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公开(公告)号:CN1277294C
公开(公告)日:2006-09-27
申请号:CN200310116936.2
申请日:2003-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/312 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/02137 , B05D1/005 , B05D3/068 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3124
Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括:在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序;和,在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序,可以在使有机材料膜固化的共时,向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。
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公开(公告)号:CN1263097C
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200310123023.3
申请日:2003-12-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02351 , C23C16/56 , H01J37/317 , H01J2237/004 , H01J2237/3156 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/2636 , H01L21/312 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时,难以均匀地调整膜厚,例如如果使用旋转器涂布SOD膜,则如图9(a)所示,SOD膜的膜厚不均匀,这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下:在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时,根据图6(a)所示的膜厚分布,如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出,变更剂量量。
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