公开(公告)号：CN103924207A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310009300.1

申请日：2013-01-10

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  陈志蓥 ,  王彬 ,  张浩然

IPC: C23C16/26

Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入无氧反应器中，抽真空并通入惰性气体，加热使泡沫铜达到一定反应温度；向无氧反应器中通入含碳气体，在一定气压下反应一定时间，待炉内温度冷却至室温，得到的泡沫铜表面覆盖了一层致密的超薄碳膜，使得泡沫铜在较高温度下的抗氧化能力与未处理前相比明显提高，并且不会对泡沫铜的其他各种物理参数造成明显影响。本发明重复性高、简单易行。

公开(公告)号：CN103353437A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310236946.3

申请日：2013-06-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  陈志蓥 ,  王彬 ,  张浩然

IPC: G01N21/00

Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入密闭腔体中，抽真空后通入惰性气体，然后加热，再通入与石墨烯反应的气体，待反应结束后停止加热，停止通入反应气体，保持惰性气体保护，最后降至室温，置于光学镜下观察即可。本发明的观察方法重复性高、简单易行；本发明通过选择性刻蚀的方法，使CVD石墨烯表面褶皱附近的石墨烯大量去除，从而通过低放大倍数的光学显微镜就可以观察到纳米级褶皱的分布情况。

公开(公告)号：CN103352210A

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201310253516.2

申请日：2013-06-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张燕辉 ,  于广辉 ,  陈志蓥 ,  王彬 ,  张浩然

IPC: C23C16/56 ,  C23C16/26 ,  G01N1/32

Abstract: 本发明涉及一种直观显示金属衬底上CVD石墨烯表面缺陷分布的方法，包括：将未转移的CVD石墨烯连同金属衬底一起放入氧化性溶液中，石墨烯褶皱以及其他缺陷处的金属衬底会被氧化，然后将氧化后的CVD石墨烯连同金属衬底置于光学显微镜下观察即可。本发明的方法重复性高、简单易行；本发明可以使处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到纳米级缺陷分布在低放大倍数光学显微镜下清晰显现出来。