-
公开(公告)号：CN111081811A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
-
公开(公告)号：CN111063788A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911186950.7
申请日：2019-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种超导转变边探测器的制备方法，包括以下步骤：通过磁控溅射方法在衬底上制备铝(Al)薄膜；对Al薄膜进行光刻和湿法刻蚀处理；获取探测器薄膜和电极图形；对Al薄膜再次进行光刻处理，采用光刻胶覆盖电极图形区域；采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行锰(Mn)离子注入；通过调整Mn离子的注入量能够调整探测器薄膜的超导转变温度，超导转变温度范围为1.2K-50mK；去除所述光刻胶；获取待处理器件。本申请实施例采用多能量离子注入方法对探测器薄膜区域进行Mn离子注入，电极区域不进行Mn离子注入，如此，能够实现基于同一层Al薄膜通过选区注入实现探测器和超导电极两种不同超导转变温度的薄膜。
-
公开(公告)号：CN109727850B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量‑注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
-
公开(公告)号：CN111081811B
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201811229790.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236
Abstract: 本发明提供一种陷光结构的制备方法及半导体陷光结构，制备包括：提供一衬底，至少包括第一化学元素及第二化学元素，第一化学元素具有第一饱和蒸气压，第二化学元素具有第二饱和蒸气压，第一饱和蒸气压小于第二饱和蒸气压；对衬底进行离子束辐照，使得所述第一化学元素逃逸出离子束辐照面，并基于第二化学元素于离子束辐照面上形成陷光结构。本发明通过离子辐照的技术，在衬底表面快速制备大面积陷光结构，且制绒高度可调，能够大大简化陷光结构的制备流程，降低成本，可以极大增加衬底光接收面积，减小光反射率，应用在太阳能电池中，能够有效降低光反射，提高转化率，只需要一步，大大简化了传统“制绒”方式，降低了成本，提高了可操控性。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111575668A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010290064.5
申请日：2020-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种磁性掺杂超导薄膜及制备方法和超导转变边沿探测器，涉及低温超导探测器技术领域。本发明通过在衬底上形成预设的宿主薄膜，并在宿主薄膜的深度方向进行非均匀注入磁性离子，在宿主薄膜的深度方向上形成共存的磁性掺杂区和非掺杂区，得到磁性掺杂超导薄膜。本发明采用非均匀的离子注入方式，能够有效抑制宿主薄膜的超导特性，起到调控宿主薄膜的临界温度的目的。相对于现有技术，本发明在达到相同的临界温度调控的同时，还可以获得更低的电阻率；由于该磁性掺杂超导薄膜具有较高的稳定性，能够使超导转变边沿探测器的制备和性能避免因双层膜不稳定性带来的影响，能够极大地提高超导转变边沿探测器制备过程中和使用性能的稳定性。
-
公开(公告)号：CN110632687A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201810651434.6
申请日：2018-06-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种可调控电磁波吸收的超材料晶体结构及制备方法，制备包括：提供闪耀光栅衬底，表面形成有周期排布的锯齿状阵列结构，包括具有第一倾角的第一槽面及具有第二倾角的第二槽面；于闪耀光栅衬底上形成交替多层膜结构，包括若干个超材料结构单元，包括第一等效介电常数单元和第二等效介电常数单元，二者之间形成电磁波吸收界面，本发明的超材料晶体结构可按需调控电磁波的吸收，可以通过调控超材料晶体结构支持的界面波矢，所述多层膜的材料参数和光栅的闪耀角，可精确调控电磁波的特征吸收峰；通过调控超材料晶体结构的周期P，即光栅常数，可有效调控电磁波的吸收系数，可针对不同频段的电磁波的吸收调控，无需重新设计超材料晶体结构。
-
公开(公告)号：CN109727850A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201811564257.4
申请日：2018-12-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/265 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种利用离子注入实现目标薄膜纵向均匀掺杂的方法，包括于目标薄膜的厚度方向上选取N个不同的注入深度峰值点；确定待注入离子并提供M组预设注入条件以模拟待注入离子注入目标薄膜时的离子注入过程，得到注入能量-注入深度分布函数组，从而得到N个与注入深度峰值点一一对应的注入能量值；设定目标薄膜纵向掺杂的总目标浓度，并基于总目标浓度得到N个与注入能量值一一对应的注入剂量值，且N个注入剂量值之和的方差最小化；基于注入能量值及注入剂量值形成N组注入条件以控制待注入离子注入至目标薄膜，实现通过N次离子注入在纵向上叠加实现目标薄膜的纵向均匀掺杂。通过本发明解决了现有离子注入方法无法实现纵向均匀掺杂的问题。
-
公开(公告)号：CN102891690B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201110202238.9
申请日：2011-07-19
Applicant: 上海无线通信研究中心
IPC: H03M13/23
Abstract: 本发明公开了一种咬尾卷积码译码方法，该方法基于循环维特比译码算法，根据接收到的软信息序列，通过迭代对不可能的起始状态逐一排除，最终寻找到最优咬尾路径。本发明通过多次迭代将所有不可能的状态排除，只有和接收序列最相似的咬尾路径的起始状态才幸存下来，最后算法收敛到最优的咬尾路径输出；此外，它还通过得到的幸存咬尾路径来更新最大似然咬尾路径的度量值或者从起始状态中将不可能的起始状排除，有效地解决了循环陷阱问题导致的算法不收敛性，解决了咬尾卷积码没有实用的最优译码算法的困境，降低了现有译码方案的复杂度。
-
公开(公告)号：CN102891690A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110202238.9
申请日：2011-07-19
Applicant: 上海无线通信研究中心
IPC: H03M13/23
Abstract: 本发明公开了一种咬尾卷积码译码方法，该方法基于循环维特比译码算法，根据接收到的软信息序列，通过迭代对不可能的起始状态逐一排除，最终寻找到最优咬尾路径。本发明通过多次迭代将所有不可能的状态排除，只有和接收序列最相似的咬尾路径的起始状态才幸存下来，最后算法收敛到最优的咬尾路径输出；此外，它还通过得到的幸存咬尾路径来更新最大似然咬尾路径的度量值或者从起始状态中将不可能的起始状排除，有效地解决了循环陷阱问题导致的算法不收敛性，解决了咬尾卷积码没有实用的最优译码算法的困境，降低了现有译码方案的复杂度。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.087 seconds)
