内窥镜插管辅助插入系统及方法、内窥镜系统

    公开(公告)号:CN110710951B

    公开(公告)日:2020-11-10

    申请号:CN201911057883.9

    申请日:2019-11-01

    Abstract: 本发明提供一种内窥镜插管辅助插入系统及方法、内窥镜系统。所述辅助插入系统包括影像识别处理单元和角度传感器,所述影像识别处理单元用于与内窥镜的影像输出端相连,所述角度传感器与所述影像识别处理单元相连;其中,所述影像识别处理单元,用于接收所述插管插入过程中的输出影像,并根据所述输出影像识别所述插管是否遇到预设的定位基准部位;响应于所述插管遇到所述定位基准部位,所述角度传感器实时获取所述插管相对所述声门裂部位的偏移角度,并将所述偏移角度反馈至所述影像识别处理单元;所述影像识别处理单元,还用于根据所述偏移角度调整所述插管的插入方向。可以大大降低插管插入目标部位的难度,提高插管插入的准确率。

    一种基于改进的牛顿迭代法的大规模MIMO预编码方法

    公开(公告)号:CN106788644B

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN201611254924.X

    申请日:2016-12-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于改进的牛顿迭代法的大规模MIMO预编码方法。包括步骤如下:首先估计信道矩阵,通过得到的信道矩阵计算RZF预编码表达式。然后采用牛顿迭代法对RZF预编码算法中的逆矩阵进行估计,将矩阵求逆运算转化成矩阵加法和矩阵乘法运算,最后利用得到的预编码矩阵对发送信号进行预编码。改进的牛顿迭代法是构建高阶迭代式,将位于0附近的特征值经过变换,使其更加靠近1,1附近的特征值保持不变,从而加快牛顿迭代的收敛速度。实验结果表明,当迭代次数超过4次时,传统的牛顿迭代法的性能优于基于泰勒级数展开的逆矩阵估计算法。在迭代次数为2时,改进的牛顿迭代优化算法就已经能获得大约95%的RZF预编码平均用户到达率。

    一种基于改进的牛顿迭代法的大规模MIMO预编码方法

    公开(公告)号:CN106788644A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201611254924.X

    申请日:2016-12-30

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于改进的牛顿迭代法的大规模MIMO预编码方法。包括步骤如下:首先估计信道矩阵,通过得到的信道矩阵计算RZF预编码表达式。然后采用牛顿迭代法对RZF预编码算法中的逆矩阵进行估计,将矩阵求逆运算转化成矩阵加法和矩阵乘法运算,最后利用得到的预编码矩阵对发送信号进行预编码。改进的牛顿迭代法是构建高阶迭代式,将位于0附近的特征值经过变换,使其更加靠近1,1附近的特征值保持不变,从而加快牛顿迭代的收敛速度。实验结果表明,当迭代次数超过4次时,传统的牛顿迭代法的性能优于基于泰勒级数展开的逆矩阵估计算法。在迭代次数为2时,改进的牛顿迭代优化算法就已经能获得大约95%的RZF预编码平均用户到达率。

    一种案件检索方法
    16.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119597906A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202411810446.0

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本发明公开了一种案件检索方法,首先通过一种基于堆栈的编码方法对企业案件文档进行编码,该方法在Transformer编码器的基础上,引入了堆栈模拟层来建模长文本的递归状态。然后提出了一种基于结构化信息保留的案件文档向量的降维算法,使用一个基于变分自编码器和随机四重损失的深度学习模型,对案件文档向量进行降维表示,有效地保留了案件文档结构化信息。同时,设计了面向结构保留的向量降维评估方案。最后,为了提高用户检索的精确度,提出了一种基于案件文档与检索匹配得分的重排方法,该方法将已排序的其他候选文档的上下文信息考虑在内,利用上下文的轻量级重排序框架显著增强检索模型的效果。

    一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件

    公开(公告)号:CN112259605B

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202011143648.6

    申请日:2020-10-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种耐瞬时电流冲击的异质结半导体器件,包括:衬底,在衬底中设有衬底电阻区,在衬底上依次设有第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第四半导体区,第二半导体层与第三半导体层接触形成电子沟道层,在衬底电阻区上依次设有第一介质区、金属区、第二介质区,在第三半导体层上设有第一金属电极、第三金属电极,在第四半导体区上设有第二金属电极,在衬底下方设有第四金属电极,第一介质区、第二介质区、半导体层呈交替分布,该结构可以提高器件耐瞬时电流冲击的能力,在器件承受瞬时大电流时,对器件起到一定的保护作用。

    一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN112164725B

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202011036591.X

    申请日:2020-09-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种高阈值的功率半导体器件及其制造方法,自下而上顺次包括:漏金属电极、衬底、缓冲层、漂移区;还包括:漂移区上由漂移区凸起、柱状p区和柱状n区共同构成的复合柱体,沟道层、钝化层、介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极;复合柱体是通过在漂移区上依次淀积p型半导体层和n型半导体层而后对其进行刻蚀形成;沟道层和钝化层依次通过淀积形成;由此以上器件被划分为元胞区和终端区,介质层、重掺杂半导体层、栅金属电极和源金属电极仅存在于元胞区,终端区的钝化层向上延伸并包裹于沟道层外侧。该结构可以提高器件阈值电压、提高器件阻断特性、降低栅电容大小。

    一种基于离散FréchetDistance的接地故障选线方法

    公开(公告)号:CN113156331A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202110018696.0

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明提供了一种基于离散FréchetDistance的接地故障选线方法,包括:采集故障信息,根据故障信息判断故障原因;若故障为单相接地故障,对各条馈线故障时间前后的零序电流信号进行提取,建立零序电流与时间的变化曲线;基于离散FréchetDistance算法,比较各条馈线在同一时间段的电流值,在同一时刻与其它馈线电流值差距最大的馈线既为故障线。本发明相对于现有技术,选线方法可有效解决高阻接地情况下选线率低的问题,满足对于准确性的要求;可以同时应用在电缆线路和架空线路,具有广泛的应用性。

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