公开(公告)号：CN100356507C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200410052711.X

申请日：2004-07-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  郝幼生

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500—700℃，键合后退火，持续30—40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率接近100%，键合后InP-GaAs交界面并不会使键合后整个材料结构的光学和电性能变差。

公开(公告)号：CN1588612A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410052711.X

申请日：2004-07-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  郝幼生

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500－700℃，键合后退火，持续30－40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率接近100％，键合后InP－GaAs交界面并不会使键合后整个材料结构的光学和电性能变差。