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公开(公告)号：CN103367473A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210092230.6
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101
Abstract: 本发明提供一种金属微腔光耦合太赫兹量子阱光子探测器，包括：半导体衬底、金属反射层、多量子阱结构、以及金属光栅。所述金属光栅、多量子阱结构与金属反射层组成法布里-珀罗结构的金属共振微腔，调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及多量子阱结构的厚度，使入射光子在腔体内形成符合法布里-珀罗结构的共振模，可以在金属共振微腔中形成强场区，提高了入射光的有效强度，进而提高器件的响应率、探测灵敏度和工作温度。本发明结构简单，效果显著，实用性强，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN101383305B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200710045700.2
申请日：2007-09-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种利用稀磁半导体测量多量子阱耦合的方法，其特征在于利用稀磁半导体中的巨塞曼分裂，用平行于生长方向的磁场调控阱深或垒高，对耦合多量子阱进行测量。并以Zn0.8Cd0.2/ZnSe对称耦合三量子阱为例，在理论上对实验方案的有效性进行了验证。利用本发明提供的方法，有效地降低了样品制备的要求和工作量，提高了实验精度。
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公开(公告)号：CN101257061A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810036127.3
申请日：2008-04-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/111 , G06F17/50
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器有源区结构的形成方法。其首先在单个周期内形成AlGaAs/GaAs多量子阱结构，所述多量子阱结构依次包括：宽势垒区、第一掺杂量子阱层、多组分势垒区、第二量子阱层、低势垒区、及第三量子阱层，并使宽势垒区中的Al组分值小于0.1，使多组分势垒区的高组分单层的Al组分值大于0.25，然后采用自洽的平面波展开方法，并在考虑Hartree势的影响下求解薛定谔方程，采用简化的散射模型，在考虑电子在准连续态时电子－声子、电子－杂质散射效应对光响应谱峰形的影响情况下，计算单周期结构的光电流谱，最后选择适合于特定探测波长的结构作为工作在太赫兹波段的光伏型量子阱探测器的有源区结构，由此可形成光伏型器件。
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公开(公告)号：CN114878848A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210442202.6
申请日：2022-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于微流控芯片进样的恒压泵，包括：支架；通过支架固定的活塞装置，其包括套筒，可沿竖直方向做往复运动的活塞杆，以及活塞装置出口；与活塞杆的尾端固定连接的转接架；与转接架两端连接的连接绳；悬挂于所述连接绳中部的配重块；以及与活塞装置出口连接的软管，所述软管的另一端与微流控芯片的气压接口连接；其中，当活塞杆的尾端朝上时，恒压泵为正压模式，可为微流控芯片提供恒定正压；当活塞杆的尾端朝下时，恒压泵为负压模式，可为微流控芯片提供恒定负压。本发明的恒压泵具有无需供电，压强可调节范围大，调节方便，压强值稳定可靠，可同时兼容正压进样和负压进样，结构简单紧凑，制造成本低的优点，适用于各种微流控芯片。
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公开(公告)号：CN105607140A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510954710.2
申请日：2015-12-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种太赫兹波快速旋转扫描成像系统及方法，该系统包括：太赫兹量子级联激光器、载物台、传输汇聚光路系统、太赫兹量子阱探测器、信号采集处理模块、同步控制模块及图像显示模块。本发明提出的太赫兹快速旋转扫描成像系统及方法，利用太赫兹量子级联激光器作为辐射源，光电导型太赫兹量子阱探测器作为探测器，采用自行设计的旋转台和平移台、信号传输汇聚光路和信号采集处理模块，完成了太赫兹快速扫描探测成像，使成像时长和成像效果均得到显著改善；本发明的太赫兹快速旋转扫描成像系统及方法实现了太赫兹扫描成像技术的实际应用，成功提高了成像速度和成像效果，对太赫兹成像技术的发展和推广有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102169016B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110001200.5
申请日：2011-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种连续激射型太赫兹量子级联激光器的功率测量装置及方法，该装置包括光源部分、光路部分和探测部分；光源部分包括冷头、安装于冷头内的热沉、安装于热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于冷头上用以使太赫兹光射出的聚乙烯窗片；光路部分包括第一离轴抛物镜和第二离轴抛物镜；第一离轴抛物镜收集经聚乙烯窗片射出的太赫兹光；第二离轴抛物镜接收经第一离轴抛物镜反射的太赫兹光；探测部分包括热探测器和示波器；热探测器接收第二离轴抛物镜反射的太赫兹光，并产生相应的电压信号；示波器对电压信号进行提取和显示获得电压信号幅度。本发明光路部分和探测部分可以在常温下进行测量，便于安装和测试。
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公开(公告)号：CN103367518A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210092931.X
申请日：2012-03-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0272 , H01L31/0304 , G01J1/42
Abstract: 本发明提供一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器，包括：半导体衬底、下电极、多量子阱结构、上电极、以及金属光栅。所述金属光栅用于实现入射光子的极性偏转，调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及上电极的电子掺杂浓度、上电极的厚度，能使入射光子与所述上电极中的电子相互作用以在所述上电极表面形成表面等离激元。由于器件厚度仅为2~5µm，在太赫兹频段处于亚波长范围，因而，表面等离激元对应的衰逝波在共振频率处能够提高器件子带吸收效率，并且提高器件响应率和工作温度。
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公开(公告)号：CN102749341A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210239697.9
申请日：2012-07-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于太赫兹量子器件的断层扫描成像系统和方法，系统包括太赫兹源部分、传输汇聚光路系统、旋转平行扫描台以及太赫兹信号检测部分，太赫兹源部分包括太赫兹量子级联激光器、驱动电源以及斩波扇；传输汇聚光路系统包括第一离轴抛面镜组和第二离轴抛面镜组；太赫兹信号检测部分包括太赫兹量子阱探测器、信号处理模块以及锁相放大器。方法为太赫兹量子级联激光器出射连续太赫兹波由斩波扇调制，被离轴抛面镜组汇聚于样品上，太赫兹波透过样品通过另一组抛面镜汇聚到太赫兹量子阱探测器上，产生响应光电流，将光电流信号转换成电压信号，通过低噪声放大器放大，由锁相放大器读出数据。本发明可以有效的获取了样品断层的图像信息。
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公开(公告)号：CN102445420A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110308833.0
申请日：2011-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/27
CPC classification number: G01N21/3581 , G01N2021/5973
Abstract: 本发明提供一种基于太赫兹量子器件的透射成像装置及成像方法，该装置包括光源部分、光路部分、检测部分；光源部分包括驱动电源、第一冷头、安装于第一冷头内的第一热沉、安装于第一热沉上的太赫兹量子级联激光器、安装于第一冷头上的第一聚乙烯窗片；光路部分包括第一离轴抛物镜、第二离轴抛物镜、二维电动平移台、第三离轴抛物镜、第四离轴抛物镜；检测部分包括第二冷头、安装于第二冷头上的第二聚乙烯窗片、安装于第二冷头内的第二热沉、安装于第二热沉上的太赫兹量子阱探测器、信号处理电路、示波器、计算机。本发明的优点在于采用的太赫兹辐射源可工作于脉冲模式，且作为信号检测器的太赫兹量子阱探测器可有效提高系统的成像速度和成像质量。
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公开(公告)号：CN101834227B
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010159044.0
申请日：2010-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种一维光栅太赫兹量子阱光电探测器响应率的优化方法，包括如下步骤：1)模拟正入射到器件表面的太赫兹光经过光栅后进入器件发生衍射的光场分布，计算一级衍射模垂直于器件表面方向的波长λ⊥；2)在器件机械性能允许的范围内减薄器件的衬底，使器件的总厚度L为所述波长λ⊥的整数倍。该方法可通过对器件衬底的研磨、抛光和腐蚀以实现器件中光场的最优化分布，同时设计合理的上电极层的厚度并适当增加量子阱层数可使多量子阱处于光场较强的区域，从而提高器件的性能，优化其响应率，对THz实时成像的研究和实现具有重要的意义。
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