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公开(公告)号：CN221767276U
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202420237203.1
申请日：2024-01-31
Applicant: 上海应用技术大学
IPC: H01S5/024
Abstract: 本实用新型涉及一种高密度半导体激光器散热结构，该结构包括：底板，其包括底板主体，以及设于底板主体内的冷却工质进入通道和冷却工质出口通道，底板主体上表面交替设有与冷却工质进入通道相连通的第一出工质口、与冷却工质出口通道相连通的第一进工质口；多个设于底板上的微通道层，其包括微通道层体、设于微通道层体朝向底板一侧的微通道凹槽；微通道凹槽内交替设有微通道肋片和流体通道，微通道凹槽覆盖至少一个第一出工质口和至少一个第一进工质口；设于微通道层上的半导体激光器单元。与现有技术相比，本实用新型在半导体激光器单元下方引入微通道冷却回路，通过微通道散热结构强化冷却回路的换热能力，解决高功率半导体激光器的散热问题。
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