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公开(公告)号：CN112688657B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202011560361.3
申请日：2020-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器及其制备方法，所述制备方法包括：提供一压电材料层；于压电材料层的至少部分上表面进行离子注入并后退火处理，以于压电材料层中预设深度处形成具有预设厚度的高缺陷密度损伤层；于压电材料层上表面形成至少一个暴露高缺陷密度损伤层的腐蚀窗口；基于腐蚀窗口去除至少部分高缺陷密度损伤层，以于压电材料层中形成空气隙；其中，空气隙将压电材料层分为压电衬底及压电薄膜，压电薄膜位于空气隙的上方，压电薄膜与压电衬底在空气隙的边缘处具有接触；于压电薄膜上表面形成图案化电极。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法，解决了现有声波谐振器无法满足5G通信需求的问题。
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公开(公告)号：CN113381724B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110750879.1
申请日：2021-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法，所述体声波谐振器包括：支撑衬底；压电层，形成于所述支撑衬底的上表面，所述压电层中形成有基于刻蚀孔定义的图案化有源区，所述刻蚀孔暴露出所述支撑衬底的上表面；一对顶电极，形成于所述压电层的上表面，且至少形成于所述图案化有源区的相对两侧。通过本发明提供的体声波谐振器及其制备方法，解决了现有体声波谐振器在激发主模的同时存在其他杂波的问题。
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公开(公告)号：CN116599481A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310682115.2
申请日：2023-06-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件领域，特别涉及一种声波谐振器的制备方法及声波谐振器。通过利用同一种工艺制备得到两个压电结构；每个压电结构包括由下至上依次设置的支撑衬底和压电薄膜层；两个压电薄膜层的厚度的差值小于或者等于20％的预设压电薄膜层的厚度；预设压电薄膜层为两个压电薄膜层中较厚的压电薄膜层；对两个压电结构进行键合，得到键合结构；两个压电薄膜层位于键合结构的中层区域；去除键合结构中的任一个支撑衬底；在支撑衬底靠近保留的压电结构中的压电薄膜层的区域制备空腔，以使压电薄膜层悬空。本申请提供的该异质集成结构中的对称互补的压电薄膜能够抵消这两个压电薄膜层总体的内部应力，从而提高器件性能。
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公开(公告)号：CN116007484A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202211598955.2
申请日：2022-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种微结构测量方法、装置、电子设备及存储介质，包括在待检测样品表面设置声学负载层，声学负载层是胶体形式的物质，基于谐振结构阵列对待检测样品进行测试，得到待检测样品表面的声学负载层的多个厚度数据，从多个厚度数据中确定声学负载层的目标厚度数据，目标厚度数据为多个厚度数据中的最大值，基于目标厚度数据与非目标厚度数据确定待检测样品的表面凸起的厚度数据，非目标厚度数据为多个厚度数据中除去目标厚度数据的厚度数据。本申请实施例基于高阶泛音体声波谐振器的声学负载周期性调制原理，实现对待测表面的厚度信息的测量，这种方法具有可靠性高，对待检测样品表面没有损耗的特点。
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公开(公告)号：CN115347877A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210909089.8
申请日：2022-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于压电衬底的多模式谐振器和多通带滤波器，其中，多模式谐振器包括：衬底层；单晶压电层，位于所述衬底层上；图案化电极组件，位于所述单晶压电层上；图案化介质膜，位于所述单晶压电层和/或图案化电极组件上，用于实现单个谐振模式到多个谐振模式的变换。本发明通过在压电衬底表面设计覆膜，能够通过单个谐振器激发并利用多个模式的谐振响应，并获得同时对多通带响应的滤波器，而无需大面积的多个滤波器集成，减小了器件面积，优化了散热途径，增大了设计自由度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114124022A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111437684.8
申请日：2021-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种增强散热的悬空谐振器及制备方法，包括导热支撑衬底、位于导热支撑衬底上方的单晶压电层、设置于单晶压电层上的图案化电极换能器组件；导热支撑衬底中设置位于单晶压电层下方的悬空腔体，悬空腔体的形状通过图案化离子注入形成，图案化电极换能器组件包括第一区域和第二区域，且悬空腔体的横截面与第一区域的横截面相匹配，以使得第一区域对应的单晶压电层悬空，第二区域对应的单晶压电层不悬空。本发明通过在单晶压电层下方设置部分悬空的悬空腔体，能够激发并利用具有大机电耦合系数的高声速声波模式，避免声波能量向衬底的泄露；同时，在第二区域内与导热支撑衬底紧密接触，大大改善器件的散热性能、功率容量及机械稳定性。
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公开(公告)号：CN112272015A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011240566.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明提供一种声波谐振器，包括：底电极、压电膜结构及顶电极；其中，压电膜结构包括至少两层叠置的压电膜，相邻两层压电膜之间具有不同的欧拉角；当在压电膜结构中激发厚度剪切波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电向量 均满足模长 且相邻两层压电膜的压电向量位于不同象限；当在压电膜结构中激发厚度伸缩波时，各所述压电膜在各自欧拉角下的压电系数e33的绝对值均大于0.5C/m2，且相邻两层压电膜的压电系数e33符号相反。通过本发明提供的声波谐振器，解决了现有技术中通过降低压电膜厚度来提高声波谐振器工作频率所导致的器件机械结构稳定性差的问题。
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公开(公告)号：CN113676152B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202110987487.7
申请日：2021-08-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种弹性波谐振器及其制备方法。该弹性波谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、压电薄膜和叉指电极结构；该支撑衬底上设有孔；该叉指电极结构包括第一总线、第二总线、第一叉指电极和第二叉指电极；该第一总线的第一端与该第二总线的第一端相对，且存在预设距离；该第一叉指电极设于该第一总线上；该第二叉指电极设于该第二总线上；该第一叉指电极的形状和该第二叉指电极的形状为弧形。从而使得该弹性波谐振器不仅能够有效获得高阶兰姆波的模式，且有效抑制其他杂散模式的基础上，提高器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN113630101B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110944319.X
申请日：2021-08-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。
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公开(公告)号：CN115021705B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202210742047.X
申请日：2022-06-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。
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