公开(公告)号：CN102751319B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210230324.5

申请日：2012-07-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈小刚 ,  饶峰 ,  王玉婵 ,  陈后鹏 ,  陈一峰 ,  许林海 ,  宋志棠 ,  周密 ,  王月青

IPC: H01L29/221 ,  H01L21/334 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了一种基于硫系化合物的浪涌保护器件，该浪涌保护器件包括下电极（2）、位于该下电极（2）上的下加热电极（3）、位于下加热电极（3）上的硫系化合物薄膜（5）以及位于所述硫系化合物薄膜（5）上的上电极（6）；所述硫系化合物薄膜（5）下部通过下加热电极（3）与下电极（2）达成电性连接；所述硫系化合物薄膜（5）上部与上电极（6）达成电性连接。本发明还提供一种基于硫系化合物的浪涌保护器件的制备方法。本发明器件利用硫系化合物所特用的阈值导通特性实现过压保护，概念新颖，结构简单，是一种过电保护响应速度极快，抑制过压能力极强的浪涌保护器件。

公开(公告)号：CN105742490A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610140946.7

申请日：2016-03-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 卢瑶瑶 ,  蔡道林 ,  陈一峰 ,  宋志棠 ,  王月青 ,  魏宏阳 ,  霍如如

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233

Abstract: 本发明提供一种提高相变存储器数据保持力的相变材料层结构，所述结构至少包括：相变基体材料层和形成在所述相变基体材料层中心区域的掺杂层。通过使中心区域的掺杂层结晶温度升高，来抑制非晶态的中心区域在小电流干扰下结晶，从而提高相变存储器的数据保持力。掺杂注入区域的直径要小于加热电极的直径，中心区域的相变材料进行掺杂后结晶温度高于两侧未掺杂的相变材料，在小电流干扰时，此掺杂区域不易结晶，使相变存储器高阻态保持时间延长。而正常电操作SET时，结晶区域在相变材料层中加热电极的边缘，边缘区域结晶温度较低，因此本发明的相变材料层在中心区域掺杂后不会影响正常的电操作。

公开(公告)号：CN104317753A

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201410562409.2

申请日：2014-10-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王月青 ,  陈小刚 ,  蔡道林 ,  宋志棠 ,  李喜 ,  陈一峰

IPC: G06F13/28 ,  G06F12/06

Abstract: 本发明提供一种存储设备及其数据读写方法，其中，所述存储设备至少包括：相变存储器芯片；耦合到所述相变存储器芯片的相变存储器接口控制模块；耦合到外部设备的SD接口控制模块；以及耦合到所述相变存储器接口控制模块和所述SD接口控制模块的存储控制器，用于响应来自于所述SD接口控制模块的数据读取或写入命令，并通过所述相变存储器接口控制模块控制对所述相变存储器芯片的读取或写入。本发明的存储设备为基于相变存储器的SD卡，采用相变存储器芯片作为存储介质，可以进行随机读写。另外，相较于FLASH，坏块管理和ECC纠错等操作也更加简单，实现了坏块屏蔽功能，且具有抗疲劳的特点。