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公开(公告)号：CN101435998A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200710094237.0
申请日：2007-11-15
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种降低光刻机镜头畸变引起的光刻对准偏差的方法，通过在同一曝光单元四周产生对称的光刻套刻图形，可测量出曝光单元上下左右各位置由于镜头畸变而产生的位置变化；然后，根据光刻机镜头畸变调整精度要求，选择合适的光刻套刻模型计算出镜头畸变量，并在每次曝光时通过光刻对准参数的补正来修正畸变量；从而实现了降低光刻机镜头畸变所引起的光刻对准偏差，提高光刻对准精度的目的；同时，该方法使得不同产品在不同光刻机上找到了一个简单的匹配标准，从而使得不同镜头表现的光刻机最终产出的产品能够保持统一性，从而大大提高了生产力；并且，这种方法易于实现，成本较低。
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公开(公告)号：CN101178542A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200610118045.4
申请日：2006-11-08
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
摘要： 本发明公开了用于光刻胶成膜的光刻胶加热控制系统，该系统除包括通常的光刻胶管道、光刻胶喷嘴、RRC喷嘴外，还包括：光刻胶加热系统，其位置位于光刻胶喷嘴周围。该光刻胶加热系统包括光刻胶温度控制器和自动反馈系统，其中该自动反馈系统通过设定程序实时反馈控制控制光刻胶温度的变化速度和精确度，光刻胶温度控制器包括光刻胶温度探测器和温度控制系统，按自动反馈系统的指令控制光刻胶温度在预设温度。上述温度控制系统是非接触的。该温度控制系统的加热方式为射频模式、红外加热或光源加热等其他形式。本发明可在涂胶过程中调节光刻胶温度，来调整光刻胶的膜厚可涂布范围。
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公开(公告)号：CN101459133B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200710094444.6
申请日：2007-12-13
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/8239
摘要： 本发明公开了一种双层多晶硅自对准栅的制备方法，包括：先制备并刻蚀出双层多晶硅栅；后抗反射材料填充双层多晶硅栅所形成的台阶；再光刻定义位置，并去除曝光后露出的上层多晶硅栅上的抗反射材料；最后刻蚀上层多晶硅栅和介质层。本发明的制备方法在常见的双层多晶硅自对准栅的生成方法中引入抗反射层填充技术，将抗反射层作为保护层在刻蚀中对基板或场区进行保护，适用于双层多晶硅自对准栅结构的制备中。
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公开(公告)号：CN101350325A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200710093952.2
申请日：2007-07-17
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
IPC分类号： H01L21/66
摘要： 本发明公开了一种测量外延生长中图形畸变的方法，包括如下步骤：(1)采用光刻板A对衬底层进行光刻，刻蚀，产生两套测量图形；(2)在上述两套测量图形上产生保护层；(3)采用光刻板B对保护层进行光刻，刻蚀，使其中第一套图形被保护；(4)外延生长，产生第二套外延生长后的图形；(5)测量第一套图形和第二套图形，经对比得到外延生长中的图形畸变。使用了本发明的测量方法后，可以比较精确的测量出外延生长工艺造成的图形畸变量，一方面可以提高外延工艺的工艺参数表现的表征能力，另一方面对于后续的光刻对准工艺有很大帮助，可以提高小尺寸外延产品的光刻对准精度，从而使外延产品的尺寸不断缩小成为可能。
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公开(公告)号：CN101201544A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610119405.2
申请日：2006-12-11
申请人： 上海华虹NEC电子有限公司
发明人： 黄玮
IPC分类号： G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/42 , H01L21/027
摘要： 本发明公开了一种半导体光刻方法，包括先在半导体硅上生成氮化硅，之后在氮化硅上面涂光刻胶并进行光刻得到沟道，然后去除光刻胶，再在器件表面镀上二氧化硅，在二氧化硅上特定的区域中填充许多规则排列的点状辅助标记，之后根据所述辅助标记的位置用刻蚀和化学机械抛光的工艺去除氮化硅层、二氧化硅层和上面的辅助标记，最后在沟道间涂布光刻胶并进行后续工艺。本发明通过添加辅助标记的方式，大大降低了CMP工艺对套刻测量的影响，保证了套刻测量的准确性，从而提高了芯片的成品率。
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