公开(公告)号：CN116022720A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202111256802.5

申请日：2021-10-27

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 郭松 ,  王诗男 ,  彭鑫林 ,  冯刘昊东 ,  陈朔 ,  季宇成

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种复合吸气剂薄膜结构，复合吸气剂薄膜结构包括：N个图形吸气剂薄层，N个图形吸气剂薄层中，至少有两个含不同的吸气剂材料的图形吸气剂薄层；图形吸气剂薄层具有在图形吸气剂薄层面内方向延伸的多个连续的孔隙，孔隙在图形吸气剂薄层的侧面具有开口。本发明可以有效增加吸气剂薄膜的比表面积，使其吸气能力和速度得到大大提高。本发明可以在一个复合吸气剂薄膜结构中，导入两种以上的吸气剂材料，可以对应多种气体的吸附，同时节省空间，降低成本。

公开(公告)号：CN117534030A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202210922761.7

申请日：2022-08-02

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 季宇成 ,  许杨 ,  陈朔 ,  郭松 ,  彭鑫林 ,  冯刘昊东 ,  王诗男

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种在基板上形成悬空的微细结构的方法：在所述基板的一个主面上形成凹部；在所述凹部中形成牺牲层结构；在所述牺牲层结构上方形成微细结构，以及使所述牺牲层结构部分暴露的通道；通过所述通道去除所述牺牲层结构从而露出所述凹部；通过所述通道对所述凹部进行刻蚀进而形成更深的空腔，并使所述微细结构悬空。由此，能够同时满足较小的钻蚀、可控的空腔深度以及较大的空腔面积的要求。

公开(公告)号：CN117446741A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202210845397.9

申请日：2022-07-18

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 季宇成 ,  王诗男 ,  陈朔 ,  郭松 ,  冯刘昊东 ,  彭鑫林 ,  许杨

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种具有微型加热器的薄膜吸气剂结构及其制造方法，包括：在基板的第一主面一侧形成有一个或两个以上热子以及在所述热子表面形成有吸气剂薄膜，其中，所述热子包括：第一绝缘薄膜，在第一绝缘薄膜上表面形成的薄膜电阻，以及覆盖所述薄膜电阻的第二绝缘薄膜；所述基板和所述第一绝缘薄膜中形成有贯穿所述基板和所述第一绝缘薄膜的导电柱，所述薄膜电阻的两端与所述导电柱连接，所述基板的第二主面形成有与所述导电柱连接的电极，以将所述薄膜电阻电性引出。所述基板的所述第一主面一侧具有多孔结构，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分位于所述多孔结构上方，所述热子的承载所述吸气剂薄膜的部分通过连接部支撑于所述多孔结构周围的主面。

公开(公告)号：CN117276187A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202210666856.7

申请日：2022-06-13

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 冯刘昊东 ,  陈朔 ,  彭鑫林 ,  郭松 ,  季宇成 ,  王诗男

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: 本发明提供一种半导体基板中硅通孔的制作方法，包括：形成从所述半导体基板的第二主面贯穿至第一主面的复数个通孔沟槽，每一通孔沟槽位于所述半导体基板的第一主面上的端部被相应的通孔底部电极覆盖；在所述通孔沟槽内邻近开口处的侧壁形成辅助电极；通过所述电镀电极在所述通孔沟槽中电镀金属插塞。本发明将通孔底部电极通过电极连线连接到电镀电极，向电镀电极施加一电压以所述通孔底部电极为第一种子层在所述通孔沟槽中电镀金属插塞，并且在电镀的后阶段进一步利用位于通孔沟槽开口附近的内侧壁的辅助电极作为第二种子层，既实现了自底部向上的填充模式，又加快了电镀的速率，提高了硅通孔的填充质量，降低硅通孔的制造难度。

公开(公告)号：CN116931378A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210359999.3

申请日：2022-04-06

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 季宇成 ,  龚燕飞 ,  陈朔 ,  郭松 ,  彭鑫林 ,  冯刘昊东 ,  王诗男

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/76 ,  G03F1/80

Abstract: 本申请提供一种金属薄膜图形的制造方法，包括：在基板表面沉积金属薄膜，在所述金属薄膜上面形成聚合物胶层，在所述聚合物胶层上面形成感光性光刻胶层；对所述感光性光刻胶进行曝光和显影，从而将所述感光性光刻胶图形化，形成第一刻蚀窗口，其中，在使用显影剂对所述感光性光刻胶进行显影时，从所述第一刻蚀窗口中露出的所述聚合物胶层被所述显影剂腐蚀以形成第二刻蚀窗口；以及对从所述第二刻蚀窗口暴露的所述金属薄膜进行刻蚀，以形成金属薄膜图形。根据本申请，使用光刻胶图形做掩膜，在聚合物胶层中形成刻蚀窗口，以该聚合物胶层中的刻蚀窗口作为掩膜，对金属薄膜进行刻蚀，从而形成金属薄膜图形，由此，能够改善金属薄膜侧壁粗糙度。

公开(公告)号：CN116072521A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202111283824.0

申请日：2021-11-01

Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司

Inventor： 彭鑫林 ,  季宇成 ,  郭松 ,  冯刘昊东 ,  陈朔 ,  王诗男

IPC: H01L21/18 ,  B81B7/02

Abstract: 本发明提供一种用于晶圆级封装的共晶键合方法，所述共晶键合方法包括：提供一第一晶圆，于所述第一晶圆上形成第一膜层，所述第一膜层包含第一金属和第二金属，并且所述第一膜层的最表层由所述第一金属构成，所述第一金属与所述第二金属相比具有更强的抗氧化性；提供一第二晶圆，于所述第二晶圆上形成第二膜层，所述第二膜层的表层由所述第一金属构成；使所述第一膜层和所述第二膜层中的所述第一金属与所述第二金属之间发生共晶键合，以形成所述第一金属和所述第二金属组成的共晶键合层。本发明可减轻共晶键合工艺中氧化膜的形成，可提高键合结构的质量，并且有利于键合条件和结果的可控性。