-
公开(公告)号：CN101118250B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200710139407.2
申请日：2007-09-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种硅MEMS压阻式加速度传感器，它属于微机械传感器领域。本发明包括硅框架、质量块、压敏电阻，质量块位于硅框架中，在质量块的左右两侧和硅框架之间设置有互相对称的敏感梁，在质量块的前后两侧中心位置和硅框架之间设有一对对称的扭转梁；所述扭转梁X方向的宽度小于质量块X方向的宽度，扭转梁Z方向的高度大于敏感梁Z方向的高度，所述敏感梁上制作有检测应力大小的压敏电阻。本发明所述的压阻式加速度传感器，是一种利用制作在结构的上表面的压敏电阻来测量横向加速度信号的微传感器，提高了电阻的加工精度、一致性和成品率，并易于实现三轴集成，还具有体积小、质量轻、交叉耦合小、可靠性高、成本低和易于集成的特点。
-
公开(公告)号：CN101509934A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910073949.3
申请日：2009-03-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度传感器结构，上层温度传感器位于上层，构成微角速率传感器结构。本发明采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，不存在可动结构，大大提高了器件抗冲击能力，结构简单，易于加工；加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，不存在质心误差和安装误差；下层传感器对称布置在加热器两侧或四周，测量更加精确。
-
公开(公告)号：CN1664523A
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN200510012319.7
申请日：2005-01-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种纳米尺度微型温度传感器的制作方法，涉及传感器领域中的一种纳米尺度测量温度传感器器件的制作。本发明制作的器件由单晶硅片、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本发明制作的器件还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。
-
公开(公告)号：CN108364857B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201810166868.7
申请日：2018-02-28
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种半导体芯片保护层的制备方法和半导体芯片，该方法包括：在半导体芯片第一区域的上表面形成第一SiN层；其中，所述第一区域包括压点之外的区域，或所述第一区域包括所述压点之外的区域和所述压点的边缘区域；在所述第一SiN层的上表面形成有机聚合物层；在所述有机聚合物层的上表面和侧壁形成第二SiN层；其中，所述第一SiN层和所述第二SiN层完全包裹所述有机聚合物层。本发明能够显著提高半导体芯片的抗潮气性能。
-
公开(公告)号：CN109473345A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811391500.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅器件的离子注入方法，包括：在碳化硅圆片表面淀积介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，得到涂覆光刻胶后的碳化硅圆片；对所述涂覆光刻胶后的碳化硅圆片进行光刻，使离子注入区域暴露；根据离子注入能量和离子注入剂量，选择对应的注入温度，并在所述离子注入区域注入离子；去除所述光刻胶和所述介质层，得到离子注入后的碳化硅圆片。根据不同的离子注入能量和不同的离子注入剂量，选择不同的注入温度，多次注入后形成均匀的注入结构，减少离子注入损伤，提高注入杂质的激活率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101509934B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910073949.3
申请日：2009-03-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度传感器结构，上层温度传感器位于上层，构成微角速率传感器结构；所述加热器的数量为一个。本发明采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，不存在可动结构，大大提高了器件抗冲击能力，结构简单，易于加工；加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，不存在质心误差和安装误差；下层传感器对称布置在加热器两侧或四周，测量更加精确。
-
公开(公告)号：CN101143700B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710139610.X
申请日：2007-10-24
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明公开了一种微机械热流式传感器的加工方法，它属于微机械传感器加工领域。本发明包括加热器以及温度传感器的加工、悬梁的腐蚀、硅腔体的腐蚀，单层结构的微机械热流式传感器的加工技术的基本步骤为：(1)基体材料的选用，(2)薄膜的生长，(3)加热器和温度传感器同时制备，(4)悬梁的释放，(5)腔体的腐蚀。本发明的加热器和温度传感器同时制备在硅片上，悬梁的释放是采用牺牲层技术。制作多层结构的微机械热流式传感器时采用多层键合技术。本发明是一种通用的、适合各种微机械热流式传感器的加工技术，可以实现具有立体结构传感器的加工。采用本加工方法制造的热流式传感器具有体积小、质量小和抗高冲击的特点，可以节约制造成本。
-
公开(公告)号：CN1267565C
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN03137632.0
申请日：2003-06-09
Applicant: 清华大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及一种微液滴振荡型硅槽式聚合酶链式反应生物芯片。包括微槽，以及微槽背面由绝热槽隔开的恒温区，在微槽背面的电阻式微温度传感器，对称置于该温度传感器两侧的微加热器。在生物基因组研究、法医学、遗传分析、治疗效果评估和医疗诊断等领域中有广泛应用。样品与反应物以微液滴形式在具有三个恒温区的槽中振荡运动以实现聚合酶链式反应(PCR)的变性、退火和延伸过程，减小了生物芯片工作时所需要的驱动压力，避免了可能产生的气泡对芯片功能的影响；集成于芯片上的恒温区有利于PCR反应混合物实现快速的升降温过程，并便于改变工作区温度以优化PCR过程，或实现某些特殊要求；采用硅微加工技术制造，便于大批量生产，尺寸小，成本低。
-
公开(公告)号：CN201373883Y
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200920101941.9
申请日：2009-03-19
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种微加速度与微角速率单片集成传感器，包括密封外壳和位于外壳内部的传感器感应芯，该感应芯为中间具有空腔的框形上下层结构，在空腔中设有与框架连接的加热器和温度传感器，加热器和下层温度传感器位于下层，构成微加速度传感器结构，上层温度传感器位于上层，构成微角速率传感器结构。本实用新型采用气体作为感知元件代替固体活动质量块，不存在可动结构，大大提高了器件抗冲击能力，结构简单，易于加工；加速度传感器和角速率传感器集成在同一个结构内，不存在质心误差和安装误差；下层传感器对称布置在加热器两侧或四周，测量更加精确。
-
公开(公告)号：CN2767978Y
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200520023352.5
申请日：2005-01-13
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本实用新型公开了一种纳米尺度的微型温度传感器，涉及传感器领域中的一种测量温度的传感器器件。它由硅腔体、下层氮化硅膜层、上层氮化硅膜层、粘附层、温敏电阻层、导电层、悬臂梁、二氧化硅膜层构成。它采用微机械加工工艺制作温敏电阻层作为测量温度的敏感元件，周围环境温度的变化引起其阻值的变化，达到测量温度，作为传感器的目的。本实用新型还具有体积极小、温度测量范围极宽、结构简单、重量轻、热容量小、响应速度快、线性度好、功耗低、可靠性高、一致性好、成本低等特点。特别适用于微流体传感器等要求体积较小的场合作为精确温度测量及IC芯片、传感器芯片等嵌入式在片温度测量的传感器装置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
