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公开(公告)号：CN116715526A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310679541.0
申请日：2023-06-09
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/571 , C04B35/622 , C04B35/80 , C04B35/626
Abstract: 本发明公开了一种C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料及其制备方法，将含(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C高熵陶瓷粉末的浆料浸入C/C复合多孔坯体中获得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体，将C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C中间体通过先驱体浸渍裂解工艺进行SiC基体致密化，即得C/C‑(Ti,Zr,Hf,Nb,Ta)C‑SiC复合材料，本发明不仅缩短了单独采用先驱体浸渍裂解法制备的周期，提高了制备效率，而且相对于单独采用先驱体浸渍裂解法可以大幅提高最终的密度，获得更加致密的陶瓷基体，降低了孔隙率，提高了复合材料的性能，还降低了工艺成本。
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公开(公告)号：CN108085526B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201711352916.3
申请日：2017-12-15
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种低密度铌基复合材料及制备方法。该复合材料由Nb/Nb5Si3(Nb2C)层状结构叠置后压力烧结得到；所述Nb/Nb5Si3(Nb2C)层状结构由Nb箔表面涂覆涂层构成。其制备工艺是将Nb粉、Si粉和C粉球磨制备成料浆，将料浆均匀涂覆在Nb箔表面，将喷涂/浸涂后的Nb箔叠压后经1850～2050℃真空热压烧结后制得。本发明所得产品中具有交替分布的Nb/Nb5Si3(Nb2C)层状微观结构。本发明产品制备工艺简单、生产成本低，层状组织致密均匀，可有效的实现增强、增韧和降低密度的目标。
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公开(公告)号：CN107365934B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201710625124.2
申请日：2017-07-27
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明涉及一种SiCp/Cu‑铜箔叠层复合材料及其制备方法，属于叠层复合材料制备领域。所述复合材料由增强层和基体层交替分布组成；且增强层的单层厚度为5～35μm，基体层的单层厚度为10～50μm；所述增强层由下述原料制备而成：铜包覆SiC颗粒的体积分数为15％～35％，余量为Cu粉；所述基体层为纯铜或铜合金。其制备方法为：先配置增强浆料；然后涂覆于基体箔层上，烘干、叠层，然后经热压烧结，得到所述SiCp/Cu‑铜箔叠层复合材料。本发明产品制备工艺简单、生产成本低，涂层致密均匀，与铜箔基体结合强度高、热膨胀系数匹配，可有效提高SiCp增强铜基复合材料的断裂韧性。
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公开(公告)号：CN107365934A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710625124.2
申请日：2017-07-27
Applicant: 中南大学
CPC classification number: C22C32/0063 , C22C1/101 , C22C9/00 , C23C18/1639 , C23C18/1646 , C23C18/405
Abstract: 本发明涉及一种SiCp/Cu-铜箔叠层复合材料及其制备方法，属于叠层复合材料制备领域。所述复合材料由增强层和基体层交替分布组成；且增强层的单层厚度为5～35μm，基体层的单层厚度为10～50μm；所述增强层由下述原料制备而成：铜包覆SiC颗粒的体积分数为15％～35％，余量为Cu粉；所述基体层为纯铜或铜合金。其制备方法为：先配置增强浆料；然后涂覆于基体箔层上，烘干、叠层，然后经热压烧结，得到所述SiCp/Cu-铜箔叠层复合材料。本发明产品制备工艺简单、生产成本低，涂层致密均匀，与铜箔基体结合强度高、热膨胀系数匹配，可有效提高SiCp增强铜基复合材料的断裂韧性。
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