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公开(公告)号：CN1670248A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510023461.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法，将单晶硅片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备磺酸基硅烷－稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡在王水中加热5～6小时，在室温中冷却、冲洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液中，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸中反应，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将表面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝酸组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得磺酸基硅烷－稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。
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公开(公告)号：CN1219111C
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200310108925.X
申请日：2003-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种溶胶-凝胶法稀土纳米膜的制备方法，属于薄膜制备领域。本发明对单晶硅片进行预处理，将单晶硅片浸泡在王水中，使用电炉加热王水，在室温中自然冷却，将单晶硅片取出，用去离子水反复冲洗，放入干燥皿中干燥；或者采用羟基化对玻璃基片进行预处理，用Pirahan溶液于室温下处理，再用大量去离子水淋洗、干燥；将处理后的基片浸入配置好的溶胶溶液，静置后提拉，然后在干燥器中静置，放入烘箱中干燥，或者重复上述操作准备多层薄膜；把覆有薄膜的单晶硅片或玻璃基片放入马弗炉保温，缓慢升温至500℃，保温在炉内自然冷却至室温即可得到稀土纳米薄膜。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.5降低到0.2，具有十分明显的减摩作用。
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公开(公告)号：CN1654392A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN200510023462.6
申请日：2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 一种玻璃基片表面制备磺酸基硅烷—稀土纳米复合薄膜的方法，采用表面经过羟基化的玻璃基片作为基底材料，在基底表面采用自组装方法制备磺酸基硅烷—稀土纳米薄膜，首先将玻璃基片浸于Pirahan溶液中，于室温下处理1小时，清洗、干燥后，浸入巯基硅烷溶液中，静置6～8小时后取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸溶液中反应，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将表面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝酸组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得磺酸基硅烷—稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。
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公开(公告)号：CN1645103A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200510023642.4
申请日：2005-01-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种微摩擦测试装置，二维位移平台上固定的二维测力传感器采用悬臂结构，相互垂直的卧式弯曲梁和立式弯曲梁通过连接块固定在一起，卧式弯曲梁和立式弯曲梁均由两平行弹性体组成，悬臂一端固定，另一端悬臂前端上固定有被测圆柱与摩擦头，被测圆柱正上方的非接触位移传感器的探头由刚性悬梁固定在二维移动平台上。立式弯曲梁上粘贴有应变片用于对摩擦力的测量，载荷的测量则通过位移传感器间接实现。本发明能同时测量微毫牛级载荷和摩擦力，无需采用高精度微位移平台就能实现载荷的高分辨率加载，同时保证了测力精度。
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公开(公告)号：CN1209494C
公开(公告)日：2005-07-06
申请号：CN200310108926.4
申请日：2003-11-27
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种稀土纳米薄膜在单晶硅上的自组装制备方法，属于薄膜制备领域。本发明先将单晶硅片预处理，将处理后的单晶硅片浸入配置好的稀土改性剂中，静置8小时，取出后，用去离子水冲洗后，在室温中晾干后置于烘箱，于120℃保温1个小时，即获得稀土自组装纳米薄膜，其中，稀土改性剂的组分重量百分比为：稀土化合物：3.5%～7%，乙醇含量：65%～85%，乙二胺四乙酸：1%～4%，氯化铵：2%～5%，尿素：10%～25%，浓盐酸：0.5%～1.5%。本发明工艺方法简单，成本低，对环境无污染，制得的稀土纳米薄膜分部均匀，成膜致密，且具有十分明显的减摩作用。此外稀土自组装膜还具有良好的抗磨损性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100383280C
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200510023461.1
申请日：2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法，将单晶硅片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备磺酸基硅烷-稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡在王水中加热5～6小时，在室温中冷却、冲洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液中，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸中反应，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将表面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝酸组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得磺酸基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。
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公开(公告)号：CN1312068C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200510027734.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种玻璃基片表面制备磺酸基硅烷—稀土纳米复合薄膜的方法，在羟基化的玻璃基片表面用自组装法制备磺酸基硅烷薄膜，用溶胶—凝胶法在其表面制备含有稀土元素的薄膜。将玻璃基片浸于Pirahan溶液，90℃下处理1小时，清洗干燥后浸入巯基硅烷溶液，静置6～8小时取出冲洗，用氮气吹干置于硝酸溶液，得到表面附有磺酸基硅烷薄膜的玻璃基片，再将其置入由稀土化合物、钛酸盐、乙醇、二乙醇胺、二甲基甲酰胺组成的溶胶溶液中静置后提拉，干燥，或重复上述操作制备多层薄膜；把样品放入马弗炉，缓慢升温至500℃，在炉内自然冷却至室温即得到稀土纳米复合薄膜。本发明工艺方法简单，在玻璃基片表面制备的稀土复合薄膜有明显减摩、耐磨作用。
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公开(公告)号：CN1733593A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510027349.5
申请日：2005-06-30
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00 , C10M105/76 , C10N50/08
Abstract: 一种单晶硅片表面制备磺酸基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装法制备磺酸基硅烷，然后用溶胶－凝胶法在其表面制备含有稀土元素的纳米薄膜，首先将单晶硅片浸泡在王水中加热5～6小时，取出用去离子水清洗，置入羟基化溶液，室温下处理1小时，清洗干燥后浸入配制好的巯基硅烷溶液，静置6～8小时取出，冲洗后用氮气吹干置于硝酸中，把端巯基原位氧化成磺酸基，再将基片置入溶胶溶液，静置后提拉，放入烘箱干燥后把覆有复合薄膜的样品放入马弗炉，缓慢升温至500℃，在炉内冷却至室温即得到稀土纳米薄膜。本发明可以将摩擦系数从无膜时的0.8降低到0.1，具有十分明显的减摩作用。
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公开(公告)号：CN1670247A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510023460.7
申请日：2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种单晶硅片表面制备巯基硅烷－稀土纳米复合薄膜的方法，将表面经过处理的单晶基片作为基底材料，在其表面采用自组装方法制备巯基硅烷－稀土纳米薄膜，首先将单晶硅片放入王水中，对单晶硅片进行预处理，清洗、干燥后，浸入巯基硅烷溶液中，静置8小时后取出，冲洗后用氮气吹干置于由稀土化合物、乙醇、乙二胺四乙酸、氯化铵、尿素及硝酸组成的稀土自组装溶液中进行组装，即获得巯基硅烷－稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，在单晶硅片表面制备的稀土自组装薄膜有明显减摩、耐磨作用。
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公开(公告)号：CN1843638A
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200610024980.4
申请日：2006-03-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法，首先将单晶硅片浸泡在王水中，经加热、自然冷却处理后取出，用去离子水反复冲洗后干燥，再浸入配制好的氨基硅烷溶液中，在基片表面组装氨基硅烷薄膜，然后再置入含有三氯氧化磷和2，3，5－三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中，在薄膜表面组装上磷酸基团，最后将表面附有磷酸基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物，乙二胺四乙酸，氯化铵，尿素及浓盐酸配制的稀土自组装溶液中，获得磷酸基硅烷－稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的稀土纳米薄膜分布均匀，成膜致密，且具有十分明显的减摩作用，具有良好的抗磨损和抗粘着性能。
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