一种高性能水性无机涂料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103483884B

    公开(公告)日:2015-12-09

    申请号:CN201310442795.7

    申请日:2013-09-25

    Abstract: 本发明涉及化学工程领域,特别是涉及一种高性能水性无机涂料及其制备方法。本发明提供一种高性能水性无机涂料,所述高性能水性无机涂料的原料按重量份计,包括如下组分:硅溶胶20~35份;聚合物溶液5~15份;颜料5~15份;填充剂15~30份;消泡剂0.5~1.5份;成膜助剂1~2份;增稠剂0.05~0.5份;水20~35份。本发明所提供的水性无机涂料,在引入有机高分子溶液的同时,优化了颜料、填料、消泡剂及成膜助剂的比例,得到了对环境无害、显著的强粘附性、优异的流平性及光泽性等特点的高性能水性无机涂料。此制备方法简单可靠、成本低廉,非常适用于工业生产和应用。

    一种含多孔二氧化硅磨料的抛光液及其制备方法

    公开(公告)号:CN104559927A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410838043.7

    申请日:2014-12-25

    Abstract: 本发明提供一种多孔二氧化硅颗粒以及含有所述多孔二氧化硅颗粒的化学机械抛光液,所述多孔二氧化硅颗粒通过如下方法制备获得:采用聚乙烯吡咯烷酮作为保护剂吸附于二氧化硅实心球颗粒表面,再利用氢氧化钠刻蚀形成表面具有多孔结构的多孔二氧化硅颗粒。本发明采用表面保护和刻蚀的方法制备获得的多孔二氧化硅可用于抛光液的磨料,所采用的表面保护剂为抛光液中所需要的成分或不影响抛光性能的成分,该方法不需要经过高温过程,保持了二氧化硅溶胶良好的分散性和稳定性,抛光液中的化学成分可有效地吸附在二氧化硅表面,增强磨料的化学活性,提高抛光效率。

    一种化学机械抛光液
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104559800A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410857244.1

    申请日:2014-12-30

    Inventor: 刘卫丽 侯蕾

    CPC classification number: C09G1/02

    Abstract: 一种化学机械抛光液,以所述化学机械抛光液的总质量计,所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量:无机研磨剂0.1~50wt%、氨羧型螯合剂0.01~5wt%、余量为pH调节剂和水。本发明化学机械抛光液的有益效果为:通过本发明提供的化学机械抛光液可以显著提高抛光速率,其抛光速率是现有技术中化学机械抛光液的至少1.5倍;应用于蓝宝石衬底时衬底材料表面无划痕、粗糙度显著降低;能够实现对蓝宝石材料的高效抛光处理,使得蓝宝石衬底及窗口片能够工业化生产。

    一种线状纳米二氧化硅溶胶及其制备方法

    公开(公告)号:CN104556060A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410854330.7

    申请日:2014-12-30

    Abstract: 本发明涉及CMP技术抛光领域,特别是涉及一种线形二氧化硅溶胶及其制备方法。本发明提供一种线状二氧化硅溶胶,包括液体介质和溶胶颗粒,所述溶胶颗粒为线状二氧化硅颗粒。本产品的有益效果是:通过特选的酸性溶液与处理方法,形成线状二氧化硅溶胶。由于二氧化硅胶体颗粒为线状,其在芯片上的拖曳面积比单一球状的粒子要显著增大,故而能够提高抛光速率。同时,由于线状二氧化硅颗粒自身有一定的柔软度,对芯片的损伤也较煅烧二氧化硅较小。使用本发明的线状纳米二氧化硅颗粒作为CMP研磨颗粒,能有效提高抛光速率与降低表面损伤。

    一种相变材料化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN103497688B

    公开(公告)日:2015-03-11

    申请号:CN201310462116.2

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法,包括如下步骤:1)提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有第一电介质层,在所述第一电介质层形成底部电极,再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层;2)所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺,形成柱形开孔,使底部电极暴露;3)在所述柱形开孔中填充相变材料,并将柱形开孔填满;4)利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料;5)在第二电介质层上生长一层第三电介质层;6)利用化学机械抛光去除第三电介质层;本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差,即减少碟形坑。

    一种相变材料化学机械抛光方法

    公开(公告)号:CN103497688A

    公开(公告)日:2014-01-08

    申请号:CN201310462116.2

    申请日:2013-09-30

    Abstract: 本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种相变材料化学机械抛光方法。本发明提供一种相变材料化学机械抛光方法,包括如下步骤:1)提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有第一电介质层,在所述第一电介质层形成底部电极,再在第一电介质层和底部电极上方覆盖第二电介质层;2)所述第二电介质层经过光刻和刻蚀工艺,形成柱形开孔,使底部电极暴露;3)在所述柱形开孔中填充相变材料,并将柱形开孔填满;4)利用化学机械抛光工艺去除柱形开孔外的相变材料;5)在第二电介质层上生长一层第三电介质层;6)利用化学机械抛光去除第三电介质层;本发明所提供的相变材料化学机械抛光方法可以减少相变材料和电介质的高度差,即减少碟形坑。

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