公开(公告)号：CN1780004A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510030638.0

申请日：2005-10-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  黄占超 ,  劳燕锋 ,  刘成 ,  齐鸣 ,  封松林

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18 ,  H01S5/10

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种垂直腔型半导体光电子器件，其特征在于将隧道结置于垂直腔型半导体光电子器件的微腔中，利用隧道结的反向电流遂穿特性，实现用N型的分布反馈布拉格腔镜(DBR)取代P型的DBR腔镜，能有效降低垂直腔器件的串联电阻，限制侧向电流的扩散，提高电流注入有源区的均匀性，降低器件的阈值电流密度，改善器件的热特性，隧道结的材料采用均匀掺杂或多次δ掺杂，垂直腔型半导体光电子器件的顶部和底部腔镜采用III－V族半导体多层薄膜膜构成的DBR、光学介质膜DBR、高反射率金属膜、半导体薄膜/空气隙DBR中的一种，或他们的组合；微腔中的有源区采用MBE或MOCVD生长的InGaAs、InGaAsP、AlGaInAs或InGaNAs系列量子阱。

公开(公告)号：CN1599052A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03151098.1

申请日：2003-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  梁军 ,  劳燕锋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺，属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层，MIS结构为：金属电极－MgZnO晶体薄膜－Si单晶－金属电极或金属电极－MgZnO晶体薄膜－SiO2－Si单晶－金属电极；MgZnO绝缘层的厚度可根据MIS器件的要求在1nm～500nm选择。其制作方法是采用光刻和化学湿法腐蚀。来发明优点是能直接在单晶Si上生长与单晶Si具有相类似的fcc晶体结构，禁带宽度大而且可调，介电常数高，因此具有大的等效厚度，工艺可与硅半导体工艺兼容，为解决半导体工业在大规模集成电路制作方面面临的小尺寸问题提供一种新的途径。

公开(公告)号：CN1588612A

公开(公告)日：2005-03-02

申请号：CN200410052711.X

申请日：2004-07-09

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  劳燕锋 ,  郝幼生

IPC: H01L21/00 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

Abstract: 本发明涉及一种InP和GaAs的直接键合方法，包括表面清洁、叠片和高温退火三个工艺过程，其特征在于直接键合的工艺是在键合前InP和GaAs表面两次去氧化物层，然后不经高纯氮吹干而直接放入还原性氮水中浸泡，浸泡后直接放入防氧化的甲醇溶液中，叠片在甲醇溶液中进行，将InP的抛光面朝下置于GaAs抛光面的正上方，将InP和GaAs边与边对齐叠合在一起；键合温度在500－700℃，键合后退火，持续30－40分钟，键合和退火均在氮气保护下进行的。本发明一次可键合多片且键合时压力可调，键合温度低于文献报道，键合成功率接近100％，键合后InP－GaAs交界面并不会使键合后整个材料结构的光学和电性能变差。