公开(公告)号：CN118675467A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410949090.2

申请日：2024-07-16

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪志罡 ,  任鹏鹏 ,  夏仕钰

IPC: G09G3/3233

Abstract: 本发明公开了一种OLED显示器像素补偿电路，该电路包括7T1C电路，所述补偿电路还包括2T1C电路，所述2T1C电路包括晶体管T8、晶体管T9和电容Cs2。所述电容Cs2的一端连接OLED，所述电容Cs2的另一端连接所述晶体管T8与晶体管T9并接的一个导电端子。所述晶体管T8的另一个导电端子连接所述7T1C电路中晶体管T1的源极，所述晶体管T9的另一个导电端子连接所述7T1C电路中晶体管T1的漏极。所述7T1C电路还包括晶体管T6，所述晶体管T6的一个导电端子连接所述OLED，所述晶体管T6的另一个导电端子连接所述晶体管T1的漏极。

公开(公告)号：CN115424656A

公开(公告)日：2022-12-02

申请号：CN202211061373.0

申请日：2022-08-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪志罡 ,  任鹏鹏 ,  刘志伟

IPC: G11C29/50

Abstract: 本发明提供了一种用于铁电存储器的缺陷表征测试方法，所述方法包括步骤：通过基础脉冲测试模块进行脉冲测试，得到极化行为与电压之间的关系；通过施加电应力的方式来调控器件的退化情况，利用所述基础脉冲测试模块对不同状态下极化翻转过程进行表征；对测试得到的数据进行处理，对缺陷信息进行提取，得到缺陷的数量和能级信息。本发明提供了一种更加稳定、可控的用于铁电存储器的缺陷表征测试方法。

公开(公告)号：CN113111620B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202110504292.2

申请日：2021-05-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪志罡 ,  刘项 ,  任鹏鹏

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373 ,  G06F111/08 ,  G06F119/18

Abstract: 一种半导体电路良率预测方法，该方法包括步骤，设置半导体电路的最低良率Pcrit；以Pcrit作为指引来搜寻所述电路的故障区域；记录搜寻到的故障区域，在每一个故障区域建立响应面，构建局部响应面模型；对构建的局部响应面模型进行数值积分得到所述电路的故障率Pf，则所述电路的良率Pyield＝1‑Pf。

公开(公告)号：CN114912389A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210338173.9

申请日：2022-04-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪志罡 ,  肖雨 ,  任鹏鹏

IPC: G06F30/33 ,  G06F119/02

Abstract: 本发明公开了一种用于判断多陷阱RTN信号中陷阱数的方法，首先在陷阱数量范围内的值进行HMM提取；然后对所测RTN信号减去HMM提取后进行小波变换，用直方图统计小波系数的分布，利用峰度和偏度公式提取小波系数分布的峰度和偏度，并设定阈值进行高斯判别；若所测数据的峰度偏度绝对值同时满足小于阈值条件时为高斯信号，并记录其量化值；对不同值下的高斯量化值进行排序比较，得最小值对应的陷阱数。本发明通过小波分解和高斯判断，在保证覆盖率的前提下对RTN信号的HMM模型做到了准确拟合，随后分析提取前后相减所得剩余信号与高斯信号的拟合程度，以此来判断合适的陷阱数。本发明判断陷阱数时的准确率比之前的已知方法高，能覆盖到大部分测到的RTN信号。

公开(公告)号：CN119596110A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411777015.9

申请日：2024-12-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  张烨薇 ,  纪志罡

IPC: G01R31/28 ,  G01R31/3181 ,  G01R31/3185 ,  G01R1/30

Abstract: 本发明公开了一种大规模可寻址关键路径测试电路，其包括：激励电路，用于生成输入信号VIN和电源VDD；行寻址电路、列寻址电路，分别用于接收行地址以及列地址，并根据接收到的地址信号控制开关电路，从多个待测路径中选中需要测试的待测路径，将输入信号VIN作用至该待测路径的输入端，并将电源VDD作用至需要测试的待测路径，为该待测路径供电；每个待测路径连接有一个TDC模块，用于检测输入信号VIN在对应待测路径中传播所需的延迟时间；感知电路，与各待测路径连接，用于分别检测各待测路径的实际供电电压VDDSENSE。本发明中使用感知电路感知待测单元的VDD压降情况，能够精确检测到电路的实际工作电压。

公开(公告)号：CN114912345B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202210338428.1

申请日：2022-04-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  薛永康 ,  纪志罡

IPC: G06F30/367 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件老化后参数退化量的快速提取方法，首先通过修改pdk model中的特征参数，所述特征参数即为后续欲测量退化量的特征参数，然后调用修改特征参数后的mode lcard以及netlist进行器件的IV特性仿真；然后将pdk model中修改的特征参数与从仿真IV曲线中所提取的实验参数构建数据集，并搭建神经网络，对两组参数间的映射关系进行学习；最后，实际测量半导体器件在老化前后的IV曲线，并根据机器学习的映射关系得出半导体器件老化前的特征参数集P0和老化后的特征参数集P，半导体器件老化后特征参数的退化量即为ΔP＝P0‑P。本发明通过前期对器件仿真数据集的学习，以及后期的少量测试，实现了对器件老化参数的快速提取，具有高精确性以及高效性等优点。

公开(公告)号：CN118036423A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202211411147.0

申请日：2022-11-11

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  纪志罡 ,  叶锦锋

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/30 ,  G06N3/049 ,  G06N3/0464 ,  G01R31/28 ,  G06F119/02

Abstract: 一种集成电路可靠性的快速预测方法，通过在离线阶段构建数据集和ST‑GNN深度学习网络模型，对ST‑GNN网络模型进行训练后在在线阶段进行可靠性预测。本发明结合空间域的GraphSAGE图采样算法与时间域的改进CNN的ST‑GNN网络模型，既能利用电路的图节点随时间变化的动态特征，又能利用图采样算法表达电路器件节点间依赖关系，构建深度学习模型对数字电路中各个器件老化退化做出预测，显著提高了准确率和效率。

公开(公告)号：CN113674787B

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202110990186.X

申请日：2021-08-26

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 纪志罡 ,  乔争 ,  任鹏鹏

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24

Abstract: 本发明提供一种在DRAM标准单元上实现非逻辑操作的方法及电路，所述方法包括在DRAM标准单元中存储逻辑电荷数据读取到位线上时，先将灵敏放大器中的第一外加电压线接入高电平，第二外加电压线接入低电平，使得DRAM标准单元的位线和取反位线的电压逐渐相近，再将灵敏放大器中的第一外加电压线接入低电平，第二外加电压线接入高电平，实现对DRAM标准单元的位线的控制；其中，所述第一外加电压线和所述第二外加电压线均分别连接于位线和取反位线之间，所述第一外加电压线处于DRAM标准单元和所述灵敏放大器之间，所述第二外加电压线处于所述灵敏放大器和预充电电路之间。本发明可以在不改变现有DRAM标准单元和外围电路的前提下，仅通过外加电压等操作实现DRAM标准单元的逻辑非的运算。

公开(公告)号：CN114912345A

公开(公告)日：2022-08-16

申请号：CN202210338428.1

申请日：2022-04-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 任鹏鹏 ,  薛永康 ,  纪志罡

IPC: G06F30/27 ,  G06F30/367 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F119/04

Abstract: 本发明公开了一种用于半导体器件老化后参数退化量的快速提取方法，首先通过修改pdk model中的特征参数，所述特征参数即为后续欲测量退化量的特征参数，然后调用修改特征参数后的mode lcard以及netlist进行器件的IV特性仿真；然后将pdk model中修改的特征参数与从仿真IV曲线中所提取的实验参数构建数据集，并搭建神经网络，对两组参数间的映射关系进行学习；最后，实际测量半导体器件在老化前后的IV曲线，并根据机器学习的映射关系得出半导体器件老化前的特征参数集P0和老化后的特征参数集P，半导体器件老化后特征参数的退化量即为ΔP＝P0‑P。本发明通过前期对器件仿真数据集的学习，以及后期的少量测试，实现了对器件老化参数的快速提取，具有高精确性以及高效性等优点。

公开(公告)号：CN118569192A

公开(公告)日：2024-08-30

申请号：CN202410644148.2

申请日：2024-05-22

Applicant: 平头哥(上海)半导体技术有限公司 ,  上海交通大学

Inventor： 杨超 ,  任鹏鹏 ,  蔡泽鉴 ,  叶锦锋 ,  纪志罡

IPC: G06F30/394 ,  G06F30/398

Abstract: 本申请实施例提供了一种标准单元老化分析方法、装置、电子设备和存储介质，该标准单元老化分析方法包括：获取标准单元的结构信息和老化条件信息；将所述结构信息转换为图结构数据；将所述老化条件信息转换为所述图结构数据中节点的节点特征；将所述图结构数据和所述节点特征输入图神经网络模型，获得所述图神经网络模型输出的老化延迟，所述老化延迟用于指示所述标准单元的老化后延迟。本方案能够提高对标准单元进行老化分析的效率。