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公开(公告)号：CN111834520B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010603852.5
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/312 , H01L41/33 , H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用键合技术将压电单晶晶片其中注入的一面与支撑材料绑定，其键合温度高于后续退火剥离温度，将得到的键合晶圆在低于键合温度的条件下进行退火处理，一段时间后实现压电薄膜的剥离与转移，然后对转移后的压电薄膜进行后处理，得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。相对于现有技术，本发明提出的表面均匀性优化的压电单晶薄膜制备方法，利用高温键合工艺使压电衬底与支撑衬底在高温下键合，在低于键合温度的条件下实现衬底间在张应力的条件下实现薄膜的剥离与转移，最终得到薄膜均匀性优化后的晶圆级压电薄膜。
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公开(公告)号：CN111834279B
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202010604763.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L37/02
Abstract: 本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；对第一键合整体进行升温处理，使得绝缘层的第二表面与半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体；在此基础上，本申请还提供一种解键合方法、载片结构及应用；本申请利用热释电材料实现对半导体晶圆片的临时键合，方法简单无需增加临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，不仅避免了半导体晶圆片的脏污；而且能够极大地提高半导体晶圆片器件工艺的一致性，有利于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111834519A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010603630.3
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/257 , H01L41/332 , H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，属于半导体制造技术领域。本发明的提高单晶压电薄膜厚度均匀性的方法，根据支撑衬底上的单晶压电薄膜的厚度分布进行极化处理，在第一厚度区形成第一极化面，在厚度比该第一厚度区薄的第二厚度区形成第二极化面，第一极化面与第二极化面的极性相反，利用压电单晶材料的各向异性特性，在相同的腐蚀液下，对厚度较厚区域的极化得到的第一极化面实现较快的腐蚀速率，对厚度较薄区域极化得到的第二极化面实现较慢的腐蚀速率，从而实现单晶压电薄膜不同极化面的差异化腐蚀。相对于现有技术，本发明可以实现对单晶压电薄膜厚度均匀性的优化，大大提高了单晶压电薄膜厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN111834279A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010604763.2
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/683 , H01L37/02
Abstract: 本申请提供一种临时键合方法，包括：提供临时载片，临时载片采用热释电材料制得；将绝缘层的第一表面覆于临时载片上；对绝缘层的第二表面进行平坦化处理，第二表面远离第一表面；对半导体晶圆片与经平坦化处理后的绝缘层的第二表面在第一条件下进行键合，形成第一键合整体；对第一键合整体进行升温处理，使得绝缘层的第二表面与半导体晶圆片完全键合形成第二键合整体；在此基础上，本申请还提供一种解键合方法、载片结构及应用；本申请利用热释电材料实现对半导体晶圆片的临时键合，方法简单无需增加临时键合过渡层或涂敷绝缘胶层，不仅避免了半导体晶圆片的脏污；而且能够极大地提高半导体晶圆片器件工艺的一致性，有利于提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111383915A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811619162.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底及第二衬底，第一衬底具有第一键合面，第二衬底具有第二键合面，将第一键合面与第二键合面在键合温度下进行键合处理；在退火处理温度下进行退火处理；进行冷却处理，以降温至第一温度，第一温度低于键合温度；调整上步得到结构的温度至室温，以得到由处理后的第一衬底及第二衬底构成的异质键合结构。本发明提供一种异质键合结构的制备方法，在进行退火处理加固之后，对加固后的结构进行冷却处理，冷却至键合温度以下，从而使得冷却处理过程中产生与加热过程中相反的热应力，降低了异质键合结构内部的残余热应力，从而可以降低因应力引发的键合结构的翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111864046B
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202010603835.1
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L37/02 , H01L21/683 , H01L23/544 , G01J5/12
Abstract: 本申请提供一种热释电红外探测器的制备方法，包括：提供热释电衬底和支撑衬底；对热释电衬底进行第一预处理，在热释电衬底内构造损伤层，在热释电衬底表面形成第一电极；对支撑衬底进行第二预处理，在支撑衬底上形成锚点；将热释电衬底和支撑衬底进行键合，形成第一电极分别位于对应的锚点内的键合整体；将热释电衬底自损伤层处剥离，保留位于支撑衬底上的热释电薄膜；在热释电薄膜上沉积第二金属层并图形化处理形成第二电极；对形成有第二电极的键合整体进行封装处理，得到热释电红外探测器；本申请提供的制备方法简单，无需增加临时键合过渡层等材料；且热释电衬底与支撑衬底之间键合连接稳固；并且还能够提高热释电红外探测器的响应率。
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公开(公告)号：CN111834518B
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202010603087.7
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L41/08 , H01L41/312 , H01L21/683
Abstract: 本发明公开了一种多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜及其制备方法，属于半导体制造技术领域。本发明的多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜，从下至上依次包括硅衬底、绝缘层、顶层硅层、顶层二氧化硅层和压电单晶薄膜，多层膜结构衬底由绝缘体上硅衬底进行热氧化处理得到，压电单晶薄膜由压电单晶衬底依次通过离子注入、晶圆键合工艺转移至多层膜结构衬底上得到。本发明的多层膜结构衬底各层薄膜致密，厚度一致性优良，厚度可控；压电单晶薄膜厚度可控，且厚度一致性优良；利用本发明的多层膜结构衬底上的压电单晶薄膜制备的声表面滤波器件具有机电耦合系数高，带宽大的优点，同时器件一致性较好，工艺稳定，良率高。
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公开(公告)号：CN111383914B
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201811619146.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法，翘曲度调节方法包括：提供具有第一键合面的第一衬底及具有第二键合面的第二衬底，将第一键合面与第二键合面进行键合处理，以于键合结构中产生第一热应力；对键合结构进行固键退火处理，以产生第二热应力；将键合结构降温至第一温度，以产生第三热应力，第一温度小于键合温度且大于等于室温，第一热应力、第二热应力及第三热应力三者中至少两者的方向相反，以实现异质键合结构的翘曲度的调节，本发明通过调节键合过程中、固键退火过程及冷却过程中的热应力，达到调节键合结构翘曲度的问题，并可以通过翘曲度的调节，在后续键合结构加工中获得具有低翘曲度的异质键合片。
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公开(公告)号：CN111817681A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010603082.4
申请日：2020-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种薄膜体声波谐振器的制备方法，涉及半导体器件技术领域。本发明的薄膜体声波谐振器的制备方法，包括以下步骤：对压电单晶衬底的正面进行离子注入形成注入损伤层，在压电单晶衬底的正面进行金属沉积，并图案化；在衬底晶圆的正面进行刻蚀，并图案化；将压电单晶衬底的正面与衬底晶圆的正面进行键合，形成键合结构；对键合结构进行退火处理，使键合结构沿注入损伤层剥离，得到位于衬底晶圆上的压电单晶薄膜；在压电单晶薄膜的表面制作电极，得到薄膜体声波谐振器。本发明可以实现衬底晶圆上的特定厚度薄膜的转移，解决了压电单晶薄膜的厚度不均匀性的问题，本发明制备的薄膜体声波谐振器的器件性能稳定，良率高。
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公开(公告)号：CN111383914A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811619146.9
申请日：2018-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/18 , H01L21/324 , H01L21/302
Abstract: 本发明提供一种异质键合结构翘曲度的调节方法及后处理方法，翘曲度调节方法包括：提供具有第一键合面的第一衬底及具有第二键合面的第二衬底，将第一键合面与第二键合面进行键合处理，以于键合结构中产生第一热应力；对键合结构进行固键退火处理，以产生第二热应力；将键合结构降温至第一温度，以产生第三热应力，第一温度小于键合温度且大于等于室温，第一热应力、第二热应力及第三热应力三者中至少两者的方向相反，以实现异质键合结构的翘曲度的调节，本发明通过调节键合过程中、固键退火过程及冷却过程中的热应力，达到调节键合结构翘曲度的问题，并可以通过翘曲度的调节，在后续键合结构加工中获得具有低翘曲度的异质键合片。
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