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公开(公告)号：CN110868175B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201910328580.X
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 李丽 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 钱丽勋 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有晶种层的谐振器、滤波器及谐振器制备方法。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括晶种层、下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种具有晶种层的新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868182B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201910329118.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；空气翼及空气桥，形成于所述压电层和上电极层之间，所述空气翼具有界定所述谐振器的作用区域的外边界的内边缘；及温度补偿特征，具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。上述谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868186B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201910329139.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 钱丽勋 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868192A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910963667.4
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种具有封装结构的薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括衬底、多层结构、腔体和封装结构，多层结构包括第一电极层、压电层和第二电极层，腔体位于多层结构和衬底之间，封装结构包括基板、电路和电气连接。本发明通过设置腔体而形成一种新型的谐振器结构，具有较好的性能；其封装结构不仅能够节省有用的基板空间，同时，基板材料、谐振器制造程序和电路制造程序均会有更多选择。
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公开(公告)号：CN110868190A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910964439.9
申请日：2019-10-11
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 商庆杰 , 梁东升 , 赵洋 , 王利芹 , 丁现朋 , 刘青林 , 冯利东 , 张丹青 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 李宏军 , 钱丽旭 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 蔡树军 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声学谐振器封装结构及其制备方法。该谐振器包括基板；声学谐振器，设置在所述基板上，所述声学谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；盖帽，所述盖帽与所述基板之间形成一个密封空间；材料层区域；以及电子电路，形成于所述材料层区域上，并与所述声学谐振器电连接，从而形成一种新型的声学谐振器封装结构，且具有较好的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110868186A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329139.3
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Inventor： 李亮 , 钱丽勋 , 吕鑫 , 梁东升 , 刘青林 , 马杰 , 高渊 , 丁现朋 , 冯利东 , 崔玉兴 , 张力江 , 刘相伍 , 杨志 , 商庆杰 , 李宏军 , 李丽 , 卜爱民 , 王强 , 付兴昌
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器、其制作方法和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体；所述下电极层或所述上电极层的内部设有凹槽，所述凹槽内部填充有与对应电极层的电极材料不同的填充材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，在所述下电极层或所述上电极层的内部设置凹槽，凹槽内部填充与对应电极层的电极材料不同的填充材料，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868182A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910329118.1
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种谐振器和滤波器。该谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；空气翼及空气桥，形成于所述压电层和上电极层之间，所述空气翼具有界定所述谐振器的作用区域的外边界的内边缘；及温度补偿特征，具有正温度系数以用于抵消所述压电层的负温度系数的至少一部分；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述温度补偿特征在所述作用区域外侧延伸达预定长度。上述谐振器具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868172A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328542.4
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种薄膜体声谐振器和半导体器件。该薄膜体声谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层、上电极层和多个横向特征，所述多个横向特征包括多个台阶结构，所述多个台阶结构具有不同的宽度且连续地堆叠在所述上电极层上；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体。上述薄膜体声谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，且下半腔体整体位于衬底上表面之下，上半腔体整体位于衬底上表面之上，从而形成一种新型的谐振器结构，且具有较好的性能。
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公开(公告)号：CN110868170A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910328539.2
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种声谐振器，所述声谐振器包括：衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、压电层和上电极层；在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述下电极层的边缘邻接平坦化层；所述多层结构中设置有桥部。本发明的声谐振器通过特殊结构的腔体与桥部的结合，具有良好的性能，且结构坚固，不易损坏。
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公开(公告)号：CN110868185B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201910329117.7
申请日：2019-04-23
Applicant: 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种体声波谐振器和半导体器件。该体声波谐振器包括衬底；多层结构，形成于所述衬底上，所述多层结构由下至上依次包括下电极层、掺杂压电层和上电极层；其中，在所述衬底和所述多层结构之间形成有腔体，所述腔体包括位于所述衬底上表面之下的下半腔体和超出所述衬底上表面并向所述多层结构突出的上半腔体；所述掺杂压电层包括掺杂有至少一种稀土元素的压电材料。上述谐振器通过设置具有下半腔体和上半腔体的腔体，以及在压电层掺杂至少一种稀土元素，形成了一种新型的体声波谐振器结构，且具有较好的性能。
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