公开(公告)号：CN1730229A

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：CN200510028447.0

申请日：2005-08-04

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 李明 ,  任晓雪 ,  陈熹 ,  毛大立

IPC: B23K35/26

Abstract: 一种Sn－Zn－Cr合金无铅焊料，属于电子材料技术领域。本发明的组分及其质量百分比为：Cr为0.005－0.22％，Zn为3－12％，余量为Sn。Cr是不锈钢的重要组成元素，具有良好的耐腐蚀性和抗氧化性。另外，Cr与Zn元素可形成较稳定性的Zn13Cr、Zn7Cr等金属间化合物，可以进一步起到稳定焊料中的Zn，降低其反应活性的作用。本发明不但使抗氧化性和耐腐蚀性得到进一步的改善，而且在保证熔点、抗拉强度基本不变的前提下，其焊料的润湿性和延展性等性能也均有明显的提高。

公开(公告)号：CN1243171A

公开(公告)日：2000-02-02

申请号：CN99113965.8

申请日：1999-08-06

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 吴建生 ,  毛大立 ,  王家敏

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/35

Abstract: 含混合稀土元素高阻溅射靶材,在合金体系中加入镧系和锕系稀土元素,使靶材成为Si－Cr－Ni－Re(Re为稀土元素)四元合金体系,具体成份为Si(35%－72%)、Cr(25%－50%)、Ni(2%－20%),三元素总和百分比为100%,稀土含量为三元素总重量的0.1%－3.0%,采用特殊真空感应熔炼失蜡熔模精密浇铸。本发明提供的新型靶材具有高精密性、稳定性、可靠性和良好的通用性,可同时适用于制备金属膜和金属氧化膜电阻器,拓展了靶材的适用范围并降低生产成本。

公开(公告)号：CN101907553A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN201010236670.5

申请日：2010-07-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 丁冬雁 ,  宁聪琴 ,  秦锐 ,  白硕 ,  黄麟 ,  李明 ,  毛大立

IPC: G01N13/00 ,  G01N1/32

Abstract: 一种金属材料技术领域的提高双相钛合金时效析出相阳极氧化形貌清晰度的方法，包括如下步骤：步骤一，取时效态双相钛合金为阳极氧化基材，配制阳极氧化介质；所述阳极氧化介质的组分为磷酸二氢钠、氢氟酸和去离子水；步骤二，调整阳极氧化电压的范围为10V～30V，氧化，即可在双相钛合金表面形成与双相钛合金金属基体结合力较弱的氧化物薄膜；步骤三，经超声清洗去除氧化物后；步骤四，用扫描电镜直接观察时效析出相的原位坑蚀形貌。本发明的方法可将双相钛合金表面处理成在扫描电镜中能够直接观察时效析出相的金相样品。该方法工艺简单，可应用于双相钛合金时效析出过程研究和实验室快速检测钛合金的时效析出相。

公开(公告)号：CN100442536C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510030973.0

申请日：2005-11-03

Applicant: 上海交通大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 凌惠琴 ,  陈寿面 ,  李明 ,  毛大立 ,  杨春生

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 一种材料技术领域的高介电常数栅介质二元复合氧化物PrAlxOy薄膜，包含的组分及重量百分比为：Al2O31%～24%，其余为Pr2O3。当Al2O3重量百分比为12%时，PrAlxOy与硅的界面层最薄，等效介电常数为25。本发明所得PrAlxOy薄膜为非晶薄膜，经800℃快速热处理5分钟仍保持非晶状态，结晶温度高，与硅片的界面稳定性好。PrAlxOy薄膜具有高介电常数和低漏电流的性质，不仅可用于MOSFET结构中的栅介质材料，也可用于射频电路和混合信号集成电路中MIM结构的绝缘层。

公开(公告)号：CN1325603C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200310108922.6

申请日：2003-11-27

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 毛大立 ,  常程康 ,  姜岭

IPC: C09K11/79

Abstract: 一种硅酸盐长余辉发光材料及其制备方法，属于材料领域。本发明材料的化学式为：Ca0.973O·MgO·(SiO2)2·0.15B2O3：Eu0.007、Ln0.02，其重量百分比CaO：23.70～24.47%，MgO：17.40～17.60%，SiO2：52.20～52.80%，B2O3：4.54～4.60%，Eu2O3：0.53～0.54%，Ln2O3：0～1.63%，其中Ln为Dy或Nd中的一种或两种元素。本发明材料通过高温固相反应工艺来制备，首先将CaCO3、4MgCO3·Mg(OH)2·5H2O和SiO2，以及助熔剂H3BO3充分混合，再加入Dy2O3粉体、Eu2O3粉体和Nd2O3粉体混合烧成，烧结在还原气氛中进行，在1200～1400℃烧结2-4个小时，烧成后物料经过粉碎并过筛，即得到相应粒度的发光粉体。本发明采用高温固相反应工艺制备这种新型的硅酸盐长余辉发光材料，其制备方法简便，制得的长余辉发光材料，其材料具有良好的耐水性能和稳定性，将其放入水中，三个月后仍未见分解，仍可见发光。

公开(公告)号：CN1792487A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510111801.6

申请日：2005-12-22

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 林栋樑 ,  靳丽 ,  陈彬 ,  曾小勤 ,  丁文江 ,  毛大立

IPC: B21C23/00 ,  B21C31/00

Abstract: 一种材料加工技术领域的镁合金的两步等通道角挤压方法。具体为：(1)设计等通道挤压模具，包括通道转角及转角弧度的设定；(2)根据材料的初始性能，调整变形速率和变形温度，找到无裂纹变形1道次的最低温度；(3)在上述无裂纹变形最低温度下对合金实施多道次等通道角挤压变形，变形道次间根据等通道挤压路线中的一种旋转试样；(4)合金经等通道角挤压变形2－4道次后，降低等通道角挤压变形温度，继续采用等通道挤压路线中的一种对该镁合金进行等通道角挤压变形4－8道次。本发明克服了等通道角挤压变形后虽然延伸率提高，但屈服强度明显下降的特点，为提高镁合金的强韧性提供了有效的方案。

公开(公告)号：CN1761068A

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN200510030974.5

申请日：2005-11-03

Applicant: 上海交通大学 ,  上海集成电路研发中心有限公司

Inventor： 凌惠琴 ,  陈寿面 ,  李明 ,  毛大立 ,  杨春生

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L21/283

Abstract: 一种高介电常数栅介质TiO2/Al2O3堆栈结构薄膜，由Al2O3缓冲层、TiO2层组成，TiO2层沉积在Al2O3缓冲层上，Al2O3缓冲层厚度为1～3nm，TiO2层厚度为3～5nm。本发明TiO2/Al2O3堆栈结构，充分利用了Al2O3与硅衬底优异的界面性能和TiO2的高介电常数性能，优势互补。Al2O3缓冲层的加入改善了TiO2薄膜与硅的界面性能，界面层的生长被有效抑制。TiO2淀积后，堆栈结构的等效氧化物厚度与未淀积时的等效氧化物厚度相比并没有显著提高，在相同等效氧化物厚度情况下，由于实际厚度的增加，漏电流下降了1～2个数量级。因此，TiO2/Al2O3堆栈结构是MOSFET结构中栅介质材料的较有前景的候选材料。

公开(公告)号：CN1246419C

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200410017536.0

申请日：2004-04-08

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 常程康 ,  毛大立

IPC: C09K11/80

Abstract: 一种纳米铝酸盐长余辉发光材料及其制备方法，用于发光材料领域。纳米铝酸盐长余辉发光材料化学式为：xMO·yAl2O3:Eu0.01x，Dy0.02x，M为Sr或者Ca，x＝1，y＝1或者x＝4，y＝7。本发明使用Sr(NO3)2、Ca(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、(NH4)2CO3、Eu2O3、Dy2O3、H3BO3、HNO3为原料，将比例为1∶6的的Eu2O3，Dy2O3溶解在HNO3中，形成三价硝酸盐溶液，Sr(NO3)2、Ca(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O分别溶解在去离子水中，形成硝酸盐溶液，量取上述的硝酸盐溶液，充分混合后，用(NH4)2CO3溶液进行沉淀，将沉淀物充分洗涤干燥后，加入H3BO3共同球磨，充分干燥后，高温煅烧，获得纳米铝酸盐长余辉发光粉体。本发明具有纳米尺度的平均粒径和规则的外形，具有很好的分散性，解决了现有长余辉发光粉体颗粒粗大的问题，大大扩展长余辉发光材料的应用领域。

公开(公告)号：CN1701843A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510024795.0

申请日：2005-03-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡安民 ,  常程康 ,  李明 ,  毛大立 ,  雷同

IPC: B01J20/06 ,  B01J20/28 ,  B01J27/18 ,  B01D53/86

Abstract: 一种载Ti4+羟基磷灰石纳米粉体吸附消毒材料的制备方法，属于材料领域。本发明制备方法为通过负载Ti4+和Fe，Ag或Ce，通过水热法获得的负载Ti4+的羟基磷灰石吸附消毒材料。所述的载Ti4+羟基磷灰石纳米粉体吸附消毒材料的其化学组成式为：(Ca10－x－yTixRy)(PO4)6(OH)2，其中x＝0.5～6，y＝0.01～0.2，R为Fe3+，Ag+或Ce4+首先配置(Ca+Ti+R)复合溶液，滴加氨水或者酸，经过反复三次离心分离和水洗，得到白色沉淀并放入高温高压反应釜中，加入蒸馏水，进行水热反应。反应后取出反应物，经过反复三次离心分离和水洗，干燥。本发明具有良好的吸附、光催化杀菌性能，不仅能在紫外线下，而且能在日光下分解污染物。

公开(公告)号：CN1701842A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：CN200510024794.6

申请日：2005-03-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 胡安民 ,  常程康 ,  李明 ,  毛大立 ,  雷同

IPC: B01J20/06 ,  B01J20/28

Abstract: 一种载Ti4+羟基磷灰石纳米粉体吸附消毒材料，属于材料领域。本发明材料的其化学组成式为：(Ca10－x－yTixRy)(PO4)6(OH)2，其中x＝0.5～6，y＝0.01～0.2，R为Fe3+，Ag+或Ce4+。晶相为羟基磷灰石晶相。晶体结构为六方结构。通过负载Ti4+和少量Fe3+，Ag+或Ce4+离子，通过水热法获得的负载Ti4+的羟基磷灰石吸附消毒材料。本发明具有良好的吸附、光催化杀菌性能，不仅能在紫外线下，而且能在日光下分解污染物。