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公开(公告)号：CN102680147A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210058424.4
申请日：2012-03-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 一种基于约瑟夫逊效应的压阻式力敏器件，主要由固定基座、悬臂梁、约瑟夫逊器件、压敏电阻、频率检测电路、频谱分析仪组成，悬臂梁的一端连接于固定基座，悬臂梁的根部掺杂有压敏电阻，固定基座与悬臂梁连接的邻近区域也掺杂有压敏电阻，固定基座上还制作有约瑟夫逊器件，约瑟夫逊器件由硅衬底层、二氧化硅层、铅层、氧化铅层、铜层、铅层组成，此检测方法将约瑟夫逊结对电压的超灵敏性应用于压阻式器件的电压信号的检测，将直流能量信号转变成交流能量信号，通过对交流能量信号的频率检测即可实现对微小电压信号的检测，其分辨率可比传统压阻式信号检测方法提高2-3数量级，检测方便、数据翔实可靠，是一种十分新颖的压阻式电压信号的检测方法。
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公开(公告)号：CN102638753A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210071272.1
申请日：2012-03-16
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种基于石墨烯的MEMS声学传感器，主要结构由由上层结构、下层结构及石墨烯组成，上层结构上制作有集音腔、间隙腔、通孔板、拾音孔、上层金属层、上层绝缘层、上层金属连接位、上层键合金属层，下层结构层上制作有通孔板、间隙腔、阻尼孔、阻尼腔、下层金属层、下层绝缘层、下层金属连接位、石墨烯连接位、下层金属键合层、上层金属焊盘、下层金属焊盘、上层金属连接孔、下层金属连接孔、石墨烯连接孔，上层绝缘层和下层绝缘层中夹有石墨烯层，单碳原子层厚度的石墨烯材料具有优异的机械特性和电学特性，以石墨烯为振动膜的声学传感器将会实现更高的灵敏度、分辨率，使声音的检测数据翔实、精准、可靠。
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公开(公告)号：CN104567848B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510043522.4
申请日：2015-01-28
Applicant: 中北大学
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5649
Abstract: 本发明公开了一种基于隧道磁阻效应的微机械陀螺结构装置，主要结构包括：基板、垫衬框体，垫衬框体设在基板上方并与基板相连接；永磁体，永磁体设在基板与垫衬框体组合形成的矩形凹槽的中心位置；和微陀螺角速率敏感体，微陀螺角速率敏感体设在垫衬框体的上方并与垫衬框体相连接，且微陀螺角速率敏感体包括：对应设在矩形凹槽上方的灵敏测量体，灵敏测量体上表面设有隧道磁敏电阻且隧道磁敏电阻与永磁体位置对应。隧道磁敏电阻可随灵敏测量体沿垂直于所述永磁体上表面的方向振动。根据本发明的微机械陀螺采用整体结构设计，结构合理、紧凑，检测电路简单，使用方便、可靠性好、适合微型化。
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公开(公告)号：CN102928132B
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201210404406.7
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本发明利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本发明结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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公开(公告)号：CN102633227B
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201210071296.7
申请日：2012-03-16
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，主要由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成，在键合衬底上制作有2组加热环形电阻和1对静电金属极板，可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级，从实现对MEMS传感器Q值的封装后调制，此装置结构设计紧凑、巧妙，操作方便、响应迅速、可调精度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102680738B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201210057647.9
申请日：2012-03-07
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种具有抗横向干扰的硅纳米带巨压阻效应微加速度计，主要结构由键合基底、敏感质量块、固定外框、组合梁、硅纳米线电阻、凹槽、阻尼孔组成，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，硅纳米线电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成；以键合基底为载体，在键合基底上键合有固定外框，固定外框的四边中心位置处连接有组合梁，组合梁连接于敏感质量块的四角部位，且内嵌于组合梁运动空间内，组合梁由检测梁、连接块、横向缓冲梁组成，结构设计紧凑，既能充分利用空间，适合器件微型化，又能抗击横向干扰，提高检测精度，硅纳米带电阻由硅纳米带电阻层、硅纳米带电阻正极、硅纳米带电阻负极组成，硅纳米带电阻层所具有巨压阻效应比传统的硅压阻器件的压阻灵敏度高约2个数量级，可大幅提高硅压阻式传感器的检测灵敏度和分辨率。
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公开(公告)号：CN102853826A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201210329748.7
申请日：2012-09-07
Applicant: 中北大学
IPC: G01C19/5733
Abstract: 本发明公开了一种硅基隧道磁阻效应微陀螺，包括：键合基板；垫衬框体，垫衬框体设在键合基板上方并与键合基板相连接；铁磁性薄膜，铁磁性薄膜设在键合基板与垫衬框体组合形成的矩形凹槽的中心位置；和微陀螺，微陀螺设在垫衬框体的上方并与垫衬框体相连接，且微陀螺包括：对应设在矩形凹槽上方的敏感质量块，敏感质量块上表面设有巨磁敏电阻且巨磁敏电阻与铁磁性薄膜位置对应。巨磁敏电阻层可随敏感质量块沿垂直于所述铁磁性薄膜上表面的方向振动。根据本发明的微机械陀螺仪采用整体结构设计，结构合理、紧凑，检测电路简单，使用方便、可靠性好、适合微型化。
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公开(公告)号：CN102633227A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210071296.7
申请日：2012-03-16
Applicant: 中北大学
Abstract: 一种MEMS惯性传感器结构压膜阻尼可调装置，主要由阻尼帽、键合衬底、二氧化硅层、氮化硅层、键合金属层、电阻正极、电阻负极、上极板电极、下极板电极、固定基座、硅弹性膜、凹腔、上极板金属层、下极板金属层、上极板金属层引出线、下极板金属层引出线、环形电阻、环形电阻正极引出线、环形电阻负极引出线组成，在键合衬底上制作有2组加热环形电阻和1对静电金属极板，可使待调器件的压膜阻尼系数减小或增加1-2个数量级，从实现对MEMS传感器Q值的封装后调制，此装置结构设计紧凑、巧妙，操作方便、响应迅速、可调精度高。
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公开(公告)号：CN202853816U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220541740.2
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种隧道磁阻压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的隧道磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本实用新型利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据隧道磁阻效应，隧道磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量，本实用新型结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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公开(公告)号：CN202853818U
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201220541990.6
申请日：2012-10-22
IPC: G01L1/12
Abstract: 一种巨磁阻式压力传感器，包括键合基板、设置在键合基板上方的铁磁性薄膜承载体、设置在铁磁性薄膜承载体的弹性薄膜的整个下表面的铁磁性薄膜、设置在键合基板上表面中心位置的巨磁敏电阻以及固定在铁磁性薄膜承载体上方的保护罩，保护罩上表面的中间设置连通保护罩的内腔和外界的通孔，本实用新型利用铁磁性薄膜形变引起磁场变化测得压力，被测压力通过通孔作用在沉孔区域的铁磁性薄膜上，使其发生离面形变，导致磁场发生变化，根据巨磁阻效应，巨磁敏电阻的阻值会在微弱磁场变化下发生剧烈变化，电阻值的变化将影响到外电路的输出电流或电压变化，由测得的电流或电压值实现对被测压力的测量。本实用新型结构合理，检测电路简单，灵敏度高，适合微型化。
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