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公开(公告)号：CN116413974A
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202111638186.X
申请日：2021-12-29
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: G02F1/29
Abstract: 本发明提供一种大波长控制扫描角度的光学相控阵，该大波长控制扫描角度的光学相控阵包括光开关及多个光学相控子阵列，其中，光开关包括多个输出端；多个光学相控子阵列分别与光开关的不同输出端相连，光学相控子阵列包括依次相连的分束器、移相器及发射光栅结构，不同光学相控子阵列的发射光栅结构的光栅周期不同。本发明利用光开关加光学相控阵子阵列的方式来增大波长控制的扫描角度，其中，利用光开关选择工作的光学相控阵子阵列，两个子阵列在相同的激光器波长范围内，对应的偏转角度恰好互补，通过切换工作的子阵列就可以实现波长控制扫描角度的扩大，提高波长控制扫描角度的效率，通过增加子阵列的数量可以进一步增大波长控制的扫描角度。
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公开(公告)号：CN111751926B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201910243172.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN111785792B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201910272710.2
申请日：2019-04-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种锗铅合金材料的制备方法。该方法包括：在衬底上沉积基底介质层；在基底介质层中形成开孔所述衬底从所述开孔露出的部分被作为生长种子窗口；在所述基底介质层表面以及从所述开孔露出的衬底表面沉积包含锗(Ge)元素和铅(Pb)元素的材料层；在所述材料层表面沉积阻挡介质层；以及对所述衬底进行退火，在所述材料层中形成所述四族半导体锗铅合金材料。根据本申请，能够在衬底表面形成质量较高的GePb合金，并且，该方法与CMOS工艺的兼容性较好，有利于GePb合金在硅基器件中的应用。
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公开(公告)号：CN110896115B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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公开(公告)号：CN110828603B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201810924656.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890436B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811056068.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0336 , H01L31/028 , H01L31/11 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导型GeSn光电晶体管及其制造方法。所述波导型GeSn光电晶体管包括：SOI衬底，具有由所述SOI衬底的顶层硅形成的波导层；器件结构，位于所述SOI衬底表面，包括吸收区、集电极区、基极区和发射极区，其中：所述集电极区、所述吸收区和所述基极区均采用Ge1‑xSnx材料构成、且沿平行于所述SOI衬底的方向依次排列；所述发射极区沿垂直于所述SOI衬底的方向层叠设置于所述基极区表面，以在所述发射极区与所述基极区之间形成异质结；其中，0
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公开(公告)号：CN111834486A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910243160.1
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/028 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种波导型GePb红外光电探测器及其制造方法。所述波导型GePb红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底表面的波导层和器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、吸收层和上接触层，所述吸收层的材料为Ge1-xPbx，其中，0
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公开(公告)号：CN110957360A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201811133445.1
申请日：2018-09-27
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L29/778 , H01L29/267 , H01L21/335
Abstract: 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管及其制造方法，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述势垒层与栅电极连接，所述盖层与源电极和漏电极连接。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。
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公开(公告)号：CN110896115A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811062635.9
申请日：2018-09-12
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/113 , H01L31/0312 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种光电晶体管、红外探测器和光电晶体管的制作方法。该光电晶体管包括栅极堆栈；设置于栅极堆栈一侧的有源层；设置于有源层远离栅极堆栈一侧的抗反层；其中，有源层包括沟道区，以及位于沟道区两侧的源极区和漏极区；其中，有源层的材料为锗锡合金。本发明提供的技术方案通过形成上述光电晶体管结构，并设置有源层的材料为锗锡合金，可使光电晶体管具有较高的灵敏度，且光电晶体管结构简单。
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公开(公告)号：CN111755553B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201910242772.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
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