公开(公告)号：CN1742234A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200480002955.5

申请日：2004-01-27

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 平山拓 ,  羽田英夫 ,  藤村悟史 ,  岩井武 ,  佐藤充 ,  高须亮一 ,  立川俊和 ,  岩下淳 ,  石塚启太 ,  山田知孝 ,  高山寿一 ,  吉田正昭

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70616 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/70341 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

Abstract: 提供抗蚀剂组合物和使用该抗蚀剂组合物形成抗蚀剂图案的方法，所述抗蚀剂组合物对于在浸渍光刻法中使用的溶剂是稳定的，并表现出优异的灵敏度和抗蚀剂图案轮廓。该抗蚀剂组合物符合预定的参数，或者是正性抗蚀剂组合物，所述正性抗蚀剂组合物包括含有可酸解溶解抑制基团并表现出在酸作用下碱溶解性增加的树脂组分(A)、酸生成剂组分(B)和有机溶剂(C)，其中所述组分(A)包含衍生自含可酸解溶解抑制基团的(甲基)丙烯酸酯的结构单元(a1)，但所述组分(A)不包含结构单元(a0)，而所述结构单元(a0)又包括含二羧酸酐的结构单元(a0－1)和含酚羟基的结构单元(a0－2)。

公开(公告)号：CN1720485A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：CN200380104698.1

申请日：2003-12-01

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 平山拓 ,  山田知孝 ,  川名大助 ,  田村弘毅 ,  佐藤和史

IPC: G03F7/11 ,  C08G77/14 ,  H01L21/027

Abstract: 一种用于形成抗反射涂层的组合物，特征在于其包含有机溶剂并,在其中溶解下列物质：(A)由(a1)10－90摩尔％(羟基苯基烷基)倍半硅氧烷单元、(a2)0－50摩尔％(烷氧基苯基烷基)倍半硅氧烷单元和(a3)10－90摩尔％烷基或苯基倍半硅氧烷单元组成的梯形硅酮共聚物，(B)暴露于热或光下可产生酸的产酸剂，和(C)交联剂，而且该组合物能够形成对ArF激光的光学参数(k值)为0.002－0.95的抗反射涂层。该组合物可溶于有机溶剂，能够通过常规的旋涂法容易地进行涂覆，具有良好的储存稳定性，且可以向其中通过引入吸收辐射线的发色团来表现出对反射的调节预防能力。

公开(公告)号：CN1677235A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510062432.6

申请日：2005-03-28

Applicant: 东京应化工业株式会社

Inventor： 细野隆之 ,  田村弘毅 ,  川名大助 ,  山田知孝

IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0757 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122

Abstract: 本发明提供掩模线性优异的正型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物为含有基础树脂组分(A)、通过曝光产生酸的酸发生剂组分(B)的正型抗蚀剂组合物，所述基础树脂组分(A)是硅树脂，所述酸发生剂组分(B)含有以碳数3或4的全氟烷基磺酸根离子为阴离子的鎓盐类酸发生剂(B1)。