公开(公告)号：CN102834354A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180015881.9

申请日：2011-03-25

Applicant: 三菱综合材料株式会社 ,  三菱材料电子化成株式会社

Inventor： 续桥浩司 ,  池田洋 ,  金井昌弘 ,  胁田三郎

IPC: C01B33/02 ,  B22D27/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B11/00 ,  C01B33/021 ,  C30B11/002 ,  C30B11/003 ,  C30B29/06

Abstract: 本发明提供一种使硅熔融液从底面向上方单向凝固的多晶硅锭的制造方法，在坩埚的底面配设有二氧化硅，将所述坩埚内的凝固过程以所述坩埚的底面为基准分为自0mm至高度X（10mm≤X＜30mm）的第一区域、自高度X至高度Y（30mm≤Y＜100mm）的第二区域和高度Y以上的第三区域，所述第一区域中的凝固速度V1设定在10mm／h≤V1≤20mm／h的范围内，所述第二区域中的凝固速度V2设定在1mm／h≤V2≤5mm／h的范围内。本发明提供一种通过存在较多朝向（001）和（111）取向的晶体，并且底部中的氧浓度高的部分少，从而能大幅提高作为制品的多晶硅的生产合格率的多晶硅锭及多晶硅锭的制造方法。