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公开(公告)号：CN102570018B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110434081.2
申请日：2011-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在硅基上基于BCB/Au的集成贴片天线的制作方法。其特征在于衬底硅上刻蚀深槽以增加介电材料厚度，从而增加天线带宽；槽中填充的材料与传输线的介电材料相同，均为低介电常数的BCB。制作工艺为：首先在硅基上刻蚀一个深槽来增加介电材料的厚度，溅射一层种子层，电镀金，作为天线的地平面；在槽中填充介电材料，控制温度进行固化；然后打Au柱作为过孔引出地线；再涂覆一层BCB介电材料，固化后进行CMP减薄抛光，增加表面平整度，并使过孔露出；最后在BCB上光刻电镀出天线的图形。此种制作方法使天线和集成电路做在一起，减小了体积，提高了可靠性，同时减小了天线发射模块和天线之间的传输距离，减小了传输损耗。
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公开(公告)号：CN102097672A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010522672.0
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01P11/00 , H01L21/768 , H01P3/06
Abstract: 本发明涉及一种用于微波频段穿硅同轴线的制作方法，其特征在于在硅片(1)的A面氧化层上光刻出同轴线图形，使用深反应离子体刻蚀工艺刻蚀出同轴线通孔，同轴线通孔的深度小于硅片的厚度；在硅片(2)的A面上溅射种子层，再覆盖一层光敏BCB，经过光刻得到同轴线的电镀图形，然后使用BCB键合工艺将硅片(1)和(2)的A面对准并低温键合；使用化学机械抛光工艺将硅片(1)的B面研磨至露出通孔，电镀同轴线；最后将硅片(2)从B面磨掉，去除种子层金属。本发明采用光刻等与微电子工艺相兼容的圆片级工艺，保证了传输线的精度，能实现大批量制造。该穿硅同轴传输线降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免了穿硅传输线损耗过大。
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公开(公告)号：CN102610539B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210015978.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成pn结测量多芯片埋置型高密度封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中分别掺杂磷和硼，利用pn结的导通电压随温度变化的特性来测量芯片接面温度。根据需要选择并控制掺杂剂量和结深。先在衬底上埋置槽内光刻出p型掺杂区并掺杂硼，然后再光刻形成n+掺杂区并掺杂磷，然后淀积金属，光刻腐蚀形成引线焊盘和金属布线。通过控制掺杂剂量和结深调节线性测温范围；通过pn结阵列可以实时获取芯片接面温度和热分布情况。本发明采用了喷胶光刻工艺来形成从埋置槽底部向硅圆片表面的爬坡引线。该工艺采用了光刻等于微电子工艺相兼容的工艺，工艺步骤简单，工艺周期较短。
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公开(公告)号：CN103203925A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210013248.2
申请日：2012-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G03F7/027 , H01L21/311 , H01L23/3171 , H01L23/49894 , H01L23/5329 , H01L23/562 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种提升光敏BCB薄膜可靠性的方法，该方法首先提供一衬底，在所述衬底表面涂覆一层粘附剂；而后在所述粘附剂的表面涂覆光敏BCB，并光刻所述光敏BCB直至暴露出衬底，按前述相同手段并根据所需层数制备出至少一层的多个光敏BCB单元，形成作为介质层的BCB薄膜。本发明一方面减少升温降温过程中出现的热应力，降低了热应力对整片衬底的翘曲影响，同时由于光敏BCB单元间的热应力减少，从而单个光敏BCB单元产生的裂纹或其它可靠性问题不会蔓延到所有光敏BCB单元；另一方面，光刻形成的无BCB覆盖的槽，可作为划片道使用，以减少在划片时出现的BCB脱落的情况，即在不增加成本的前提下，有效地提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN103066040A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324618.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
CPC classification number: H01P3/06 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/66 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01P11/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏蔽层，接地TSV和TSV芯之间的硅片正反两面均使用填充有低介电常数聚合物的隔离槽；接地通孔的数量、尺寸和距离根据实际的应用频段通过仿真确定，以此结构实现微波频段硅片两面互连。使用穿硅传输结构降低了高密度三维封装中信号在通过硅片时微波性能受到的影响，避免损耗过大。该工艺步骤简单，与其他工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103065985A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110324631.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/60 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法，其特征在于在制作好晶圆正面之后，在背面先进行表面处理，先涂覆BCB的增粘剂，再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB，使用烘箱进行前烘，光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘，根据显影检测工艺确定显影时间并显影，甩干或吹干，进行显影后软烘，最后放入烘箱进行固化，等离子体处理残胶。使用穿硅通孔TSB作为双面布线的连线，形成层间互连，层间互连是由背面光敏BCB光刻显形形成锥台形通孔。所述的方法适用于高频应用，运用这种方法，可在晶圆正面制造有源或无源器件之后，直接在背面BCB介质层上集成微波无源器件，而不占用晶圆正面的面积，不影响正面器件的性能，与集成电路工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102723306A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210219229.5
申请日：2012-06-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L25/00 , H01L23/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法，该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构，在需要集成MMIC芯片时，不必在布线之前就埋入衬底，其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时，在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温退火等工艺可以在MMIC集成之前使用，需要使用特殊工艺的元器件可以在衬底的另一面事先组装和集成。因而包括有源和无源器件、MEMS器件、以及光电器件等的衬底在集成MMIC之前可以很方便地大规模制造，并且工艺相对简单，成本降低，是目前极为先进、可靠的制造方法。
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公开(公告)号：CN102593024A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210015989.4
申请日：2012-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种利用集成电阻测量多芯片埋置型封装芯片接面温度的方法，其特征在于在芯片接面即衬底上的埋置槽中制造集成热敏电阻，利用热敏电阻的阻值随温度变化的特性来测量芯片接面温度。电阻种类可根据需要、性能和成本进行选择，以制造薄膜电阻为例，先在衬底上形成一层氧化层，然后淀积电阻材料，光刻腐蚀形成电阻图形和金属布线，不影响电阻的连接。然后再在衬底表明形成一层钝化层，保护电阻不受外界影响。通过光刻腐蚀开出焊盘窗口。测量前，先对热敏电阻做温度标定，在30～120℃区间作出温度-阻值特性曲线。测量时，先热敏电阻焊盘连接到测试仪器上测电阻；然后，将测试样品放入恒温箱内，待温度稳定后测量电阻值，从而根据温度-阻值特性曲线推算出接面温度值。
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公开(公告)号：CN102424355A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110363816.7
申请日：2011-11-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在圆片级射频封装中增强介质层BCB和金属层Au之间粘附性的方法。其特征在于，不需用添加其它粘附材料，只通过工艺参数的选择及优化，增强了BCB和金属层Au的粘附性。其主要步骤为：首先，对介质层BCB进行表面预处理，然后选择及控制溅射的种子层金属类型和种子层的厚度。在溅射完成后，进行退火处理，增加BCB和Au接触面的结合度，最后，在电镀后再做一次退火处理，以减小电镀后产生的应力。通过以上步骤，使BCB和Au之间的粘附性得到很大提高，适用于圆片级射频封装。本发明提供的工艺方法，工艺简单，成本低廉优点。
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公开(公告)号：CN102110673A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010523659.7
申请日：2010-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/3025
Abstract: 本发明涉及一种光敏BCB为介质层的圆片级MMCM封装结构及方法，其特征在于：1)在硅基板上制作出带有埋置腔体和金属地屏蔽层；2)使用光敏BCB作为介质层，利用光刻显影工艺在BCB形成互连通孔结构；3)金属层和介质层交替出现形成多层互连封装结构。所述的方法是在硅基板上腐蚀或刻蚀出埋置用腔体，溅射金属种子层并电镀形成GND，埋入MMIC芯片，使用导电胶粘结芯片与基板，涂敷光敏BCB并光刻显影出互连通孔图形，固化等工艺步骤，实现多层MMCM封装。所述的介质层厚度为20-35μm。在多层互连结构中还可集成电容、电阻、电感、功分器和天线无源器件，或者通过表面贴装工艺集成分立元器件，实现模块的功能化。
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