公开(公告)号：CN107608234A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710854352.7

申请日：2017-09-20

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 葛伟 ,  赵利锋 ,  杨锦江 ,  陈圣华 ,  杨军 ,  陆生礼

IPC: G05B17/02

Abstract: 本发明公开了一种可重构系统的动态精度仿真控制器及方法，包括可重构系统、动态精度控制器、可重构配置接口、配置总线、流水总线、可重构系统输入输出端口；所述可重构系统以模块为单位，其输入端接配置总线，输出端接流水总线；所述可重构配置接口用于实现对可重构系统的配置信息切换与动态精度控制器的使能与配置信息切换；所述动态精度控制器用于实现可重构系统的模块精度可变；所述配置总线和流水总线用于实现可重构系统与外部配置信息的传递；所述可重构输入输出端口用于实现可重构系统的数据输入与可重构运算数据的输出。本发明达到了可重构系统内部动态精度可控的目的，提高了可重系统仿真的灵活性，加快了可重构系统的设计开发与验证流程。

公开(公告)号：CN107392309A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710810528.9

申请日：2017-09-11

Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所 ,  东南大学

Inventor： 陆生礼 ,  韩志 ,  庞伟 ,  李硕 ,  周世豪 ,  沈志源

IPC: G06N3/063 ,  G06F5/06

CPC classification number: G06N3/063 ,  G06F5/06

Abstract: 本发明公开了一种基于FPGA的通用定点数神经网络卷积加速器硬件结构，包括：通用AXI4高速总线接口，通用GPIO接口；提供通用的存储器硬件并且支持高并行的读写操作；通用卷积器可对定点数精度配置，可配置卷积操作大小，在完成数据存储后可配合高并行的读写进行高并行的卷积运算；通用读写控制单元，包含对ram、rom、Fifo的读写控制逻辑以及地址产生逻辑；通用状态控制器，针对卷积层和读写、计算过程做出相应的单元运行反应，控制整体的计算流程；通用卷积结果缓存器，采用对卷积结果分段式累加的方法，高速并行对处理结果进行缓存和向总线发送。本发明在基于Yolo算法的人脸检测和基于CNN的人脸识别应用中得到验证，体现出极高的运行速度和较高的数据精度。

公开(公告)号：CN106505106A

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201610884867.7

申请日：2016-10-11

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  田野 ,  杨卓 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/66409

Abstract: 本发明提供一种高雪崩耐量的屏蔽栅功率晶体管及其制备方法。该晶体管采用表面MOS结构，半导体外延层设置有沟槽，沟槽内壁生长有上薄下厚的阶梯状场氧化层，场氧化层内淀积有源极多晶硅，沟槽外围设置有P型体区，P型体区内设置有N+源极和P型半导体接触区，P型体区外围设置有N型JFET区，器件表面淀积有源极金属铝，并与外延层形成良好的欧姆接触。其制备方法包括：外延生长步骤，JFET及P型体区离子注入步骤，沟槽刻蚀步骤，氧化层生长步骤，源极多晶硅淀积步骤，栅极多晶硅及栅极氧化层形成步骤，N+源极离子注入步骤，P型半导体接触区离子注入步骤及源极金属淀积步骤。根据本发明制备的屏蔽栅功率半导体晶体管雪崩耐量能力可提高27％以上。

公开(公告)号：CN105790808A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610099729.8

申请日：2016-02-23

Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 葛伟琪 ,  龚宇 ,  刘波 ,  汪芮合 ,  葛伟 ,  陆生礼

IPC: H04B7/04 ,  H04L25/02

CPC classification number: H04B7/0413 ,  H04L25/024

Abstract: 本发明提供一种面向MIMO检测的可重构阵列架构，应用于可重构处理器系统中。可重构阵列架构包含通用可重构阵列、特殊可重构阵列及共享存储体。相较于传统的可重构阵列计算架构，本文的架构可以实现多种矩阵运算及多种K值下的完整K?best算法，通过组合异构的可重构阵列，通过灵活的共享存储方式，完成高效的MIMO检测计算。

公开(公告)号：CN105656491A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201511015976.7

申请日：2015-12-29

Applicant: 东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 陆生礼 ,  龚宇 ,  朱智洋 ,  刘波 ,  葛伟

IPC: H03M13/11

CPC classification number: H03M13/116

Abstract: 本发明公开了一种基于可配置计算阵列架构的多码率二元QC-LDPC码译码器及译码方法，译码器包括主控制器、主体译码运算器、数据存储单元和数据传输通路；主控制器用于接收译码请求，并提取译码率信息；主体译码运算器包括可配置计算单元阵列、阵列配置控制逻辑单元和配置存储单元，配置存储单用于译码率及对应的存储配置信息，阵列配置控制逻辑单元用于读取并解析配置信息，可配置计算单元阵列根据解析的配置信息进行重构配置以实现对应译码率的译码。本发明可以通过阵列配置控制逻辑单元对具有多功能的可配置计算单元阵列进行功能配置，从而完成不同译码环境下的不同计算需求。

公开(公告)号：CN110569760B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910794798.4

申请日：2019-08-27

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 陆生礼 ,  李支青 ,  庞伟 ,  刘昊 ,  缪烨昊

IPC: G06V40/16 ,  G06V40/40

Abstract: 本发明涉及一种基于近红外和远程光电体积描记术的活体检测方法，属于计算、推算、计数的技术领域。该方法：定位待检测对象的面部区域进行人脸识别；对通过人脸识别的对象获取面部的近红外光图像，通过检测近红外光图像获取红外光图像为翻拍自屏幕介质的评分；获取通过屏幕翻拍检测的对象的面部图像序列，利用远程光电体积描记术对待测图像序列进行生命体征信号的提取，辨别待检测对象是否为活体人脸。本发明提高了活体检测的鲁棒性，具备更强的分类和学习能力，能较好地应对三维面具、视频、照片翻拍等表示攻击，区分结果准确率较高。叠加最短周期信号提取生命特征信号的改进型远程光电体积描记术则无需先验知识，能够适应实际使用场景的需求。

公开(公告)号：CN108231898B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201711343954.2

申请日：2017-12-14

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 刘斯扬 ,  李婷 ,  魏家行 ,  李智超 ,  方炅 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种低导通电阻的碳化硅功率半导体器件，所述低导通电阻的碳化硅功率半导体器件为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的上设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有P+型体接触区和N+型源区，在N型漂移区的表面设有栅氧层，在栅氧层的表面设有多晶硅栅。其特征在于：在P型基区体内设有由N‑型区构成的阵列，上表面与栅氧层相分离，所述N‑型区在器件栅宽方向上N‑型区与P型基区间隔分布，且N‑型区到栅氧层的距离、厚度和掺杂浓度使得N‑型区在自然状态下恰好完全夹断。这种结构的优点在于维持器件击穿电压的同时，有效降低器件导通电阻，提升器件开态电流能力，降低开态能量损耗。

公开(公告)号：CN107689787B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201710675218.0

申请日：2017-08-09

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 祝靖 ,  张允武 ,  陆扬扬 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K17/687

Abstract: 一种用于半桥结构的高压侧栅驱动电路，其中的脉冲滤波电路包括两条信号通路，两条通路均设有缓冲电路、倒相器单元和整形电路，两个倒相器单元均有四个端口，两个倒相器单元的第一端口为输入端，两个倒相器单元的第二端口分别为输出端，两个倒相器单元的第三端口为固定电位端，两个倒相器单元的第四端口为浮动电位端；若第一端口和第四端口的电压差的绝对值高于倒相器单元阈值电压VTH，第四端口的电信号可以通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口；若第一端口和第四端口的电压差绝对值不高于倒相器单元阈值电压VTH，则第四端口的电信号无法通过第一倒相器单元或第二倒相器单元传递至第二端口。

公开(公告)号：CN107493095B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710674866.4

申请日：2017-08-09

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  陆扬扬 ,  许欢 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/567 ,  H03K19/003

Abstract: 一种硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管混合的栅驱动系统，包括驱动输入级、逻辑使能电路、电流源电路、IGBT栅极电压对时间的变化率检测电路、IGBT集电极电流对时间的二阶微分变化率检测电路以及IGBT管、肖特基二极管D1和采样电阻Rx。通过对IGBT的栅极电压VG和栅极电压的变化率dVG/dt以及集电极电流的二阶变化率d(dIc/dt)/dt进行采样和检测，实时的掌握IGBT开启过程的各个阶段，之后经过逻辑使能电路的判断并对栅驱动电路中的电流源电路进行控制，便可以改变IGBT开启过程的驱动电流大小，从而达到在IGBT的开启过程中抑制电流振荡减小电流过冲和开启损耗的目的。

公开(公告)号：CN107085132B

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201710351208.1

申请日：2017-05-18

Applicant: 东南大学 ,  东南大学—无锡集成电路技术研究所

Inventor： 孙伟锋 ,  薛尚嵘 ,  陆扬扬 ,  陶思文 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: G01R19/00 ,  H03K19/0185

Abstract: 一种正电压供电下的高精度负压检测电路，包括采样电压生成电路、带隙基准电压源、高精度电压比较器和输出驱动器，采样电压生成电路包括低压线性稳压管LDO和电阻分压网络，低压线性稳压管LDO稳定输出固定2.5V电压Vo与输入的负电压信号IN通过电阻分压得到正采样电压Vn，将Vn与带隙基准电压源产生的正基准电压Vref通过高精度电压比较器进行比较，Vn、Vref分别连接高精度电压比较器的负、正向输入端，比较结果通过输出驱动器输出对应的逻辑控制信号OUT，当输入信号IN为要检测的负电压信号时，输出驱动器输出逻辑高电平“1”，否则输出逻辑低电平“0”，实现了正电压供电下输入负电压信号的检测。