主要包括F‑P应变敏感MEMS芯片和准直扩束光纤；其中，F‑P应变敏感MEMS芯片F‑P应变敏感MEMS芯片由SOI硅片和玻璃片组成，在SOI硅片的轴向设置有圆孔；SOI硅片通过硅‑玻璃阳极键合固定在玻璃片上；准直扩束光纤通过焊料固定在SOI硅片上的圆孔中。所述F‑P压力敏感MEMS芯片基于MEMS微加工技术制备，可以实现器件的微型化，并根据应变测量灵敏度、量程和波分组网等实际应用需要而灵活调整应变计F‑P腔的初始腔长；应变计具有高精细度的F‑P干涉谱、可以采用波长信号解调获得高灵敏度和高测量精度而且可以通过波分复用和时分复用实现多只应变计在单芯光纤上的串接。

公开(公告)号：CN106772752A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710040989.2

申请日：2017-01-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 郭智慧 ,  龙亮 ,  杨恒 ,  钟少龙

IPC: G02B5/28 ,  G02F1/025

CPC classification number: G02B5/28 ,  G02F1/025

Abstract: 本发明提供一种基于MEMS波长可调谐FP光纤滤波器及其制备方法，包括：1）提供半导体基底，在半导体基底的第一表面形成第一凹槽及第二凹槽；2）提供键合基底，在键合基底的第一表面形成第三凹槽；3）将半导体基底与键合基底键合；4）在键合基底内形成光纤安装孔；5）在半导体基底的第二表面形成光学增透膜；6）刻蚀半导体基底，以形成贯穿半导体基底的通孔；7）在通孔底部的键合基底的第一表面形成第一电极，在半导体基底的第二表面形成第二电极；8）释放可动质量块结构；9）在中心质量块的下表面形成光学高反膜。通过预设光纤安装孔，在降低驱动电压的同时，极大地增加在静电驱动模式下FP光纤滤波器腔长变化与电源选择之间的灵活性。

公开(公告)号：CN106443065A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610513007.2

申请日：2016-07-01

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 龙亮 ,  钟少龙 ,  郭智慧

IPC: G01P15/03

CPC classification number: G01P15/03

Abstract: 本发明提供一种高精度波长形加速度传感器及其制备方法，包括：1）提供第一半导体基底，在第一半导体基底的表面形成第一凹槽；2）提供第二半导体基底，在第二半导体基底的表面形成闪耀光栅结构；3）将第一半导体基底与第二半导体基底键合以形成键合基底；4）提供第一盖板，将第一盖板与键合基底键合；5）依据第一凹槽及闪耀光栅结构对键合基底进行刻蚀，以形成弹性扭转梁及惯性质量块；6）提供第二盖板，在第二盖板表面形成第二凹槽；7）将第二盖板与步骤5）得到的结构进行键合。本发明将加速度敏感单元与检测单元集成批量化制造，具有体积小、结构简单、成本低、封装简单等特点。

公开(公告)号：CN102798734B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201110137641.8

申请日：2011-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴亚明 ,  杨丹琼 ,  徐静 ,  钟少龙

IPC: G01P15/18 ,  G01P15/125 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种MEMS三轴加速度计及其制造方法。MEMS三轴加速度计包括敏感器件层、上盖板层和下支撑体层；敏感器件层与上盖板层、下支撑体层之间有间隙；敏感器件层包括支撑框体、弹性梁、三个独立的敏感质量块、可动梳齿、固定梳齿以及电极，敏感器件层中的三个独立的敏感质量块分别实现X、Y、Z三轴加速度信号的检测；每个方向的加速度传感器由相应的一个敏感质量块通过仅对检测方向敏感的弹性梁悬挂于支撑框体之间，每个敏感质量块上利用体硅加工工艺制作了多对可动梳齿，支撑框体相应地制作多对固定梳齿，以构成一对差分电容作为敏感电容；不同方向的差分梳齿电容对该方向的加速度信号的响应产生差分电容变化。