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公开(公告)号：CN102027612B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN200980117108.6
申请日：2009-05-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L51/30 , C01B31/02 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0566 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , H01L51/0004 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0048 , H01L51/0072 , H01L51/0545 , H01L51/10
Abstract: 碳纳米管复合体，其在碳纳米管表面的至少一部分上附着有共轭系聚合物，所述共轭系聚合物在重复单元中含有环中具有含氮双键的稠合杂芳基单元和噻吩单元。本发明可减少场效应晶体管的磁滞，所述场效应晶体管具有含有碳纳米管的半导体层。
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公开(公告)号：CN102089870B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3。
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公开(公告)号：CN102089870A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200980109467.7
申请日：2009-02-27
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/312 , C08G59/20 , C08G59/68 , C09D5/25 , C09D183/04 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L51/052 , C08G59/306 , C08G59/3281 , C08G65/20 , C08G77/14 , C09D163/00 , G03F7/0757 , H01B3/40 , H01B3/46 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0036 , H01L51/0068 , H01L51/0545
Abstract: 提供耐化学试剂性高、抗蚀剂或有机半导体涂液的涂布性优异、并且磁滞小的栅极绝缘材料。是含有至少以通式(1)表示的硅烷化合物及通式(2)表示的含环氧基的硅烷化合物为共聚成分的聚硅氧烷的栅极绝缘材料。R1m Si(OR2)4-m(1)(此处，R1为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R2为烷基或环烷基。m为1～3的整数。)R3nR4lSi(OR5)4-n-l(2)(此处，R3是链的一部分具有1个以上环氧基的烷基或环烷基，R4为氢、烷基、环烷基、杂环基、芳基、杂芳基或链烯基，R5为烷基或环烷基。l为0～2的整数，n为1或2。l+n≤3)。
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