公开(公告)号：CN107597147A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710793429.4

申请日：2017-09-06

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  张宇 ,  官顺东 ,  符秀丽

IPC: B01J27/043 ,  B01J35/06 ,  B01J37/02 ,  B01J37/03 ,  B01J37/10 ,  B01J37/18 ,  B01J37/34 ,  C01B3/04 ,  H01G9/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/30

Abstract: 本发明涉及一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。所述复合结构材料主体为花状硫化镉纳米材料，其表面均匀沉积着一层β-硫化镍薄膜，形成一种异质包覆结构。该方法采用次亚磷酸钠作还原剂、水作反应溶剂、硝酸镉为镉源、醋酸镍为镍源、硫脲为硫源，在高压反应釜中，同时实现了花状硫化镉纳米材料的合成和β-硫化镍薄膜在其表面的生长，一步合成得到了纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构。这种方法制备出的复合结构材料产量大、密度高、纯度高、形貌可控；而且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得的材料是优异的可见光催化剂。

公开(公告)号：CN107597147B

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201710793429.4

申请日：2017-09-06

Applicant: 中国地质大学(北京)

Inventor： 彭志坚 ,  张宇 ,  官顺东 ,  符秀丽

IPC: B01J27/043 ,  B01J35/06 ,  B01J37/02 ,  B01J37/03 ,  B01J37/10 ,  B01J37/18 ,  B01J37/34 ,  C01B3/04 ,  H01G9/20 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C02F1/30

Abstract: 本发明涉及一种纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构及其制备方法，属于新能源材料制备技术领域。所述复合结构材料主体为花状硫化镉纳米材料，其表面均匀沉积着一层β‑硫化镍薄膜，形成一种异质包覆结构。该方法采用次亚磷酸钠作还原剂、水作反应溶剂、硝酸镉为镉源、醋酸镍为镍源、硫脲为硫源，在高压反应釜中，同时实现了花状硫化镉纳米材料的合成和β‑硫化镍薄膜在其表面的生长，一步合成得到了纳米花状硫化镉@硫化镍薄膜异质结构。这种方法制备出的复合结构材料产量大、密度高、纯度高、形貌可控；而且该方法具有设备和工艺简单、合成生长条件严格可控、产品收率高、成本低廉、生产过程清洁环保等优点。所获得的材料是优异的可见光催化剂。