公开(公告)号：CN109346723A

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：CN201811204440.3

申请日：2018-10-16

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  郭一飞 ,  符秀丽

IPC: H01M4/58 ,  H01M4/1397 ,  H01M10/058 ,  H01M10/0525 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种基于钼箔负载的MoS2纳米片阵列结构的锂离子电池的制备方法，属于新能源材料及其器件制备技术领域。本发明以MoO3和S粉为蒸发源，通过简单的一步化学气相沉积法，直接在钼箔上生长出MoS2纳米片阵列结构，并将其直接用作锂离子电池的阳极材料；配合金属锂箔阴极、隔膜、电解液等直接组装成了锂离子电池。采用本技术制备的锂离子电池阳极材料，MoS2纳米片阵列结构产量大、纯度高、结晶性好、形貌规整；MoS2纳米片阵列结构紧密地结合在钼箔上；且合成生长条件严格可控、设备和工艺简单、成本低。采用本技术制备锂离子电池，过程简单、环境友好、无污染、无需后处理；且这种新型锂离子电池比容量高，充放电循环稳定性稳定。

公开(公告)号：CN109207958A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811205169.5

申请日：2018-10-16

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  郭一飞 ,  符秀丽

IPC: C23C16/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种垂直于基底生长的磷化钼纳米片阵列结构的制备方法，属于材料制备技术领域。在本方法中，首先通过简单热蒸发三氧化钼和硫粉，直接在耐高温导电基底上生长出高纯度、高密度、高结晶性的、垂直于基底的二硫化钼纳米片阵列结构前驱体；然后，通过热蒸发红磷，磷化所得MoS2纳米片阵列结构前驱体，最终得到了垂直于基底生长的MoP纳米片阵列结构。该方法具有设备和工艺简单、工艺参数可控性强、产量大、成本低及环境友好等优点。所获得的MoP纳米片阵列结构具有密度大、纯度高、结晶性好、形貌和组成可控等特点，可以直接用作电催化制氢的自支撑工作电极，无需后处理，且过电位低、Tafel斜率小，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN109207958B

公开(公告)日：2019-08-23

申请号：CN201811205169.5

申请日：2018-10-16

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  郭一飞 ,  符秀丽

IPC: C23C16/30 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及一种垂直于基底生长的磷化钼纳米片阵列结构的制备方法，属于材料制备技术领域。在本方法中，首先通过简单热蒸发三氧化钼和硫粉，直接在耐高温导电基底上生长出高纯度、高密度、高结晶性的、垂直于基底的二硫化钼纳米片阵列结构前驱体；然后，通过热蒸发红磷，磷化所得MoS2纳米片阵列结构前驱体，最终得到了垂直于基底生长的MoP纳米片阵列结构。该方法具有设备和工艺简单、工艺参数可控性强、产量大、成本低及环境友好等优点。所获得的MoP纳米片阵列结构具有密度大、纯度高、结晶性好、形貌和组成可控等特点，可以直接用作电催化制氢的自支撑工作电极，无需后处理，且过电位低、Tafel斜率小，具有广泛的应用前景。