公开(公告)号：CN219689845U

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202321268547.0

申请日：2023-05-23

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司

Inventor： 王华杰 ,  李炜 ,  林明献 ,  曹共柏 ,  潘帅

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52

Abstract: 本实用新型提供一种外延生长设备的气流调节结构，所述气流调节结构呈环形管状，且具有沿轴向延伸的环壁，所述环壁不同位置具有不同的轴向延伸高度，以调控外延生长工艺中进入半导体衬底上方的气流大小。通过气流调节结构调节外延生长工艺中半导体衬底上方局部气流，进而使外延层薄膜厚度均匀性与平坦度得到优化。本实用新型中，气流调节结构与基座是相互独立的两个装置，无需调整基座，气流调节结构制造工艺简单，加工周期通常仅需基座制造一半时间，降低了设备成本。

公开(公告)号：CN222294262U

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202420899872.5

申请日：2024-04-28

Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 ,  上海新昇晶科半导体科技有限公司

Inventor： 曹共柏 ,  王华杰 ,  王佳 ,  郑华浩 ,  林明献 ,  李炜

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/12 ,  C30B25/10

Abstract: 本实用新型提供一种外延基座以及外延设备，外延基座包括：基座主体；基座主体包括承载台以及凹陷部，承载台设置于基座主体的边沿，承载台与凹陷部连接，形成用于承载晶片的承载面，凹陷部相对于承载台沿远离晶片的方向内凹，晶片搭设于承载台上，且晶片在外延过程中与凹陷部相接触；凹陷部设置有至少两个凹槽，凹槽沿基座主体的周向设置，且至少两个凹槽沿基座主体的径向排布。如此配置，基座主体靠近晶片的一侧具有凹凸的面貌，导致凹槽区域的温度分布改变，使晶片背面的受热和传热出现变化，从而改变晶片表面的温度，引起沉积速率的变化，以达到补偿其他硬件或气流导致的沉积速率的变化，合适的补偿能够改善晶片外延的平坦度和厚度均匀性。