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公开(公告)号：CN112986288A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202110178233.0
申请日：2021-02-09
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置，包括：中子源、样品台、中子光路传输系统和中子探测系统。所述中子源、所述样品台、所述中子光路传输系统和所述中子探测系统沿着第一方向依次排布设置。通过在样品台和中子探测系统之间设置中子光路传输系统，并可根据检测样品的性质等来设置中子光路传输系统的长度，从而拉长了检测样品和中子探测系统之间的距离，可以极大地降低检测样品的放射性对中子成像探测系统的影响，几乎不会影响中子探测系统的检测成像。如此，本发明的用于放射性样品直接中子照相无损检测的检测装置，可以利用直接中子成像方法针对放射性样品进行中子照相无损检测。
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公开(公告)号：CN110112422A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910416918.7
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国原子能科学研究院 , 清华海峡研究院(厦门)
Abstract: 一种微孔金属箔的制造方法，包括如下步骤：S1、在金属箔的第一表面覆盖第一掩膜层，在金属箔的第二表面覆盖第二掩膜层，以形成覆膜金属箔；S2、使用荷能重离子对覆膜金属箔进行辐照，以在第一掩膜层和/或第二掩膜层内形成离子径迹；S3、对辐照后的覆膜金属箔进行蚀刻，以在覆膜金属箔上形成微孔；S4、去除经过蚀刻后的覆膜金属箔表面的第一掩膜层和第二掩膜层，得到微孔金属箔。本发明提供的上述制造方法具有成本低、工艺简单，生产效率高等特点；且按照本发明提供的方法制得的微孔金属箔的孔径较小，能够满足将其作为集流体制作电极的需求。
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公开(公告)号：CN108864466A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810756578.8
申请日：2018-07-11
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明属于核径迹蚀刻技术领域，涉及一种带图案核孔膜的制造方法。所述的制造方法依次包括如下步骤：(1)辐照：对高分子材料薄膜进行辐照；(2)热处理：将辐照后的高分子材料薄膜放在耐高温的底板上，其上再放置带有图案的热处理模板进行热处理；(3)蚀刻：将热处理后的高分子材料薄膜置于化学蚀刻液中进行蚀刻；(4)清洗和烘干：对蚀刻后的高分子材料薄膜进行清洗和烘干。利用本发明的带图案核孔膜的制造方法，能够简易、低成本、节约时间的制造带图案核孔膜。
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公开(公告)号：CN103091701A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110332619.9
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明属于冷中子束流品质二维测量技术，具体涉及一种多用途冷中子束流品质测量用飞行时间设备。其结构包括供冷中子束流通过的第一狭缝装置，第一狭缝装置的后侧设有机械斩波器，机械斩波器与水平设置的中子飞行管的进口端相连接，中子飞行管的出口端与第二狭缝装置连接，第二狭缝装置的后侧设有探测器和屏蔽装置，探测器通过多道时间分析器与计算机相连接。本发明结构精巧，硬件成本低，整个系统更加简易稳定，能够实现高精确度的转角定位和快速启制动，同时考虑到冷中子束流传输系统具体设计情况，能够充分满足各个冷中子谱仪对于束流能谱和品质参数测量的需求。
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公开(公告)号：CN102830416A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210317837.X
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T1/00
Abstract: 本发明属于核辐射测量技术领域，具体涉及一种用于多通道扩展的单通道前置放大器组合。其结构包括由高压线和低压线贯穿的若干台单通道前置放大器，每一台单通道前置放大器包括两个高压插座、两个低压插座、一个探测器信号输入插座和一个信号输出插座；所述的两个高压插座用导线连接在一起，高压插座与探测器信号输入插座之间通过高压电阻连接，探测器信号输入插座通过耐高压电容接入前置放大器电路板；两个低压插座分别通过低压电源线与前置放大器电路板连接；相邻的两台单通道前置放大器之间通过电源转接线将高压插座和低压插座分别连接。本发明解决了多个分开排列的核辐射探测器高质量信号获取的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102435623A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110276888.8
申请日：2011-09-19
Applicant: 中国原子能科学研究院
Inventor： 陈东风 , 刘蕴韬 , 李峻宏 , 李际周 , 高建波 , 韩松柏 , 李天富 , 焦学胜 , 李眉娟 , 王洪立 , 孙凯 , 肖红文 , 祖勇 , 刘荣灯 , 武梅梅 , 余周香 , 梁峰 , 张莉 , 胡瑞 , 刘晓龙 , 韩文泽 , 吴立齐 , 陈娜 , 孙硕
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明公开了一种中子衍射残余应力测定装置与方法，该装置使用反应堆中子源，经过单色器单色化后，得到所需的某一波长的单色中子束流，并利用该中子束流进行残余应力的测定。由于中子不带电荷，和物质相互作用时与核外电子几乎没有作用，不需克服电荷库仑力障碍，因而能量较低的中子也能进入到原子内；大多数材料对中子吸收也很低，所以入射中子束的穿透深度较深。同时通过准直器和狭缝准直、限定的中子束流还具有很高的空间分辨率，通过三个方向互相垂直的平移与绕测试中心点转动来实现被测试件的三维、无损和深度的应力测试工作，克服了X射线和同步辐射残余应力测定装置只能无损测定晶体材料表面及近表面残余应力的不足。
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公开(公告)号：CN119019738A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202411120853.9
申请日：2024-08-15
Applicant: 瑞昌核物理应用研究院 , 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明中公开了一种核孔膜微波化学蚀刻方法，包括：对蚀刻液施加微波辐射，以提高蚀刻液的化学活性；将经过重离子辐照的聚合物薄膜浸泡于施加了微波辐射的蚀刻液中进行核孔膜蚀刻，蚀刻时间为1分钟‑2小时；对蚀刻后的薄膜进行清洗，然后烘干，即完成核孔膜微波化学蚀刻。本发明同时公开了一种核孔膜微波化学蚀刻装置，该装置可用于实施上述核孔膜微波化学蚀刻方法。本发明方法将核孔膜蚀刻液置于微波辐射场当中，微波辐射场与蚀刻液蚀刻药剂分子和溶剂分子相互作用，从而增加反应物分子(蚀刻药剂分子)的化学能，促进化学蚀刻反应快速进行，显著提高蚀刻速度和核孔膜的生产效率。
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公开(公告)号：CN116387479A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310312444.8
申请日：2023-03-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
Abstract: 本发明公开了一种多元混合相层状氧化物及其制备方法、应用，发挥层状氧化物的成分多样性和结构多样性，利用多种元素的协同效应，将两种性能优异的多元单相层状氧化物组分作为前驱体，以不同摩尔比例混合、不同温度热处理即得到本发明的不同相结构的多元混合相层状氧化物。本发明的方法可简单快速实现混合相层状氧化物的组分设计、结构调控和性能提升。本发明的材料制备方法简单高效，容易进行工业化生产，制备的混合相层状氧化物用做钠离子电池正极材料，容量高、循环性能优异，在钠离子电池领域具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103091701B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201110332619.9
申请日：2011-10-28
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T3/00
Abstract: 本发明属于冷中子束流品质二维测量技术，具体涉及一种多用途冷中子束流品质测量用飞行时间设备。其结构包括供冷中子束流通过的第一狭缝装置，第一狭缝装置的后侧设有机械斩波器，机械斩波器与水平设置的中子飞行管的进口端相连接，中子飞行管的出口端与第二狭缝装置连接，第二狭缝装置的后侧设有探测器和屏蔽装置，探测器通过多道时间分析器与计算机相连接。本发明结构精巧，硬件成本低，整个系统更加简易稳定，能够实现高精确度的转角定位和快速启制动，同时考虑到冷中子束流传输系统具体设计情况，能够充分满足各个冷中子谱仪对于束流能谱和品质参数测量的需求。
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公开(公告)号：CN102841366B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210320876.5
申请日：2012-08-31
Applicant: 中国原子能科学研究院
IPC: G01T1/16
Abstract: 本发明属于核辐射测量技术领域，具体涉及一种脉冲幅度甄别器甄别阈测定方法及系统。该方法通过多道脉冲幅度分析器测量核辐射探测器的脉冲幅度谱，在脉冲幅度谱中确定甄别阈所对应的点M，将甄别阈M点对应的横坐标道址m’代入多道脉冲幅度分析器道址与电压值变换公式求出最佳阈值A’，并将甄别器的阈值调节至最佳阈值A’。本发明利用脉冲幅度谱进行阈值测定，相对于现有利用积分曲线的测定方法测量时间短、准确度高。
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