公开(公告)号：CN109395747B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201811359989.X

申请日：2018-11-15

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  涂兴龙 ,  白仕亨 ,  尹桂林 ,  李砚瑞 ,  葛美英 ,  金彩虹

IPC: B01J27/051 ,  B01J37/10 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni‑doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，获得了一种稳定性强催化活性高的Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，整体制备方案可控性高，适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni‑doped MoS2/TiO2光催化材料，可直接用于可见光催化反应。

公开(公告)号：CN109338391B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201811217045.9

申请日：2018-10-18

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  白仕亨 ,  涂兴龙 ,  葛美英 ,  金彩虹

IPC: C25B1/04 ,  C25B11/054 ,  C25B11/077

Abstract: 本发明涉及了一种用于光电化学分解水制氢的基底的制备方法及其产品和应用，利用传统的水热法在新的实验参数的条件下在FTO玻璃表面制备性能优越的In2S3超薄纳米片阵列，制备出的In2S3超薄纳米片阵列致密而均匀；在制备好的In2S3光电化学分解水的基底上继续生长ZnO纳米颗粒，ZnO半导体与In2S3构建异质结，通过控制ZnO生长的时间来控制ZnO纳米颗粒的粒径及ZnO在In2S3薄膜中的含量，从而实现对In2S3光电性能的调控，显著提高光解水基底的光电流。将In2S3纳米片阵列与ZnO纳米颗粒的制备结合起来，构成In2S3‑ZnO异质结，利用ZnO纳米颗粒均匀、表面积大的优点提高In2S3光电性能，按照本方案制备出的复合光阳极结构在500 W模拟太阳光的照射下比纯In2S3光阳极结构的光电流提高3倍。

公开(公告)号：CN110993731A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201911181909.0

申请日：2019-11-27

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 崔大祥 ,  白仕亨 ,  卢静 ,  金彩虹

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明涉及一种基于氧化层/金纳米棒/硅的可见-短波红外光探测基底的制备方法，通过一种银诱导无种法合成具有不同长径比的小尺寸金纳米棒；将其负载到硅片表面作为光吸收层，经退火处理获得结合更紧密金纳米棒/硅片基底；在金纳米棒/硅复合基底表面沉积不同的氧化物薄膜，构建成具有良好光电响应的异质结结构，最终得到氧化物/金纳米棒/硅基底新型可见-短波红外光探测基底。该复合基底能够对可见-短波红外光表现出极高的探测灵敏度。与现有技术相比，本发明获得的探测基底具有光谱响应范围宽、响应灵敏度高、响应波段可调、抗干扰能力强等优点。

公开(公告)号：CN110724931A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201911180892.7

申请日：2019-11-27

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 崔大祥 ,  卢静 ,  白仕亨 ,  郑棣元 ,  蔡葆昉 ,  葛美英 ,  王丹 ,  金彩虹

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及一种原子层沉积制备二硫化铼薄膜的方法，原子层沉积系统腔内沉积温度应加热到350-450℃的沉积温度；设置Re前驱源C8H5O3Re温度为120-135℃，载气流量为80-120sccm；S前驱体源SH(CH2)2SH的载气流量为100-150sccm，沉积循环中，Re前驱源C8H5O3Re时间为1.2-2.5s，SH(CH2)2SH的脉冲时间为0.5-1.5s，按照Re源沉积2次和S源沉积1次构成1个ReS2沉积循环，可通过循环数目控制MoS2薄膜厚度。本发明能够在原子层沉积过程中有效避免S缺陷过多问题，在无需进行额外的高温硫化的条件下获得化学计量比稳定、光电性能良好的ReS2薄膜。

公开(公告)号：CN109395747A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811359989.X

申请日：2018-11-15

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  涂兴龙 ,  白仕亨 ,  尹桂林 ,  李砚瑞 ,  葛美英 ,  金彩虹

IPC: B01J27/051 ,  B01J37/10 ,  C02F1/30 ,  C02F101/38 ,  C02F101/34

Abstract: 本发明涉及一种采用溶剂热法在无表面活性剂和模板的条件下，获得了纳米片组装的花状Ni-doped MoS2结构，随后用原子层沉积技术在表面包覆超薄TiO2层，即可获得催化性能优异的花状Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，获得了一种稳定性强催化活性高的Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，整体制备方案可控性高，适用于规模化生产。本发明制备的花状Ni-doped MoS2/TiO2光催化材料，可直接用于可见光催化反应。

公开(公告)号：CN109365831A

公开(公告)日：2019-02-22

申请号：CN201811556386.9

申请日：2018-12-19

Applicant: 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司

Inventor： 何丹农 ,  卢静 ,  白仕亨 ,  涂兴龙 ,  金彩虹

IPC: B22F9/24 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明提供了一种基于尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥结构的新型红外光电探测基底的制备方法，即利用弱酸还原Pd和Ag阳离子溶液的方式在金纳米双锥尖端沉积Pd/Ag合金，从而获得吸收峰在1400-2000nm范围的尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥结构。通过对硅片进行表面处理，将尖端沉积Pd/Ag金纳米双锥有效负载在硅片表面以构建高性能近红外光吸收层，后利用原子层沉积在得到的基底表面沉积一定厚度的氧化物薄膜，从而获得高性能的近红外光电探测基底。本发明所制备的探测基底对1400-2000nm红外波段的光表现出良好的选择性响应，且整体制备方法易控，可重复性强，兼容性高、抗干扰能力强，能够适用于不同的工作环境。