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公开(公告)号：CN119678244A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058464.5
申请日：2023-08-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供在等离子体处理中能够控制基片的边缘部分处的离子的入射角，并且能够抑制在控制了离子入射角时等离子体处理结果发生变动的技术。等离子体处理装置包括：腔室；配置于腔室内的基片支承部，基片支承部具有导电性基座、静电吸盘、边缘环、基片偏置电极和边缘环偏置电极，边缘环偏置电极在俯视时延伸至基片支承面的边缘部分，具有与基片偏置电极局部重叠的环状重叠部分，环状重叠部分具有9mm～11mm的径向的宽度；上部电极；RF生成器；第一电压脉冲生成器，其与基片偏置电极电连接，构成为能够生成第一电压脉冲的序列；和第二电压脉冲生成器，其与边缘环偏置电极电连接，构成为能够生成第二电压脉冲的序列。
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公开(公告)号：CN119301743A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380043422.4
申请日：2023-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
Abstract: 基板处理装置具备处理容器、载物台、边缘环、升降机、以及控制部。载物台具有第一载置面和第二载置面。边缘环载置于第二载置面。升降机使边缘环相对于第二载置面升降。控制部在工序a)中，对载置于第一载置面的基板实施等离子体处理。另外，控制部在工序b)中，每当对第一数量的基板执行工序a)时，通过控制升降机使边缘环从第二载置面分离，执行处理容器内的第一清洁。另外，控制部在工序c)中，在进行边缘环的更换前，通过控制升降机使边缘环从第二载置面分离，执行处理容器内的第二清洁。
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公开(公告)号：CN111293041B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN201911244697.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭。
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公开(公告)号：CN111627789A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010104442.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种沉积处理方法和等离子体处理装置，所述沉积处理方法能够抑制掩模的开口堵塞并且实现蚀刻后的凹部形状的适当化。在使用基于第1处理条件生成的第1等离子体使沉积物沉积于基板的工序中，从在进行所述沉积的工序之前执行的前工序向进行所述沉积的工序转移时，在直至所述第1等离子体的状态稳定为止的期间，控制为相比于所述第1处理条件不使所述沉积物沉积于基板的条件。
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公开(公告)号：CN111293041A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911244697.6
申请日：2019-12-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及一种蚀刻处理方法和基板处理装置，控制将被蚀刻膜同时蚀刻为掩模的不同的图案时的CD。蚀刻处理方法是对在被蚀刻膜上形成有掩模的基板进行蚀刻的处理方法，所述掩模具有第一开口的凹部和第二开口的凹部的图案，所述蚀刻处理方法包括：第一蚀刻工序，将所述被蚀刻膜蚀刻至规定的深度；沉积工序，在所述第一蚀刻工序之后，在所述掩模上沉积保护膜；以及第二蚀刻工序，在所述沉积工序之后，蚀刻所述被蚀刻膜，其中，所述第一开口比所述第二开口小，所述沉积工序使所述第一开口的凹部封闭，不使所述第二开口的凹部封闭。
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