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公开(公告)号：CN1611635A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410098138.6
申请日：2004-10-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor： 藤田一郎
CPC classification number: C04B41/009 , C01B32/20 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B35/522 , C04B35/52 , C04B35/83
Abstract: 本发明提供一种氮和硼等杂质少的SiC覆膜碳系材料及SiC包覆用的碳系材料。SiC覆膜碳系材料由具有利用SIMS分析法测定氮含量为5×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成。而且SiC覆膜碳系材料是由具有利用SIMS分析法测定硼含量为2×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成的。此外，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。并且，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的硼含量为1×1016原子/cm3或以下。
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公开(公告)号：CN104884411B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201480003621.3
申请日：2014-01-30
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B37/025 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B9/045 , B32B27/20 , B32B37/06 , B32B2262/106 , B32B2264/107 , C04B2237/083 , C04B2237/363 , C04B2237/385 , C04B2237/403 , C04B2237/404 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , G21B1/13 , Y02E30/128 , Y10T428/24545
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种增大金属层的厚度、并容易地实现金属层与碳材料层的接合，并且能够抑制破损的接合体及其制造方法。该接合体是CFC层(3)和钨层(4)接合而成的结构的接合体，在CFC层(3)与钨层(4)之间形成有经烧结的碳化钨层(5)以及SiC与WC的混合层(6)、进入CFC层且烧结的SiC和WC(7)，这些层(3)、(4)、(5)、(6)、(7)通过烧结法而接合。
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公开(公告)号：CN104884411A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201480003621.3
申请日：2014-01-30
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B37/025 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/007 , B32B9/041 , B32B9/045 , B32B27/20 , B32B37/06 , B32B2262/106 , B32B2264/107 , C04B2237/083 , C04B2237/363 , C04B2237/385 , C04B2237/403 , C04B2237/404 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , G21B1/13 , Y02E30/128 , Y10T428/24545
Abstract: 本发明的主要目的在于提供一种增大金属层的厚度、并容易地实现金属层与碳材料层的接合，并且能够抑制破损的接合体及其制造方法。该接合体是CFC层(3)和钨层(4)接合而成的结构的接合体，在CFC层(3)与钨层(4)之间形成有经烧结的碳化钨层(5)以及SiC与WC的混合层(6)、进入CFC层且烧结的SiC和WC(7)，这些层(3)、(4)、(5)、(6)、(7)通过烧结法而接合。
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公开(公告)号：CN1623894B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200410092101.2
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
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