公开(公告)号：CN101454480B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200780019791.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/345 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。

公开(公告)号：CN102549717A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201080043874.5

申请日：2010-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 片山大介 ,  本多稔 ,  鸿野真之 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/24 ,  C23C16/511 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J2237/3321 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明提供通过等离子体CVD法以高成膜速率形成质优的结晶性硅膜的方法。使用通过具有多个孔的平面天线将微波导入处理容器内而生成等离子体的等离子体CVD装置，利用上述微波激励包含以式SinH2n+2表示的硅化合物的成膜气体而生成等离子体，使用该等离子体进行等离子体CVD，由此，在被处理体的表面堆积结晶性硅膜，其中，n是2以上的数。

公开(公告)号：CN101454880B

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN200780019181.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。

公开(公告)号：CN101454880A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019181.0

申请日：2007-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 鸿野真之 ,  西田辰夫 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/31 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8247 ,  C23C16/34 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/511 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3185 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供等离子体CVD方法、氮化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法和等离子体CVD装置。使用等离子体处理装置，通过微波使已导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，在利用该等离子体在被处理基板的表面上沉积氮化硅膜时，向载置台供给高频电力，其中，该等离子体处理装置设置有能够真空排气的处理室、在处理室内载置被处理体的载置台、产生微波的微波产生源、具有多个缝隙并通过上述缝隙将微波产生源产生的微波导入上述处理室内的平面天线、将成膜原料气体供向处理室内的气体供给机构、和向载置台供给高频电力的高频电源。