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公开(公告)号：CN105129718A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510341090.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学读出红外探测器结构及其制作方法，所述探测器结构至少包括：玻璃衬底和通过第二锚悬空于所述玻璃衬底上的悬浮结构；所述悬浮结构包括可见光反射层、红外吸收层以及支撑梁；所述可见光反射层悬空于所述玻璃衬底上，所述红外吸收层通过第一锚悬空于所述可见光反射层上，所述支撑梁悬空于所述可见光反射层上，并且所述支撑梁的一端与同一平面内的所述红外吸收层相连、另一端通过第二锚固定于所述玻璃衬底上。本发明的探测器结构通过将可见光反射层和红外吸收层分离，避免了可见光反射层由于双材料效应导致变形，且可见光反射层面积的增加提高了可见光的利用率，从而使红外探测器同时满足对器件各方面的要求，提高器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN104979368A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510368985.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，抑制了电路噪声，可显著地提高器件的信噪比。本发明制作方法的特点在于：在释放像素结构时，先在衬底中刻蚀出腐蚀槽，然后采用各向异性腐蚀剂腐蚀硅释放像素结构，提高了腐蚀释放效率，且腐蚀形状及深度可控，可避免像素和衬底之间发生粘连，还可以以未腐蚀尽的硅作为像素的锚，简化了锚的制作工艺。
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公开(公告)号：CN1819291A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510112299.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种新的基于双材料效应的微机械红外探测器阵列的制作方法，其特征在于采用硅作为牺牲层，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作像素的双材料支撑梁和红外敏感部分，采用SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料制作锚或对锚进行保护，最后采用XeF2气体腐蚀硅牺牲层释放像素。本发明具有以下积极效果和优点：一方面采用干法释放，避免湿法释放过程对像素结构的破坏；另一方面，降低了制作成本且与IC工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN1807221A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN200510112298.6
申请日：2005-12-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法，其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围，形成所需要的锚；或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种：锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成；锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成；锚由保护层材料及填充层材料构成；锚是由保护层材料构成的柱体；锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于：一方面可准确控制微结构锚位置，增加单个硅片单元器件的产量，降低生产成本，另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比，改进器件性能。
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公开(公告)号：CN1400486A
公开(公告)日：2003-03-05
申请号：CN02136625.X
申请日：2002-08-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于光调制热成像系统的芯片及制作方法，属于微电子机械系统领域。该芯片由滤光片、半透镜和微镜阵列组成，其特征在于微镜的反射面和半透镜的反射面构成F－P腔的两个反射面，其之间的距离为入射红外辐射波长的四分之一。其制作特征是选择合适厚度的硅膜、二氧化硅膜的SOI硅片，首先光刻微镜阵列图案，腐蚀硅膜、二氧化硅膜，重新热氧化硅、蒸上铝膜，使得这二层膜的总厚度等于原来SOI硅片中二氧化硅的厚度，而后光刻并刻蚀出微镜图案，随后作一次硅－玻璃键合，把F－P腔的两个面键合在一起。本发明不但保证了F－P腔的两个反射面之间的距离满足要求，同时较为方便地制作出了符合要求的双层镜面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119244822A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202411552114.7
申请日：2024-11-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供微阀、色谱进样器及其制备方法和色谱系统及其应用方法，微阀依次包括第一密封衬底、硅衬底、SOI顶层硅、SOI埋氧层、SOI底层硅和第二密封衬底；SOI顶层硅与硅衬底有凹槽的第一面键合，硅衬底第二面有第一沟槽和第二沟槽，第一通道连通凹槽与第一沟槽，第二通道连通凹槽和第二沟槽，第一密封衬底和硅衬底的第二面键合，第二密封衬底和SOI底层硅键合；控制气体沟槽由刻蚀SOI底层硅和SOI埋氧层获得。本发明通过SOI顶层硅中单晶形变薄膜作为微阀开关件，利用单晶硅薄膜较好的弹性、耐磨损、耐高温及可用MEMS工艺批量制备的特点得到微阀和色谱进样器，提高色谱进样器与其它色谱部件的可集成性，有利于色谱系统微型化。
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公开(公告)号：CN114965833B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202210604091.4
申请日：2022-05-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种微沟道横截面为圆角矩形的玻璃基微色谱柱，在玻璃基底中的微沟道横截面呈圆角矩形结构，这种微沟道具有均匀的“准零流速区”，可使得微色谱柱的固定相涂覆均匀，获得对称度较高的色谱峰，从而更加适合精确定性定量检测；采用飞秒激光或超快激光对预设深度处的玻璃基底进行激光改性并辅助化学湿法刻蚀，可直接在玻璃基底预设深度处制备微沟道，无需采用光刻、DRIE及键合工艺，制备工艺步骤简单，且玻璃本身成本低，可大大降低制造成本，更适合批量生产。
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公开(公告)号：CN110624523B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201810654078.3
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/281 , B01J20/30 , B01D53/02
Abstract: 本发明提供一种双固定相气相色谱柱及其制备方法，制备包括：提供一衬底，于衬底中制作微沟道，微沟道具有第一端口及第二端口；将配置好的第一固定相原料自第一端口注入至微沟道的预设位置；将得到的结构置于真空腔体中，使第一固定相原料形成第一固定相；将配置好的第二固定相原料自第二端口注入至微沟道的预设位置；将得到的结构置于真空腔体中，使第二固定相原料形成第二固定相。本发明提供的双固定相气相色谱柱及其制备方法，在同一气相色谱柱上实现了两种固定相的涂覆，使得一根气相色谱柱能很好地分离两类混合气体组分，增强了气相色谱柱的分离能力，同时减少了为了分离鉴别不同种类混合气体组分时更换气相色谱柱的频率，使用起来更为方便。
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公开(公告)号：CN117741029A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311369857.6
申请日：2023-10-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种具有均匀固定相的微色谱柱及其制备方法，通过第一亲水金属氧化层与第二亲水金属氧化层，可实现衬底与盖板间的同质良好键合；第一亲水金属氧化层与第二亲水金属氧化层可使得闭合微沟道的内表面同质化，提高亲水固定相层的均匀性；第一亲水金属氧化层与第二亲水金属氧化层可提供亲水表面，改善闭合微沟道的内表面材料的亲水性，可有效改善亲水固定相层的均匀性，从而提高微色谱柱的分离性能。
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公开(公告)号：CN117451910A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311526934.4
申请日：2023-11-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种氦离子检测器及其制备方法，在闭合腔室中设置对收集电极可以得到较为理想的电场分布，以及在闭合腔室中结合设置偏置电极可以有效提高离子收集效率，使得氦离子检测器在较小体积的前提下，也能具有较低的检测限，较高的检测灵敏度。此外，该氦离子检测器采用三明治结构，适合与色谱柱结合使用或者与微色谱柱进行单片集成。
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