公开(公告)号：CN1599052A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03151098.1

申请日：2003-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  梁军 ,  劳燕锋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺，属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层，MIS结构为：金属电极－MgZnO晶体薄膜－Si单晶－金属电极或金属电极－MgZnO晶体薄膜－SiO2－Si单晶－金属电极；MgZnO绝缘层的厚度可根据MIS器件的要求在1nm～500nm选择。其制作方法是采用光刻和化学湿法腐蚀。来发明优点是能直接在单晶Si上生长与单晶Si具有相类似的fcc晶体结构，禁带宽度大而且可调，介电常数高，因此具有大的等效厚度，工艺可与硅半导体工艺兼容，为解决半导体工业在大规模集成电路制作方面面临的小尺寸问题提供一种新的途径。

公开(公告)号：CN1588612A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410052711.X

申请日：2004-07-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  郝幼生

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500－700℃，键合后退火，持续30－40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率接近100％，键合后InP－GaAs交界面并不会使键合后整个材料结构的光学和电性能变差。

公开(公告)号：CN101295753B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200710039882.2

申请日：2007-04-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 谢正生 ,  吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  曹萌 ,  黄占超

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明提供了一种用于III-V族化合物半导体光电器件结构制作的低温Au-In-Au金属键合方法。其特征在于所述的金属键合过程包括：蒸镀金属膜、低温键合将器件结构金属键合到Si衬底上、腐蚀去除外延片衬底。所述的方法的关键是：蒸镀合适的金属膜以及低温键合过程中合适的外加压力、退火温度和退火时间。该技术中蒸镀的金属膜有利于改善光电器件的光学热学性质，同时整合了III-V族InP或GaAs基化合物半导体材料和Si材料的各自优点，实现了衬底倒扣，为器件制作的后步工艺打下了基础。低温键合牢靠，且键合过程不会使键合后器件结构的原有的光学和电学性能变差，有利于器件结构的制作。有望在金属波导及其它半导体光电器件制作中得到广泛应用。