公开(公告)号：CN106952894B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。

公开(公告)号：CN106952894A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201611191916.5

申请日：2016-12-21

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 石坂忠大 ,  小泉正树 ,  佐野正树 ,  洪锡亨

IPC: H01L23/64

Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。

公开(公告)号：CN102369444A

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN201080014356.0

申请日：2010-03-29

Applicant: 信和化工株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 和田启男 ,  田村浩 ,  小林宏资 ,  清元智文 ,  洪锡亨

IPC: G01N35/08 ,  B01J19/00 ,  B81B1/00 ,  G01N30/26 ,  G01N37/00

CPC classification number: G01N30/6095 ,  B01J19/0093 ,  B01J2219/00826 ,  B01J2219/00828 ,  B01J2219/00833 ,  B01J2219/0086 ,  B01J2219/00984 ,  B01L3/502746 ,  B01L2300/0816 ,  B01L2300/0883 ,  B01L2400/0487 ,  G01N27/44704 ,  G01N27/44791 ,  G01N30/6086 ,  Y10T29/49

Abstract: 设置在利用了压力输液的溶液分析系统内的微流道器件具有多个直线流道和连接相邻的直线流道的端部的弯曲流道。弯曲流道的宽度(w)小于直线流道的宽度(t)。弯曲流道的曲率半径(r)被设定为：使得由下式(1)表示的a的值小于或等于由下式(2)表示的基于所述弯曲流道的形状的理论台阶高度H的极大点处的a的值。其中，w：弯曲流道的宽度，uc：弯曲流道中的溶液的流道通过速度，γ：基于弯曲流道内存在的基材的分子扩散阻碍因子，Dm：溶液的分子扩散系数。a＝w/r ····(1)