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公开(公告)号：CN104051100B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410287126.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种氧化钛多层薄膜压敏电阻器及其制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明采用非化学计量比的烧结TiOm作为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，通过射频磁控溅射，在载气作用下，在表面平整光洁的导电基片上，制备得到以TiOy‑TiOx‑TiOy(y＞x)三明治结构为基本单元的薄膜压敏电阻器。用该法制备所述薄膜压敏电阻，沉积条件严格可控、工艺重复性好，可在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。压敏电阻器非线性性能优异、压敏电压可控，特别适合大规模或超大规模集成电路的过压保护，如在电源系统、通讯系统、安防系统、电动机保护、汽车电子系统、家用电器等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN103469155A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310422712.8
申请日：2013-09-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种高纯度高密度WO3／S核壳结构纳米颗粒的制备方法，属于材料制备技术领域。本发明采用真空管式炉，以氧化钨和硫粉为蒸发源，通过热蒸发的方法，在载气保护下，在表面平整、光洁的硅片、砷化镓片、蓝宝石片或碳化硅单晶片上，一步合成沉积得到高密度的WO3／S核壳结构纳米颗粒，其内核为单晶WO3，外壳为非晶单质S。该方法具有沉积条件严格可控、设备和工艺简单、产量大、成本低等优点。所获得的纳米结构产物纯度高，其内核和外壳的直径分布均匀，颗粒大小可控；这种纳米颗粒在压敏电阻，气体传感器和催化剂等方面有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN113289668A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110725592.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J27/24 , B01J35/02 , B01J35/06 , C01G23/053 , C02F1/30
Abstract: 本发明涉及一种氮氟共掺杂的缺氧型氧化钛纳米纤维的制备方法，属于光催化材料制备及其应用技术领域。本发明提出的这种材料由氮氟共掺杂的、缺氧型的纳米氧化钛纳米纤维构成，可直接用于模拟太阳光下光催化降解污染物，且材料的光吸收能力强，比表面积大，活性位点暴露充分，光催化活性高，循环稳定性好，便于回收利用，对人体无毒无害。所述方法以聚丙烯腈、钛酸四丁酯和三氟乙酸为原料，首先通过静电纺丝技术得到混合纳米纤维，再在真空管式炉中在惰性气氛中进行高温热处理，最终得到所述氮、氟共掺杂的缺氧型氧化钛纳米纤维。该方法产品材料组成和形貌可控，产量大、收率高，原材料易得，生产过程安全、简单，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN110767460B
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910994486.8
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种部分合金化的氧化锡纳米棒阵列超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。本发明提出的正极材料由生长在泡沫镍衬底上的、部分Sn‑Ni合金化的、缺氧型的氧化锡纳米棒阵列结构构成，可直接用作超级电容器工作电极，且电极比电容大，循环稳定性好，对人体无毒无害。所述方法首先以三水合锡酸钠和氢氧化钠为原料，采用溶剂热法在集流体泡沫镍衬底上生长出二氧化锡纳米棒阵列，然后在真空管式炉中在还原气氛中进行高温热处理，最终得到所述正极材料。该方法所得氧化锡纳米棒阵列结构产量大，组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程简单，成本低廉，生产过程安全、清洁、环保，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN110718400B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910994471.1
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种基于缺氧型氧化锡纳米片花球的超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。该正极材料由高度缺氧型的氧化锡纳米片构成，纳米片之间规则排列成花球状，宏观上为粉末状物质。作为工作电极，比表面积大，活性位点暴露充分，导电性较好，比电容大，结构稳定性好，对人体无毒无害。所述方法首先以二水合氯化亚锡和二水合柠檬酸三钠为原料，采用溶剂热法沉积得到了Sn3O4纳米片花球粉末；然后将这种粉末在真空管式炉中进行高温热还原，最终得到所述正极材料。该方法的产品产量大，组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程简单，成本低廉，生产过程安全、清洁、环保，有利于规模化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110600276B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201910995576.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种合金化增强缺氧型氧化锡纳米片阵列超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。该正极材料由生长在泡沫镍衬底上的、部分Sn‑Ni合金化的、缺氧型氧化锡纳米片阵列结构构成，纳米片之间以竖直交错的方式生长而成墙状；作为工作电极，比电容较大，循环稳定性好，对人体无毒无害。所述方法首先以二水合氯化亚锡和二水合柠檬酸三钠为原料，采用溶剂热法在泡沫镍衬底上生长得到缺氧型氧化锡墙状纳米片阵列结构，然后在真空管式炉中进行高温热还原以及合金化，最终得到所述正极材料。该方法产品产量大，组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程简单，成本低廉，生产过程安全、清洁、环保，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN110711585B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201910994467.5
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J23/835 , B01J35/02 , B01J35/10 , C01B3/04 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明涉及一种树冠状缺氧型氧化锡纳米片阵列结构及其制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。所述方法以二水合氯化亚锡和二水合柠檬酸三钠为原料，采用溶剂热法在泡沫镍衬底上沉积生长得到一种树冠状缺氧型氧化锡纳米片阵列结构。该纳米结构是外观上像树冠的纳米结构构成的阵列，每一个树冠状结构由缺氧型氧化锡纳米片错落有致叠层而成。这种纳米片阵列结构比表面积大、材料带隙较小、对光的吸收能力强，结构稳定性和热稳定性好，且对人体无毒无害，是一种优异的可见光催化剂。该方法原材料、设备和工艺过程简单，清洁、环保，反应条件温和、适用性广、工艺参数可控性强，产品产量大、纯度高，易实现规模化生产。
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公开(公告)号：CN110600276A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910995576.9
申请日：2019-10-18
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种合金化增强缺氧型氧化锡纳米片阵列超级电容器正极材料的制备方法，属于新能源材料制备及其应用技术领域。该正极材料由生长在泡沫镍衬底上的、部分Sn-Ni合金化的、缺氧型氧化锡纳米片阵列结构构成，纳米片之间以竖直交错的方式生长而成墙状；作为工作电极，比电容较大，循环稳定性好，对人体无毒无害。所述方法首先以二水合氯化亚锡和二水合柠檬酸三钠为原料，采用溶剂热法在泡沫镍衬底上生长得到缺氧型氧化锡墙状纳米片阵列结构，然后在真空管式炉中进行高温热还原以及合金化，最终得到所述正极材料。该方法产品产量大，组成和形貌可控；原材料、设备和工艺过程简单，成本低廉，生产过程安全、清洁、环保，有利于规模化生产。
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公开(公告)号：CN107597147B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710793429.4
申请日：2017-09-06
Applicant: 中国地质大学(北京)
IPC: B01J27/043 , B01J35/06 , B01J37/02 , B01J37/03 , B01J37/10 , B01J37/18 , B01J37/34 , C01B3/04 , H01G9/20 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C02F1/30
Abstract: 本发明涉及一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。所述复合结构材料主体为花状硫化镉纳米材料，其表面均匀沉积着一层β‑硫化镍薄膜，形成一种异质包覆结构。该方法采用次亚磷酸钠作还原剂、水作反应溶剂、硝酸镉为镉源、醋酸镍为镍源、硫脲为硫源，在高压反应釜中，同时实现了花状硫化镉纳米材料的合成和β‑硫化镍薄膜在其表面的生长，一步合成得到了纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构。这种方法制备出的复合结构材料产量大、密度高、纯度高、形貌可控；而且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得的材料是优异的可见光催化剂。
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公开(公告)号：CN109207958B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201811205169.5
申请日：2018-10-16
Applicant: 中国地质大学(北京)
Abstract: 本发明涉及一种垂直于基底生长的磷化钼纳米片阵列结构的制备方法，属于材料制备技术领域。在本方法中，首先通过简单热蒸发三氧化钼和硫粉，直接在耐高温导电基底上生长出高纯度、高密度、高结晶性的、垂直于基底的二硫化钼纳米片阵列结构前驱体；然后，通过热蒸发红磷，磷化所得MoS2纳米片阵列结构前驱体，最终得到了垂直于基底生长的MoP纳米片阵列结构。该方法具有设备和工艺简单、工艺参数可控性强、产量大、成本低及环境友好等优点。所获得的MoP纳米片阵列结构具有密度大、纯度高、结晶性好、形貌和组成可控等特点，可以直接用作电催化制氢的自支撑工作电极，无需后处理，且过电位低、Tafel斜率小，具有广泛的应用前景。
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