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公开(公告)号：CN109234795A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811330586.2
申请日：2018-11-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质，所述方法包括：预先设置放肩过程不同阶段的晶体直径变化值的设定值、放肩长度变化值的设定值和晶体生长工艺参数的设定值；获得放肩过程不同阶段的晶体直径和放肩长度，并计算变化值；将晶体直径变化值和放肩长度变化值的比值与晶体直径变化值的设定值和所述放肩长度变化值的设定值的比值进行比较，得到差值，作为PID算法的输入变量；通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；将调节值和设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数。采用本发明的方法、装置、系统及计算机存储介质，采用PID算法对放肩过程的直径变化进行控制调节，克服热场微小变化影响，保证晶体直径的变化值一致，提高可重复性和工艺稳定性。
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公开(公告)号：CN108950678A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710357457.1
申请日：2017-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种带有水冷套的热屏组件及单晶提拉炉热场结构，所述带有水冷套的热屏组件包括热屏，及位于所述热屏内壁表面的水冷套。通过本发明所述的带有水冷套的热屏组件及单晶提拉炉热场结构，解决了采用现有技术进行大面积高温镀层时加工难度大、成本高的问题。
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公开(公告)号：CN107815729A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201610818921.8
申请日：2016-09-12
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明公开了一种单晶炉，所述单晶炉包括一长晶炉腔和一控制系统，所述控制系统包括一数据采集模块和一数据处理模块，所述数据采集模块采集所述长晶炉腔中的实时数据，所述数据处理模块中包括一仿真结果数据库，所述仿真结果数据库是通过模拟仿真构建出的一个完整的长晶数据库，通过对单晶体生长进行全面模拟仿真，得到不同工艺条件下的模拟仿真数据，可以实时监测和分析单晶炉的温度分布和流场分布，并且，将控制系统探测到的数据与长晶数据库中的模拟仿真结果进行智能交互，以实时数据为基础，适时在线调整工艺，改变传统的单一化的控制方式，提高单晶炉的控制精准度，提高单晶体的晶体质量。
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公开(公告)号：CN107779945A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610725182.8
申请日：2016-08-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供一种异型加热器及单晶提拉炉热场结构，所述异型加热器适用于为单晶提拉炉热场结构中的坩埚进行加热，所述异型加热器包括加热器主体，所述加热器主体包括第一部分及位于所述第一部分下方且与所述第一部分相连接的第二部分；所述加热器主体第一部分的厚度由上至下逐渐增大。本发明的异型加热器根据实际温度分布的需要将加热器主体不同位置的厚度设置为不同，可以有效降低加热器材料的损耗；通过设置延伸至坩埚底部的凸部，使用凸部与具有不同厚度的加热器主体组合成一个整体进行加热，可以精确控制单晶提拉炉热场结构中温度分布，且不需要底部加热器配合使用，减少了一路控制系统。
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公开(公告)号：CN112095154B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910527728.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112522779A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011299514.3
申请日：2020-11-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
IPC: C30B15/20 , C30B29/06 , G01F23/292
Abstract: 本发明提供了一种液位测量方法及拉单晶方法，所述液位测量方法用于探测拉晶设备内的熔体的液位信息，所述液位测量方法包括以下步骤：将探测器配置为设置于所述熔体的熔体液面的上方；利用所述探测器获取所述熔体液面至所述探测器的第一距离的信息；以及，基于所述第一距离的信息获取所述熔体液面至导流筒的熔体液位信息，得到所述熔间隙的距离。如此设置，使得探测器与熔体液面为非接触的形式，在长晶过程中不会带来污染，可以根据实际需求探测不同区域的熔体液位，探测的灵活性高，探测器还可以设置不同的高度，熔体液位不受限制，可以测量的熔体液位范围大，还能够实时地获取熔体液位信息，提高单晶的质量，避免采用靶点材料，减少成本。
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公开(公告)号：CN112095154A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910527728.2
申请日：2019-06-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体晶体生长装置。包括：炉体；坩埚，所述坩埚设置在所述炉体内部，用以容纳硅熔体；加热器，所述加热器包括环绕所述坩埚设置的石墨圆筒，用以加热所述硅熔体；提拉装置，所述提拉装置设置在所述炉体顶部，用以从所述硅熔体内提拉出硅晶棒；以及磁场施加装置，用以对所述坩埚内的所述硅熔体施加水平方向上的磁场；其中，在所述石墨圆筒的侧壁沿着所述石墨圆筒的轴线方向设有多个凹槽，其中在所述磁场方向上的所述凹槽的深度小于垂直于所述磁场方向上的所述凹槽的深度。根据本发明的半导体晶体生长装置，改善了硅熔体内温度分布均匀性，改善了半导体晶体生长的品质。
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公开(公告)号：CN110093663A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810084837.7
申请日：2018-01-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
IPC: C30B15/26
Abstract: 本发明提供一种用于晶体直径测量的自动校准方法及校准系统，所述校准方法包括：提供长晶炉，所述长晶炉的上方设置有第一校准CCD相机、第二校准CCD相机以及测量CCD相机；在长晶过程中，通过所述测量CCD相机获取晶体的直径；由所述第一校准CCD相机和所述第二校准CCD相机分别捕捉所述晶体关于圆心对称的两个边缘，以获取所述晶体的实测直径；利用所述实测直径对所述测量直径进行校准。本发明提供的用于晶体直径测量的自动校准方法及校准系统，模拟了人工校准直径的方法，自动对晶体直径进行实时在线校准，从而精确控制晶体直径，有效降低成本，增加长晶的效率。
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公开(公告)号：CN110067018A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201810059354.1
申请日：2018-01-22
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Inventor： 邓先亮
Abstract: 本发明提供了一种拉晶系统。所述系统包括：热场冷却装置，所述热场冷却装置包括筒状吸热装置和在所述筒状吸热装置内部设置的冷却液回路，所述筒状吸热装置的长度方向与拉晶方向一致，所述冷却液回路沿所述长度方向设置，所述热场冷却装置用以冷却对坩埚内的硅熔体加热所产生的热场。根据本发明的拉晶系统，可在拉晶结束后采用热场冷却装置对拉晶室内的热场进行冷却，通过筒状吸热装置吸收热场的热量，并通过筒状吸热装置内的冷却液回路将热量带走，从而加快热场的冷却，提高了热场散热的效率，进一步提升拉晶制造工艺的效率，提升了产能。
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公开(公告)号：CN109930198A
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201711368190.2
申请日：2017-12-18
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种热屏及单晶硅生长炉结构，所述热屏设置于所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏包括双层屏底及双层屏壁，所述双层屏底及所述双层屏壁包覆有保温材料，所述双层屏底具有供所述熔体提拉通过的窗口，所述双层屏底包含上层以及下层，所述上层沿水平面设置，所述下层与所述水平面呈一角度倾斜与所述上层相交于所述窗口的周缘，且所述下层的底面偏向所述熔体坩埚内部。本发明通过改变热屏底部设计达到优化轴向和纵向温度梯度的目的，从而提高单晶硅的拉速，提高硅片径向的质量均匀性。本发明可有效提高工艺效率，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
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