微米级磨削毛刺去除系统及方法
    11.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118237615A

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202410505024.6

    申请日:2024-04-25

    Abstract: 一种微米级磨削毛刺去除装置及方法,包括:相对设置的一对用于固定伺服阀阀芯的顶尖、设置于一对顶尖一侧的三轴进给系统以及位于其上的自动对刀系统和去毛刺工具系统,其中:三轴进给系统、自动对刀系统和去毛刺工具系统分别与控制模块相连,输出工况信息并接收控制指令。本发明集成顶尖定位、自动对刀、精密进给、去毛刺工具、切削力闭环反馈控制等手段,实现伺服阀阀芯棱边微米级磨削毛刺精准、高效、高质量去除。

    一种基于外积的矩阵乘法运算处理器、方法及介质

    公开(公告)号:CN116737107A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310692834.2

    申请日:2023-06-12

    Abstract: 本申请提供一种基于外积的矩阵乘法运算处理器、方法及介质,应用于GPGPU中,所述处理器包括:寄存器堆、矩阵缓存器和计算单元;所述寄存器堆用于存储不同数据类型的待处理矩阵;所述矩阵缓存器用于按照预设排布方式缓存各所述待处理矩阵;所述计算单元用于对不同数据类型的各所述待处理矩阵进行外积运算和累加运算,以获取目标矩阵,并将所述目标矩阵写回至所述矩阵缓存器中。本申请所述的基于外积的矩阵乘法运算处理器针对神经网络计算中常采用的低精度运算方式,提出了通用的设计方案,可以支持不同精度和对应的大小的矩阵乘法运算操作,同时在计算核心中增加片上存储以及计算单元,来提升运算的效率。

    一种Cf/SiC陶瓷基复合材料的切削深度的确定方法

    公开(公告)号:CN117103471A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202310616015.X

    申请日:2023-05-29

    Abstract: 本发明涉及一种Cf/SiC陶瓷基复合材料的切削深度的确定方法,首先进行纳米划痕试验,获得沿各个方向划擦时纳米划痕的三维形貌、划痕深度、划擦力和轴向载荷随划痕距离的变化曲线;然后确定沿单一方向划擦时微观脆性断裂域对应的划痕深度范围;接着重复前述操作,得到沿各个方向划擦时微观脆性断裂域对应的划痕深度范围;最后确定对Cf/SiC陶瓷基复合材料进行切削加工时的划擦方向,找到相应的微观脆性断裂域对应的划痕深度范围,将其作为切削深度范围。本发明控制切削深度在微观脆性断裂域对应的划痕深度范围内,既可以达到去除材料的目的,又不会产生因为切削深度过大、材料的高硬度导致的切削力过大、刀具磨损严重、寿命短的问题。

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