公开(公告)号：CN107500277B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201710890641.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  陈令修 ,  贺立 ,  王慧山 ,  谢红 ,  王秀君 ,  谢晓明

IPC: C01B32/186

Abstract: 本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。

公开(公告)号：CN104992905A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510307155.4

申请日：2015-06-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王浩敏 ,  谢红 ,  贺立 ,  王慧山 ,  陈令修 ,  李蕾 ,  吴天如 ,  张道礼 ,  谢晓明 ,  江绵恒

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/30612

Abstract: 本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预设刻蚀图形内沉积金属层；S4：剥离所述掩膜层及其表面的金属层；S5：对所述六角氮化硼衬底进行退火，然后去除所述预设刻蚀图形内的金属层，在所述六角氮化硼衬底表面得到单层氮化硼原子厚度的台阶。本发明不仅可以控制六角氮化硼图形化的形状，大小，还可以选择刻蚀区域，同时可以通过反复刻蚀，控制刻蚀台阶的高度，解决了基于六角氮化硼薄膜器件的图形化加工难题。