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公开(公告)号：CN1793892A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510112214.9
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺，可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能，包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计，并方便实现微型智能传感器。
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公开(公告)号：CN1778664A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510030128.3
申请日：2005-09-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种碳纳米管微图形化方法，属于微纳电子技术、光电子技术和微细加工技术领域。本发明包括以下步骤：(1)碳纳米管膜的制备。(2)在碳纳米管膜上面形成反应离子刻蚀中的掩膜层，根据具体应用要求掩膜层的成分、厚度的选择及其加工工艺分为三种情况：①正胶掩膜层；②负胶掩膜层；③金属掩膜层。(3)反应离子刻蚀碳纳米管，形成碳纳米管图形。(4)去除掩膜层。本发明更好地适应各种不同成分和成膜方法形成的碳纳米管膜的图形化，同时充分利用微电子工艺的高精度图形化优势的碳纳米管图形化技术方案。
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公开(公告)号：CN1731279A
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN200510028437.7
申请日：2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米技术领域的一维纳米材料的三维微构型制备方法，包括：基片准备：对用于制备微构型的基片进行预处理；金属微电铸：在经处理后的基片上形成具有所需结构与排列特征的金属电极结构的光刻胶微铸模，并在微铸模中电镀金属材料构成金属微构型；丝网印刷一维纳米材料浆料：包括制备一维纳米材料浆料，并采用丝网印刷方法将一维纳米材料浆料涂敷在所形成的金属微构型结构的侧壁和表面；微结构固化成型：通过加热和保温处理，去除形成的一维纳米材料微构型中的有机物，稳定一维纳米材料结构。本发明与微电子制造工艺有极好的兼容性，可以得到较佳的加工精度，并且工艺简单，很适于批量制作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1709788A
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：CN200510027570.0
申请日：2005-07-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种碳纳米管微结构的制备方法，步骤包括：基片准备；碳纳米管浆料制备；微结构成模：在经过处理的基片上表面，制成光刻胶层，并经曝光、显影和坚膜工艺以后形成具有所需图形和高度的微图形结构；碳纳米管压铸：采用压铸方法将碳纳米管浆料压入微结构模型中；固化成型：通过加热和保温处理，稳定固化碳纳米管微结构；脱模：通过将经过上述步骤的基片充分浸没在适用于溶解微结构模型的溶液中，在基片表面上形成碳纳米管微结构。本发明集合了常规图形化－光刻技术以及三维微结构－微压铸制造技术的特征，具有制备过程简单，结构图形边界清晰，图形深宽比大，图形化精度高，工艺适用性强等特点，尤其适用于大面积碳纳米管图形化结构的制备。
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公开(公告)号：CN100517063C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200510028437.7
申请日：2005-08-04
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种纳米技术领域的一维纳米材料的三维微构型制备方法，包括：基片准备：对用于制备微构型的基片进行预处理；金属微电铸：在经处理后的基片上形成具有所需结构与排列特征的金属电极结构的光刻胶微铸模，并在微铸模中电镀金属材料构成金属微构型；丝网印刷一维纳米材料浆料：包括制备一维纳米材料浆料，并采用丝网印刷方法将一维纳米材料浆料涂敷在所形成的金属微构型结构的侧壁和表面；微结构固化成型：通过加热和保温处理，去除形成的一维纳米材料微构型中的有机物，稳定一维纳米材料结构。本发明与微电子制造工艺有极好的兼容性，可以得到较佳的加工精度，并且工艺简单，很适于批量制作。
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公开(公告)号：CN100493452C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200510112217.2
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种传感器技术领域的微型人类呼吸传感器。本发明包括：衬底、微电极或者其阵列层，微电极或者其阵列层设置在衬底上，微电极或者其阵列层中，微电极或者其阵列的阴阳两极由空气间隔相互隔离。本发明灵敏度高，信噪比高，不需要接触人体，安全性、稳定性高，根据应用场合工作电压可以控制在几伏到几十伏，敏感单元核心能耗处于10-5瓦特数量级，结构简单，适于量产，易于阵列化且制造成本低。可以用于医疗、心理分析等领域。
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公开(公告)号：CN100443893C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510112214.9
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺，可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能，包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计，并方便实现微型智能传感器。
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公开(公告)号：CN100410659C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510112216.8
申请日：2005-12-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种传感器技术领域的使用一维纳米材料的微型气体传感器。本发明包括：衬底、金属底电极层、一维纳米材料层、金属支柱层、金属顶电极层。其中，金属底电极层设置在衬底上，一维纳米材料层设置在金属底电极层之上，金属支柱层设置在衬底之上，金属顶电极层设置在衬底上。金属底电极层、一维纳米材料层与金属支柱层之间相互隔离，金属顶电极层和金属底电极层、一维纳米材料层之间有气体间隙相互隔离。本发明具有选择性高、灵敏度高、低能耗、成本低、易于实现阵列化、小型化的优点，并有利于提高安全性、稳定性。
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