公开(公告)号：CN103078013A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201310034116.2

申请日：2013-01-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭益平 ,  董文 ,  刘河洲 ,  李华 ,  陶文燕 ,  康红梅

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及在玻璃基板上制备钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的方法，选择FTO导电玻璃作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备上电极得到太阳能电池。利用超薄铁酸铋层能够提高钒酸铋薄膜的光伏效应并使其光伏效应进行反转。本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜。所制备的异质结薄膜不仅具有优越的光伏特性且其二极管方向和单纯钒酸铋薄膜二极管方向相反，这些优越的特性可使超薄铁酸铋铁电薄膜及类似钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜在太阳能电池及光电器件领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102807737A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210279716.0

申请日：2012-08-07

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李华 ,  刘河洲 ,  张洋洋 ,  郗文灿 ,  陶文燕 ,  郭益平 ,  康红梅

IPC: C08L63/02 ,  C08L69/00 ,  C08L9/02 ,  C08L27/06 ,  C08F120/14 ,  C08K13/06 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08J3/28

Abstract: 本发明涉及石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料的制备方法，将碳纳米管与石墨烯粉体置于液体介质中，经破碎形成稳定的石墨烯/碳纳米管分散体系，然后向其中加入高分子材料，混合均匀后制备得到石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料。与现有技术相比，本发明提供一种简单有效实现碳纳米管、石墨烯稳定分散的方法，将所获石墨烯/碳纳米管分散体系应用于高分子基复合材料，可获得石具高电导性、热导性与力学性能的石墨烯/碳纳米管分散体系高分子基复合材料。

公开(公告)号：CN103078013B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201310034116.2

申请日：2013-01-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭益平 ,  董文 ,  刘河洲 ,  李华 ,  陶文燕 ,  康红梅

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及在玻璃基板上制备钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜太阳能电池的方法，选择FTO导电玻璃作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备上电极得到太阳能电池。利用超薄铁酸铋层能够提高钒酸铋薄膜的光伏效应并使其光伏效应进行反转。本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜。所制备的异质结薄膜不仅具有优越的光伏特性且其二极管方向和单纯钒酸铋薄膜二极管方向相反，这些优越的特性可使超薄铁酸铋铁电薄膜及类似钒酸铋/铁酸铋异质结薄膜在太阳能电池及光电器件领域有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN102964789B

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201210487487.1

申请日：2012-11-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李华 ,  刘河洲 ,  汪伟杰 ,  康红梅 ,  郗文灿 ,  陶文燕 ,  刘学发 ,  吴芬 ,  曾庆平

IPC: C08L67/04 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08K7/06 ,  C08K13/06 ,  C08K9/06

Abstract: 本发明涉及一种含纳米碳材料的聚羟基烷酸酯可降解复合材料及其制备方法，该复合材料为在聚羟基烷酸酯基体中引入高热导纳米碳材料，在所得复合材料中构成高效导热网络，促进结晶放热的消散；纳米碳材料同时作为成核剂，促进聚羟基烷酸酯基体形核结晶；纳米碳材料还作为增韧剂对所得复合材料强韧化；所述的聚羟基烷酸酯基体与纳米碳材料的质量比为10∶1～2000∶1。与现有技术相比，本发明具有加工性能、力学性能、热学性能高、生产成本低等优点。

公开(公告)号：CN103107242A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201310033856.4

申请日：2013-01-29

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 郭益平 ,  董文 ,  刘河洲 ,  李华 ,  陶文燕 ,  康红梅

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及在FTO基板上制备钒酸铋(BiVO4)太阳能电池的方法，包括：前驱体溶液的配制，单斜多晶钒酸铋薄膜的制备。使用玻璃基板作为基底，通过化学溶液沉积法制备钙钛矿结构BiVO4氧化物薄膜，然后通过物理溅射法在薄膜上制备上电极即可获得BiVO4太阳能电池。与现有技术相比，本发明能够以低的成本在玻璃基板上制备出一致性高，重复性好的钙钛矿结构BiVO4薄膜。该薄膜具有良好的光伏特性并具有二极管的单向导电特性，可以满足微电子及光电器件对半导体材料的要求，对钒酸铋薄膜的制备技术有重大的促进作用。

公开(公告)号：CN102532669A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210009127.0

申请日：2012-01-12

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李华 ,  刘河洲 ,  见雪珍 ,  陶文燕 ,  王珮

IPC: C08L23/06 ,  C08L23/12 ,  C08L27/16 ,  C08K3/04 ,  C08K7/00 ,  C08K7/06

Abstract: 本发明涉及具正电阻温度系数的高分子基石墨烯复合材料及制备方法，复合材料包括基体及导电填料，导电材料的含量为0.01～10wt％，将各组份混合均匀，后经模压或者挤出注塑成型，成型材料经烘干后，进行辐照处理，即制备得到具正电阻温度系数的高分子基石墨烯复合材料。与现有技术相比，本发明加工过程简单，对基体材料性能的影响较低，不易氧化，电阻率也较稳定，而且材料的循环稳定性更好，不易产生NTC效应。