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公开(公告)号：CN113267915A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110614067.4
申请日：2021-06-02
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种倒装焊电光调制器封装装置，包括管壳、电光调制器芯片、带状线以及射频连接器，所述电光调制器芯片位于管壳内，所述带状线位于管壳的壳体与电光调制器芯片之间，电光调制器芯片的直流与射频电极通过倒装焊的方式与带状线连接，所述带状线与射频连接器连接；本发明的优点在于：降低设计布局的难度，减少寄生电容和寄生电感，避免调制带宽受影响，同时利用带状线替代传统的微带线，加强信号屏蔽作用，有效改善腔体效应和射频信号间的串扰，避免多了信号串扰。
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公开(公告)号：CN112379538A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011290716.1
申请日：2020-11-17
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开一种共面带状线行波电极及硅基马赫曾德尔调制器，具有共面波导‑共面带状线的宽带过渡结构，所述共面带状线行波电极包括第一接地线、信号线、第二接地线；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端、所述第一过渡段、所述第二过渡段、所述场耗散过渡段构成共面波导‑共面带状线的过渡结构；所述第一地极接入端、所述信号接入端、所述第二地极接入端构成的共面波导结构；本发明通过共面带状线行波电极结构的利用，使得依靠一组行波电极即可实现单端推挽驱动，减小了电极面积，适用于多个调制器的集成，提高了集成度。
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公开(公告)号：CN113267915B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202110614067.4
申请日：2021-06-02
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 本发明公开了一种倒装焊电光调制器封装装置，包括管壳、电光调制器芯片、带状线以及射频连接器，所述电光调制器芯片位于管壳内，所述带状线位于管壳的壳体与电光调制器芯片之间，电光调制器芯片的直流与射频电极通过倒装焊的方式与带状线连接，所述带状线与射频连接器连接；本发明的优点在于：降低设计布局的难度，减少寄生电容和寄生电感，避免调制带宽受影响，同时利用带状线替代传统的微带线，加强信号屏蔽作用，有效改善腔体效应和射频信号间的串扰，避免多了信号串扰。
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公开(公告)号：CN114355382A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210042053.4
申请日：2022-01-14
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
摘要： 一种微波光子MIMO雷达收发系统，属于雷达探测技术领域，解决发射端的高重复频率的光频梳信号难以产生以及接收端去斜中频信号杂散量高的问题；发射端生成两个不同重复频率的光频梳信号，一路光频梳信号作为本振光频梳信号，另一路光频梳信号作为光载波被基带线性调频信号调制，调制后的光频梳信号分为两路，一路与本振光频梳信号拍频得到上变频的M路发射波形，另一路传输到接收子系统作为参考光信号；接收端N路接收天线接收到雷达回波信号后调制到发射子系统耦合过来的光频梳信号上，并与参考光信号耦合后输入到光电探测器中进行拍频，得到回波信号的M×N路去斜中频信号，再经模数转换后进行数字信号处理得到回波信号中携带的目标信息。
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公开(公告)号：CN114257231A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111591919.9
申请日：2021-12-23
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H03K17/94
摘要： 本发明公开了一种光开关阵列的校准控制电路，包括控制电路、驱动电路、反馈校准电路及微波光子链路，控制电路包括FPGA、串并转换器和电开关，电开关包括两个输入端和两个输出端，微波光子链路包括光开关阵列，光开关阵列包括多个串联连接的电光开关，所述电光开关为双臂MZI结构，包括两个并行的移相器，反馈校准电路包括多通道ADC，驱动电路包括多通道DAC，每个电光开关的两个并行的移相器一一对应的连接一个电开关的两个输出端，每个电开关的两个输入端分别对应连接DAC的一个输出IO口；本发明的优点在于：解决现有技术元器件数量成本高，控制码传输时间长的问题。
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公开(公告)号：CN114285480A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111523769.8
申请日：2021-12-14
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H04B10/50 , H04B10/548
摘要： 一种硅基集成微波光子下变频芯片及其下变频方法，属于微波光子技术领域，解决现有技术中基于分立器件实现的微波光子下变频系统尺寸大、不利于集成以及现有的微波光子下变频技术方案复杂度高、能量损耗较大、系统转换效率低的问题；在与CMOS工艺兼容的SOI平台上集成光栅耦合器、两个硅基相位调制器、热光移相器、2×2的3dB光耦合器、GeSi平衡光探测器，实现了芯片化，尺寸小、集成度高；使用两个硅基相位调制器即可实现微波光子信号下变频，结构简单、链路损耗小、变频效率高；采用平衡式差频探测，两路光电流信号相减，部分噪声和直流项被抵消，降低了系统中激光器产生的输入噪声水平。
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公开(公告)号：CN112201706A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010901062.5
申请日：2020-08-31
申请人： 中国电子科技集团公司第三十八研究所
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101
摘要： 本发明提供了一种基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器，涉及集成光电子技术领域。工作时在阴极和阳极加载反偏电压，通过吸光层对脊型波导的脊部呈半包围分布的结构，吸光层可对硅脊波导的顶部和两侧接触面传递的光信号进行高效吸收，在吸光层尺寸相同的条件下，本发明实施例中吸光层对光的吸收效率可达87.1％(归一化数据)，并提高吸光层对光的吸收效率、光生电流以及响应度，进而提高光电转换能力。且与常规的基于倏逝波耦合方式的波导集成光电探测器相比，本发明中，波导的宽度和厚度符合相同工艺要求，吸光层的宽度、厚度相同。对吸光层生长工艺精度的要求并无量级上的提升。
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