公开(公告)号：CN116404988A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310224502.1

申请日：2023-03-09

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 杨楠 ,  刘飞飞 ,  戴剑 ,  崔亮 ,  王磊 ,  宋学峰 ,  杨琦 ,  陈南庭 ,  王凯 ,  王海龙 ,  任健 ,  俊祥 ,  曾雁声 ,  晗琛 ,  成立鑫 ,  张忠山

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/34

Abstract: 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种电流复用低噪声放大器及集成电路。该电流复用低噪声放大器包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一偏置电路、第二偏置电路、电流复用电路、输入匹配电路、第一级间匹配电路、第二级间匹配电路和输出匹配电路；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管三级级联；第一偏置电路、第二偏置电路和电流复用电路共同用于使第一晶体管和第二晶体管复用第三晶体管的电流。输入匹配电路、第一偏置电路、第二偏置电路、第一级间匹配电路和第二级间匹配电路共同实现噪声匹配和阻抗匹配。本申请提供的电流复用低噪声放大器具有高输出功率、高线性度、低噪声和高增益，具备高通用性，可以应用于更多系统中。

公开(公告)号：CN111009520A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201911154973.X

申请日：2019-11-22

Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所

Inventor： 王磊 ,  杨彦锋 ,  徐达 ,  常青松 ,  祁广峰 ,  张延青 ,  要志宏 ,  白银超 ,  崔亮 ,  刘飞飞 ,  杨楠 ,  高显

IPC: H01L25/18 ,  H01L23/488 ,  H01L21/98

Abstract: 本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线有机介质层上沉积有重布线金属层，所述重布线金属层上设置有外介质层，所述外介质层具有开孔，所述开孔处沉积电镀有新焊盘，所述第二焊盘通过所述重布线金属层与所述第二芯片的原焊盘连接；所述新焊盘与所述焊料凸点之间通过钉头凸点焊接固定。本发明能够有效缓解3D集成芯片堆叠结构的热应力，提升了3D集成芯片的可靠性。